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本實用新型涉及驅(qū)動電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號，控制電路弱信號與igbt模塊的強信號實現(xiàn)電氣完全隔離，抗干擾能力強，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅(qū)動器和驅(qū)動芯片，例如風(fēng)電**驅(qū)動器2sd300，采用專業(yè)的調(diào)制與解調(diào)芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅(qū)動信號，抗干擾能力強，可靠性高，大量應(yīng)用...

通過電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測故障，vce-sat檢測被禁止，該狀態(tài)下不檢測vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;下管vce-sat檢測電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路:當(dāng)驅(qū)動信號drv_l為高電平（15v）時，通過電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號vce_h，r6和r7構(gòu)成分壓電路(通過r6和r7設(shè)定保護值)，比較信號comp_h，通過vce_h與comp_h的比較實現(xiàn)vce飽和壓降的檢測，并輸出故障信號fault_h：當(dāng)vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態(tài)；當(dāng)...

TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅(qū)動設(shè)計的優(yōu)勝之處。但在這個測試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測試，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒有IGBT情況下，負(fù)偏置柵驅(qū)動器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵...

特別是對于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。背面工藝，包括了背面離子注入，退火***，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點的限制，這些背面工藝必須在低溫下進行(不超過450°C)，退火***這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那么簡單。國外某些公司可代加工，但是他們一旦與客戶簽訂協(xié)議，就不再給中國客戶代提供加工服務(wù)。在模塊封裝技術(shù)方面，國內(nèi)基本掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術(shù)，其中中低壓模塊封裝廠家較多，高壓模塊封裝主要集中在南車與北車兩家公司。與國外公司相比，技術(shù)上的差距依然存在。國外公司基于傳統(tǒng)封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進封裝技術(shù)，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性...

1988-1991，集電極額定電流為Tcase=80℃時值）“1”、“2”表示***代IGBT產(chǎn)品（1992-1996，集電極額定電流為Tcase=25℃時值）;600V產(chǎn)品：集電極額定電流為Tcase=80℃時值?！?”表示第二代IGBT產(chǎn)品（600V和1200V：高密度NPT型IGBT）；1700V為***代NPT型。600V產(chǎn)品：集電極額定電流為Tcase=80℃時值。1200V與1700V產(chǎn)品：集電極額定電流為Tcase=25℃時值?！?”表示高密度、低保和壓降NPT型IGBT（1200V、1700V）?！?”表示高密度、高速NPT型IGBT（600V、1200V）?！?”表示...

發(fā)表于2018-04-0311:03?147次閱讀電壓與電壓降是一個概念嗎?有什么區(qū)別嗎本文開始介紹了電壓的分類和電壓的作用，其次介紹了電壓降的相關(guān)概念和電壓降產(chǎn)生的原因，**后分析了電壓與...發(fā)表于2018-04-0309:00?154次閱讀***表使用中必須掌握的14個小技巧能讓你事半功倍我們都知道萬用表是電力作業(yè)人員工作中不可缺少的常用維修工具，正確的使用萬用表不僅能讓我們的工作事半功發(fā)表于2018-04-0308:42?184次閱讀開關(guān)電源傳導(dǎo)、輻射處理案例，通過整改調(diào)整Layo...注：在**初的設(shè)計中，預(yù)留電感L1、L2，CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測試元件，預(yù)留磁珠FB...

pwm_l信號為低電平時，c2通過r2充電，r2,c2構(gòu)成死區(qū)延時td。當(dāng)pwm_h信號為高電平時，c3通過d3快速放電，pwm_l信號為低電平時，c3通過r3充電，r3,c3構(gòu)成死區(qū)延時td。其中v1輸入采用cmos施密特與非門，可以提高輸入信號門檻電壓，提高信號抗干擾能力。上管驅(qū)動電路由r11,q3,q4,r8構(gòu)成推挽放大電路，對光耦輸出信號u2_out信號進行放大,上管驅(qū)動信號drv_h直接連接igbt模塊上管門極hg，滿足igbt模塊對于驅(qū)動峰值電流的需求。下管驅(qū)動電路由r17,q5,q6,r18構(gòu)成推挽放大電路，對光耦輸出信號u4_out信號進行放大，下管驅(qū)動信號drv_l直...

GSM系統(tǒng)規(guī)范對手機發(fā)射功率的精度、平坦度、發(fā)射頻譜純度以及帶外雜散信...發(fā)表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脈沖幅度調(diào)制）縮寫，是按一定規(guī)律改變...發(fā)表于2017-12-1113:33?2402次閱讀基于TL494的12V直流電壓轉(zhuǎn)變220V逆變電...目前所有的雙端輸出驅(qū)動IC中，可以說美國德克薩斯儀器公司開發(fā)的TL494功能**完善、驅(qū)動能力**強，其...發(fā)表于2017-12-0515:18?648次閱讀基于LTC3115-1的手持式設(shè)備、工業(yè)儀表和汽...手持式設(shè)...

目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設(shè)計人員一般會設(shè)計柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設(shè)計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動器便**為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結(jié)果。為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟IGBT結(jié)構(gòu)有關(guān)的電容。圖1顯示了三個主要的IGBT寄生電容。集電極到發(fā)射極電容C，集電極到柵...

相關(guān)推薦為何中國用220伏電美國用110伏電？為什么不用...經(jīng)常出國溜達的小伙伴肯定會發(fā)現(xiàn)：某些國家的插座寫著110V，而不是中國插座上的220V。哇，難道電壓...發(fā)表于2018-04-0723:21?163次閱讀線圈一體型負(fù)電壓輸出電壓”microDC／DC...**適于輸入電壓變動的設(shè)備的穩(wěn)定化負(fù)電源電路,支持負(fù)電壓輸出特瑞仕半導(dǎo)體株式會社研發(fā)了支持...發(fā)表于2018-04-0610:32?103次閱讀一文看懂人體的安全電壓與安全電流是多少行業(yè)規(guī)定安全電壓為不高于36V，持續(xù)接觸安全電壓為24V，安全電流為10mA，電擊對人體的危害程...發(fā)表于2018-04-0317:15...

KY3-B2型可控硅移相觸發(fā)板一、概述KY3-B2型三相閉環(huán)觸發(fā)器是引進國外**的**可控硅移相觸發(fā)集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性和穩(wěn)定性，不隨環(huán)境溫度變化，無相序要求。內(nèi)含完整的缺相、過流、過熱等故障保護功能；具有高精度、功能完善、使用簡單可靠、易調(diào)試、抗干擾性強等優(yōu)點。它可***的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。其主要應(yīng)用于大功率電源、高頻設(shè)備交直流調(diào)壓、鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制及各種工業(yè)爐；整流變壓器、調(diào)工機、電爐變壓器一次側(cè)、充磁退磁調(diào)節(jié)、直流電機調(diào)速控制、電機軟啟動節(jié)能裝置；以鎳、鐵...

○觸發(fā)板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號進行直流負(fù)載的恒電流和恒電壓控制。（請通過JP1和JP3跳線選擇短接S4和S6進行直流閉環(huán)控制）?！鹩|發(fā)板可跟據(jù)不同要求場合取樣。觸發(fā)板還可以與單片機及相應(yīng)檢測傳感器組成外閉環(huán)自動控制系統(tǒng)。2．可選擇三種的輸入模式：○4-20mA輸入。通過JP4跳線選擇短接S1?！?-10V輸入。通過JP4跳線選擇短接S2?！?-5V輸入。通過JP4跳線選擇短接S3。3．可外接溫控保護開關(guān)和復(fù)位開關(guān)：（請參考接線圖）。4．軟啟動調(diào)節(jié)：觸發(fā)板可通過VR3可調(diào)電阻設(shè)置調(diào)節(jié)軟啟動的時間，順時針方向調(diào)節(jié)為啟動時間更長。5．限流限壓保護：觸發(fā)板通過調(diào)節(jié)VR2設(shè)...

我國的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計+代工”模式，即由設(shè)計公司提出芯片設(shè)計方案，由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設(shè)計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進的工藝設(shè)備，這些都是我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿...

專業(yè)進行智能廚具產(chǎn)品的開發(fā)和研究，并設(shè)立了以上海市區(qū)為中心的賽米控營銷售后服務(wù)點。2009年3月，賽米控公司聯(lián)合石家莊啟宏東立科技有限公司共同投資成立石家莊賽米控電子科技有限公司。石家莊賽米控公司主要負(fù)責(zé)北方商用電磁爐成品的組裝生產(chǎn)與銷售。2004年，佛山市順德銘誠科技公司成立。一幫追求真理，懷著遠(yuǎn)大抱負(fù)的年輕人開創(chuàng)了中國廚具發(fā)展史上的先河,***家把大功率電磁爐技術(shù)做成機芯的形式對全國廚具公司進行銷售。2006年，佛山市順德銘芳玉電子有限公司成立，并推出西門康牌商用電磁爐中西廚具成品。世界上***家推出采用中式炒爐15CM拋鍋不間斷加熱有火力輸出這一新技術(shù)，并成為中國大功率電磁感應(yīng)加...

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我國的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計+代工”模式，即由設(shè)計公司提出芯片設(shè)計方案，由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設(shè)計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進的工藝設(shè)備，這些都是我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿...

○故障報警輸出功能。（外接蜂鳴器和指示燈）○急停功能?！饻乜乇Ｗo功能?！鹁哂虚_環(huán)、恒電流、恒電壓三種控制模式，應(yīng)用于不同的場合。○一體化結(jié)構(gòu)：集電源、同步變壓器、觸發(fā)控制電路、脈沖變壓器于一體。結(jié)構(gòu)緊奏，調(diào)試容易，接線簡單。三、主要技術(shù)指標(biāo)及使用輸入信號：4-20mA（通過P1跳線選擇短接S1）DC0-5V（通過P1跳線選擇短接S2）DC0-10V（通過P1跳線選擇短接S3）10K電位器（手動調(diào)節(jié)時）輸出規(guī)格：三相或三相兩路觸發(fā)0-100％輸出量。移相范圍：0-180。觸發(fā)容量：≤4000A可控硅（晶閘管）。指示功能：PW¤電源指示QX¤缺相指示GLGY¤過流過壓故障指示電源使用：AC...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動電路阻抗和dV/dt的實際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因為此時集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關(guān)斷時采用柵極負(fù)偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅(qū)動電路會更復(fù)雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

是一種非常直觀...發(fā)表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯(lián)網(wǎng)未來發(fā)聲——物聯(lián)網(wǎng)微功率頻譜應(yīng)用研討會***上午，來自全國各地及海外的一百多家物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)企業(yè)、用戶單位和科研機構(gòu)**齊聚北京，共同參與了“為...發(fā)表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區(qū)別功率是指物體在單位時間內(nèi)所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定，時間越短，功率值...發(fā)表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護_電解電容浪涌電壓措施在電子設(shè)計中，浪涌主要指的是電源（只是主要指電源）剛開通的那一瞬息產(chǎn)生的強力脈沖，由于電路...

所述***氧化層厚度為1000-1200a。進一步地，所述第二氧化層厚度為3000-5000a。進一步地，兩個所述溝槽柵結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有***摻雜區(qū)，所述***摻雜區(qū)的摻雜類型與所述半導(dǎo)體襯底的類型相反。進一步地，在所述***摻雜區(qū)的內(nèi)表面設(shè)置兩個第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型與***摻雜區(qū)的摻雜類型相反，兩個所述第二摻雜區(qū)分別設(shè)置在靠近兩個所述溝槽柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述***摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)與發(fā)射極金屬接觸。進一步地，所述半導(dǎo)體的底部還設(shè)置有緩沖層和集電極，所述集電極設(shè)置在比較低層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果：本實用新型提供的溝槽柵igbt通過在溝槽內(nèi)設(shè)置兩種厚度氧化...

以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，所述原邊電路包括死區(qū)電路、互鎖電路、保護電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路，所述隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路，所述副邊電路包括±15v驅(qū)動電源、驅(qū)動電路和vce-sat檢測電路，vce-sat檢測電路分別連接igbt模塊、驅(qū)動電路和光耦隔離電路，光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護電路，驅(qū)動電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測電路檢測到igbt模塊發(fā)生短路故障或過流故障時，通過光耦隔離電路傳遞故障...

TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅(qū)動設(shè)計的優(yōu)勝之處。但在這個測試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測試，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒有IGBT情況下，負(fù)偏置柵驅(qū)動器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵...

TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅(qū)動設(shè)計的優(yōu)勝之處。但在這個測試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測試，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒有IGBT情況下，負(fù)偏置柵驅(qū)動器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵...

原標(biāo)題：IGBT功率模塊如何選擇？在說IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個有MOSGate的BJT晶體管，可以簡單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導(dǎo)電，而BJT是兩種載流子導(dǎo)電，所以BJT的驅(qū)動電流會比MOSFET大，但是MOSFET的控制級柵極是靠場效應(yīng)反型來控制的，沒有額外的控制端功率損耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點組合起來的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗...

Thresholdvoltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變...發(fā)表于2017-11-2717:18?935次閱讀怎么使用示波器抓取瞬態(tài)波形示波器是一種用途十分***的電子測量儀器。它能把肉眼看不見的電信號變換成看得見的圖像，便于人們研究各種...發(fā)表于2017-11-2710:54?1070次閱讀基于簡單功率跟蹤技術(shù)的射頻功率放大器效率優(yōu)化高數(shù)據(jù)速率的需求推動著移動通信系統(tǒng)從2G向3G遷移。這些系統(tǒng)中更高的數(shù)據(jù)速率為移動電話射頻設(shè)...發(fā)表于2017-11-2513:58?181次閱讀降低SDR功耗的整體設(shè)計方案傳統(tǒng)上，降低軟件無線電(SDR)硬件的功耗一...

我國的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計+代工”模式，即由設(shè)計公司提出芯片設(shè)計方案，由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設(shè)計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進的工藝設(shè)備，這些都是我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿...

本文介紹了如何實現(xiàn)具有較大信號輸出的硅應(yīng)變計...發(fā)表于2017-06-0714:12?518次閱讀負(fù)反饋電阻在運放電路中有什么作用？射頻電阻并聯(lián)同...在射頻和微波頻段使用的高功率電阻，大多數(shù)使用在Wilkinson功分器或者合路器產(chǎn)品中。為得到**好的...發(fā)表于2017-06-0709:01?1724次閱讀什么是泄漏電阻？泄漏電流的原因個絕緣電阻有關(guān)系嗎...通過絕緣體，導(dǎo)體或地線的電流很少（微安）。如果絕緣劣化會出現(xiàn)電流增加或吸收電流消失后有電流增加。（參...發(fā)表于2017-06-0617:17?2236次閱讀**電阻標(biāo)準(zhǔn)衡量值，電阻和電壓之間的交互關(guān)系我現(xiàn)在知道的是：金屬導(dǎo)...

賽米控IGBT模塊命名規(guī)律賽米控型號數(shù)字字母含義作者：微葉科技時間：2015-07-1411:04如型號SKM100GB123DL為了區(qū)分和更好的對比我們把該型號分為八個單元—***單元“SK”，第二單元“M”，第三單元“D”，第四單元“G”，第五單元“B”，第六單元“12”，第七單元“3”，第八單元“D”和“L”。***單元：SK表示SEMIKRON元件。第二單元：M表示:MOS技術(shù)。D表示七單元模塊（三相整流橋加IGBT斬波器）第三單元：“100”表示集電路電流等級（Tcase=25℃時的Ic/A）。第四單元：“G”表示IGBT開關(guān)。第五單元：“A”表示單只開關(guān)?！癆L”表示斬波器...

○故障報警輸出功能。（外接蜂鳴器和指示燈）○急停功能。○溫控保護功能?！鹁哂虚_環(huán)、恒電流、恒電壓三種控制模式，應(yīng)用于不同的場合。○一體化結(jié)構(gòu)：集電源、同步變壓器、觸發(fā)控制電路、脈沖變壓器于一體。結(jié)構(gòu)緊奏，調(diào)試容易，接線簡單。三、主要技術(shù)指標(biāo)及使用輸入信號：4-20mA（通過P1跳線選擇短接S1）DC0-5V（通過P1跳線選擇短接S2）DC0-10V（通過P1跳線選擇短接S3）10K電位器（手動調(diào)節(jié)時）輸出規(guī)格：三相或三相兩路觸發(fā)0-100％輸出量。移相范圍：0-180。觸發(fā)容量：≤4000A可控硅（晶閘管）。指示功能：PW¤電源指示QX¤缺相指示GLGY¤過流過壓故障指示電源使用：AC...