我國(guó)的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計(jì)、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計(jì)+代工”模式，即由設(shè)計(jì)公司提出芯片設(shè)計(jì)方案，由國(guó)內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒(méi)有**的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設(shè)計(jì)生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備，這些都是我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中急需解決的問(wèn)題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類(lèi)型，在改善IGBT的開(kāi)關(guān)性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設(shè)計(jì)在工藝上實(shí)現(xiàn)卻有相當(dāng)大的難度。尤其是薄片工藝和背面工藝。工藝上正面的絕緣鈍化，背面的減薄國(guó)內(nèi)的做的都不是很好。低溫藥芯錫絲薄片工藝，特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要減薄到200-100um，甚至到80um，現(xiàn)在國(guó)內(nèi)可以將晶圓減薄到175um，再低就沒(méi)有能力了。比如在100~200um的量級(jí)，當(dāng)硅片磨薄到如此地步后，后續(xù)的加工處理就比較困難了。聚苯硫醚PPS是一種白色、堅(jiān)硬的聚合物類(lèi)。海南加工模塊
Thresholdvoltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變...發(fā)表于2017-11-2717:18?935次閱讀怎么使用示波器抓取瞬態(tài)波形示波器是一種用途十分***的電子測(cè)量?jī)x器。它能把肉眼看不見(jiàn)的電信號(hào)變換成看得見(jiàn)的圖像，便于人們研究各種...發(fā)表于2017-11-2710:54?1070次閱讀基于簡(jiǎn)單功率跟蹤技術(shù)的射頻功率放大器效率優(yōu)化高數(shù)據(jù)速率的需求推動(dòng)著移動(dòng)通信系統(tǒng)從2G向3G遷移。這些系統(tǒng)中更高的數(shù)據(jù)速率為移動(dòng)電話射頻設(shè)...發(fā)表于2017-11-2513:58?181次閱讀降低SDR功耗的整體設(shè)計(jì)方案?jìng)鹘y(tǒng)上，降低軟件無(wú)線電(SDR)硬件的功耗一直是我們工作的重點(diǎn)，但是，顯而易見(jiàn)軟件也有重要影響，因此...發(fā)表于2017-11-2118:59?164次閱讀I/O端口的電壓等級(jí)詳解1.電壓等級(jí)概述數(shù)字設(shè)備需要在規(guī)定的電壓等級(jí)下才能進(jìn)行的正常信號(hào)采集和生成操作。數(shù)字I/O設(shè)備...發(fā)表于2017-11-1616:33?257次閱讀電動(dòng)勢(shì)和電壓的方向電動(dòng)勢(shì)是表示電源特征的一個(gè)物理量，電源中非靜電力對(duì)電荷作功的能力稱(chēng)為電動(dòng)勢(shì)，在數(shù)值上等于非靜電力把單...發(fā)表于2017-11-0616:28?295次閱讀變壓器輸出功率怎么算變壓器設(shè)計(jì)和計(jì)算是比較復(fù)雜的，小型和大型的計(jì)算不一樣，硅鋼片質(zhì)量好壞也不一樣。河北貿(mào)易模塊品牌新能源汽車(chē)的成本構(gòu)成中，動(dòng)力電池占比比較高，其次則是IGBT。
KY3-B2型可控硅移相觸發(fā)板一、概述KY3-B2型三相閉環(huán)觸發(fā)器是引進(jìn)國(guó)外**的**可控硅移相觸發(fā)集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱(chēng)性和穩(wěn)定性，不隨環(huán)境溫度變化，無(wú)相序要求。內(nèi)含完整的缺相、過(guò)流、過(guò)熱等故障保護(hù)功能；具有高精度、功能完善、使用簡(jiǎn)單可靠、易調(diào)試、抗干擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。它可***的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。其主要應(yīng)用于大功率電源、高頻設(shè)備交直流調(diào)壓、鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制及各種工業(yè)爐；整流變壓器、調(diào)工機(jī)、電爐變壓器一次側(cè)、充磁退磁調(diào)節(jié)、直流電機(jī)調(diào)速控制、電機(jī)軟啟動(dòng)節(jié)能裝置；以鎳、鐵鉻、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等加熱元件的溫度控制等等。二、性能特點(diǎn)○無(wú)相序要求限制，可用于電源為220V與380V電源頻率50/60Hz電網(wǎng)。○能與國(guó)內(nèi)外各種控制儀表（溫控儀）、微機(jī)的輸出信號(hào)直接接口?！疬m用于阻性負(fù)載、感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)等各種負(fù)載類(lèi)型?！鹁哂熊泦?dòng)軟停止功能，減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊干擾，使主電路更加安全可靠。○驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，每路可以輸出800毫安的電流，可以驅(qū)動(dòng)4000A可控硅?！鹁哂腥毕?、過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)功能。
降低本征JFET的影響，和使用元胞設(shè)計(jì)幾何圖形，從而達(dá)到以上的目標(biāo)。對(duì)兩種1200VNPTIGBT進(jìn)行比較：一種是其他公司的需負(fù)偏置關(guān)斷的器件，一種是IR公司的NPT單正向柵驅(qū)動(dòng)IRGP30B120KD-E。測(cè)試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56?下驅(qū)動(dòng)時(shí)，dV/dt感生電流很大。比較寄生電容的數(shù)據(jù)，IR器件的三種電容也有減?。狠斎腚娙荩珻IES減小25％輸出電容，COES減小35％反向傳輸電容，CRES減小68％圖4寄生電容比較圖5顯示出IR器件的減小電容與V的關(guān)系，得出的平滑曲線是由于減小了JFET的影響。當(dāng)V＝0V時(shí)，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器件的C為1100pF，IRGP30B120KD-E只有350pF，當(dāng)VCE＝30V時(shí)，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器件的C為170pF，IRGP30B120KD-E的CRES為78pF。很明顯，IRGP30B120KD-E具有非常低的C，因此在相同的dV/dt條件下dV/dt感生電流將非常小。圖5IRGP30B120KD-E寄生電容與VCE的關(guān)系圖6的電路用來(lái)比較測(cè)試兩種器件的電路性能。兩者的dV/dt感生電流波形也在相同的dV/dt值下得出。圖6dV/dt感生開(kāi)通電流的測(cè)試電路測(cè)試條件：電壓率，dV/dt=直流電壓，Vbus=600V外部柵到發(fā)射極電阻Rg=56?環(huán)境溫度。電力變換器、電力控制器、電力調(diào)節(jié)器、電力變換器、電力控制器、電力調(diào)節(jié)器、電力變換器、電力控制器等。
目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專(zhuān)為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便**為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。為了理解dV/dt感生開(kāi)通現(xiàn)象，我們必須考慮跟IGBT結(jié)構(gòu)有關(guān)的電容。圖1顯示了三個(gè)主要的IGBT寄生電容。集電極到發(fā)射極電容C，集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容CGE。圖1IGBT器件的寄生電容這些電容對(duì)橋式變換器設(shè)計(jì)是非常重要的，大部份的IGBT數(shù)據(jù)表中都給出這些參數(shù)：輸出電容，COES＝CCE＋CGC（CGE短路）輸入電容，CIES＝CGC＋CGE（CCE短路）反向傳輸電容，CRES＝CGC圖2半橋電路圖2給出了用于多數(shù)變換器設(shè)計(jì)中的典型半橋電路。集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容C組成了動(dòng)態(tài)分壓器。當(dāng)**IGBT（Q2）開(kāi)通時(shí)，低端IGBT（Q1）的發(fā)射極上的dV/dt會(huì)在其柵極上產(chǎn)生正電壓脈沖。對(duì)于任何IGBT。IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器。河北模塊平臺(tái)
IGBT模塊的優(yōu)點(diǎn)在于它可以提供高效的電力控制。海南加工模塊
線路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機(jī)器人要如何實(shí)現(xiàn)辨別不同物體？以看到KIR9008C對(duì)黑色材質(zhì)的識(shí)別距離為20mm，而對(duì)白色材質(zhì)的識(shí)別距離為70mm，這是因?yàn)榘咨?..發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個(gè)壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用？電位器變得更小、更簡(jiǎn)易、更精確，它的發(fā)展趨向小型化，高功效，***，低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-3008:56?285次閱讀青銅劍科技IGBT驅(qū)動(dòng)方案亮相英飛凌汽車(chē)電子季度...青銅劍科技與英飛凌深度合作，聯(lián)合開(kāi)發(fā)了多款功能強(qiáng)大、高可靠性的汽車(chē)級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng)，分別是基于英飛凌H...發(fā)表于2017-06-1611:58?482次閱讀電感繞線該怎樣設(shè)計(jì)，超前電流、電壓有什么區(qū)別？為了達(dá)到上述目的，在此電路中使用了2個(gè)反射光學(xué)傳感器。一個(gè)用作計(jì)數(shù)，另一個(gè)用來(lái)決定計(jì)數(shù)方向-往上...發(fā)表于2017-06-1509:21?457次閱讀電阻抗有何意義？氣敏電阻的應(yīng)用及其工作原理以SnO2氣敏元件為例，它是由**而成，這種晶體是作為N型半導(dǎo)體而工作的。海南加工模塊
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是一家集研發(fā)、制造、銷(xiāo)售為一體的****，公司位于昆山開(kāi)發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201，成立于2022-03-29。公司秉承著技術(shù)研發(fā)、客戶優(yōu)先的原則，為國(guó)內(nèi)IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器的產(chǎn)品發(fā)展添磚加瓦。主要經(jīng)營(yíng)IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等產(chǎn)品服務(wù)，現(xiàn)在公司擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，對(duì)于產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)要求極為嚴(yán)格，完全按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研發(fā)和生產(chǎn)。我們以客戶的需求為基礎(chǔ)，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和研發(fā)上面苦下功夫，一份份的不懈努力和付出，打造了英飛凌,西門(mén)康,艾賽斯,巴斯曼產(chǎn)品。我們從用戶角度，對(duì)每一款產(chǎn)品進(jìn)行多方面分析，對(duì)每一款產(chǎn)品都精心設(shè)計(jì)、精心制作和嚴(yán)格檢驗(yàn)。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司嚴(yán)格規(guī)范IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產(chǎn)品管理流程，確保公司產(chǎn)品質(zhì)量的可控可靠。公司擁有銷(xiāo)售/售后服務(wù)團(tuán)隊(duì)，分工明細(xì)，服務(wù)貼心，為廣大用戶提供滿意的服務(wù)。