或產(chǎn)...發(fā)表于2018-03-2216:39?492次閱讀鉗形萬用表怎么測電壓_鉗形萬用表的使用方法本文開始介紹了萬用表原理和萬用表的組成，其次詳細說明了鉗形萬用表測電壓的方法，**后介紹了鉗形萬用表使...發(fā)表于2018-03-2216:00?248次閱讀為什么回路電流走零線不走地線,零線地線原理是什么...我們再來看圖1。圖1中的中性線發(fā)生了斷裂，于是在斷裂點的前方，中性線的電壓依舊為零，但斷裂點的后方若...發(fā)表于2018-03-2215:02?260次閱讀基于熱路模型的充電機智能功率調(diào)節(jié)方法研究集中參數(shù)熱路模型通常將功率器件和散熱器視為整體，一般情況下功率器件熱阻遠小于散熱器...

發(fā)表于2018-01-0215:42?665次閱讀國產(chǎn)大功率IGBT驅(qū)動技術研究報告發(fā)表于2018-01-0215:00?327次閱讀純電感電路中電壓與電流的關系解析本文主要介紹了電感的概念與電感器的結(jié)構(gòu)，其次詳細的說明了在純電感電路中電壓與電流間的數(shù)量關系以及在交...發(fā)表于2017-12-2616:52?1515次閱讀電壓220v與380v的區(qū)別220V和380V的電壓有什么區(qū)別？本文為大家?guī)砭唧w介紹。發(fā)表于2017-12-2310:18?469次閱讀國家電網(wǎng)充電樁怎么用？國家電網(wǎng)充電樁功率多少？國家電網(wǎng)充電樁用法使用指南...國家電網(wǎng)充電樁功率交流充電樁一般是16A@220V（...

大中小燒IGBT或保險絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開全文一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序電流保險絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認下列其它零件是在正常狀態(tài)時才能進行更換，否則，IGBT和保險絲又會燒壞。1．目視電流保險絲是否燒斷2．檢測IGBT是否...一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序保險絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認下列其它零件是在正常狀態(tài)時才能進行更換，否則，IGBT和保險絲又會燒壞。這樣付出的代價就大了。1．檢查保險絲是否燒斷2．檢測IGBT是否擊穿：用萬用表二極管檔測量IGBT的“E”；“C”；“G”三極間是否擊穿短路。A：...

○故障報警輸出功能。（外接蜂鳴器和指示燈）○急停功能?！饻乜乇Ｗo功能?！鹁哂虚_環(huán)、恒電流、恒電壓三種控制模式，應用于不同的場合?！鹨惑w化結(jié)構(gòu)：集電源、同步變壓器、觸發(fā)控制電路、脈沖變壓器于一體。結(jié)構(gòu)緊奏，調(diào)試容易，接線簡單。三、主要技術指標及使用輸入信號：4-20mA（通過P1跳線選擇短接S1）DC0-5V（通過P1跳線選擇短接S2）DC0-10V（通過P1跳線選擇短接S3）10K電位器（手動調(diào)節(jié)時）輸出規(guī)格：三相或三相兩路觸發(fā)0-100％輸出量。移相范圍：0-180。觸發(fā)容量：≤4000A可控硅（晶閘管）。指示功能：PW¤電源指示QX¤缺相指示GLGY¤過流過壓故障指示電源使用：AC...

2013年2月，賽米控公司正式推出全國**式電磁油煙凈化一體機。2012年5月，賽米控公司正式加入廣東省酒店用品行業(yè)協(xié)會。2012年4月，賽米控公司正式加入順德民營企業(yè)投資商會理事會。2012年3月，賽米控公司投資控股佛山市順德區(qū)智械智能設備有限公司和佛山市順德區(qū)智熱電子科技有限公司。2012年3月，賽米控公司成立**永豐賽米控電子科技有限公司支部。2011年9月，賽米控公司在全國同行業(yè)中**推出美食和美器相結(jié)合的節(jié)能低碳廚房體驗廳開業(yè)。2011年2月，賽米控公司聯(lián)合阿里巴巴建立專業(yè)的外貿(mào)團隊，同年9月份出口西班牙大型電磁搖鍋。2010年12月，賽米控合資公司----石家莊晟歐電子科技...

***，市場發(fā)展的趨勢要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動力?，F(xiàn)在這些模塊有了一個全新的設計結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級了的彈簧壓接技術，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術鑒于工業(yè)應用中對功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半導體制造商正不斷努力開發(fā)新模塊，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時成本也低。新模塊中，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點提供。機械設計方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了，使得輸出電流大，并增強了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進，新SEMI...

該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應用端對器件的開關特性需求，可以對第二氧化層22的厚度進行調(diào)節(jié)；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3，保留非溝道區(qū)的光刻膠3，從而保護溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第二氧化層22不被蝕刻；s105：對第二氧化層22進行蝕刻(如圖5f所示)，然后去除溝槽內(nèi)非溝道區(qū)保留的光刻膠3(如圖5g所示)；s106：在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(如圖5h所示)；s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示)，然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示)。需要說明的是，本實施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒有新增光刻流程，...

本實用新型涉及半導體領域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術：igbt隨著結(jié)構(gòu)設計和工藝技術的升級，主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示)，現(xiàn)有技術中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示，先在半導體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來的結(jié)電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應用于高頻場景...

死區(qū)電路的作用是：實現(xiàn)上下管驅(qū)動信號有一定的時間間隔td，例如上管驅(qū)動信號關閉后，需要等待td延時后才能開通下管驅(qū)動信號；互鎖電路的作用是：上下管驅(qū)動信號不能同時為有效，避免產(chǎn)生上下管驅(qū)動直通信號；保護電路的作用是：當副邊出現(xiàn)故障信號是，保護電路能夠同時關閉上下管驅(qū)動信號。15v電源輸入濾波電路的作用是：對輸入15v電源進行濾波，維持15v電源的穩(wěn)定并且降低emc干擾。dc/dc電路的的作用是：15v電源高頻脈寬調(diào)制dc/dc。隔離電路包括：驅(qū)動光耦、反饋光耦和隔離變壓器。驅(qū)動光耦的作用是：傳遞原邊驅(qū)動信號給副邊電路，電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè)。反饋光耦的作用是：傳遞副邊故障信號給...

“鋰離子動力電池有...發(fā)表于2018-01-3008:27?5358次閱讀電磁爐igbt驅(qū)動電路圖絕緣柵雙極晶體管IGBT安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應管MOSFET的優(yōu)點于一...發(fā)表于2018-01-2614:35?716次閱讀并聯(lián)型功率優(yōu)化方法的原理和適用條件，并用單開關拓...傳統(tǒng)方案大多針對組串及組件失配問題，將每個光伏組件的輸出經(jīng)過變換器**的**大功率跟蹤后再串聯(lián)加以解決...發(fā)表于2018-01-2516:10?461次閱讀超級電容在峰值負載時的電壓穩(wěn)定化，有效支持了可穿...村田的超級電容在峰值負載時的電源電壓穩(wěn)定化，有效支持了可穿戴終端以外很多設備。例...

發(fā)表于2018-01-0215:42?665次閱讀國產(chǎn)大功率IGBT驅(qū)動技術研究報告發(fā)表于2018-01-0215:00?327次閱讀純電感電路中電壓與電流的關系解析本文主要介紹了電感的概念與電感器的結(jié)構(gòu)，其次詳細的說明了在純電感電路中電壓與電流間的數(shù)量關系以及在交...發(fā)表于2017-12-2616:52?1515次閱讀電壓220v與380v的區(qū)別220V和380V的電壓有什么區(qū)別？本文為大家?guī)砭唧w介紹。發(fā)表于2017-12-2310:18?469次閱讀國家電網(wǎng)充電樁怎么用？國家電網(wǎng)充電樁功率多少？國家電網(wǎng)充電樁用法使用指南...國家電網(wǎng)充電樁功率交流充電樁一般是16A@220V（...

GSM系統(tǒng)規(guī)范對手機發(fā)射功率的精度、平坦度、發(fā)射頻譜純度以及帶外雜散信...發(fā)表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脈沖幅度調(diào)制）縮寫，是按一定規(guī)律改變...發(fā)表于2017-12-1113:33?2402次閱讀基于TL494的12V直流電壓轉(zhuǎn)變220V逆變電...目前所有的雙端輸出驅(qū)動IC中，可以說美國德克薩斯儀器公司開發(fā)的TL494功能**完善、驅(qū)動能力**強，其...發(fā)表于2017-12-0515:18?648次閱讀基于LTC3115-1的手持式設備、工業(yè)儀表和汽...手持式設...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動電路阻抗和dV/dt的實際數(shù)值有直接關系。IGBT本身的設計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因為此時集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關斷時采用柵極負偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅(qū)動電路會更復雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關斷而設計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

降低本征JFET的影響，和使用元胞設計幾何圖形，從而達到以上的目標。對兩種1200VNPTIGBT進行比較：一種是其他公司的需負偏置關斷的器件，一種是IR公司的NPT單正向柵驅(qū)動IRGP30B120KD-E。測試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56?下驅(qū)動時，dV/dt感生電流很大。比較寄生電容的數(shù)據(jù)，IR器件的三種電容也有減?。狠斎腚娙?，CIES減小25％輸出電容，COES減小35％反向傳輸電容，CRES減小68％圖4寄生電容比較圖5顯示出IR器件的減小電容與V的關系，得出的平滑曲線是由于減小了JFET的影響。當V＝0V時，負偏置柵驅(qū)動器件的C為1100pF，IRGP30B120KD...

發(fā)表于2018-04-0311:03?147次閱讀電壓與電壓降是一個概念嗎?有什么區(qū)別嗎本文開始介紹了電壓的分類和電壓的作用，其次介紹了電壓降的相關概念和電壓降產(chǎn)生的原因，**后分析了電壓與...發(fā)表于2018-04-0309:00?154次閱讀***表使用中必須掌握的14個小技巧能讓你事半功倍我們都知道萬用表是電力作業(yè)人員工作中不可缺少的常用維修工具，正確的使用萬用表不僅能讓我們的工作事半功發(fā)表于2018-04-0308:42?184次閱讀開關電源傳導、輻射處理案例，通過整改調(diào)整Layo...注：在**初的設計中，預留電感L1、L2，CBB電容C1、C2作為傳導測試元件，預留磁珠FB...

死區(qū)電路的作用是：實現(xiàn)上下管驅(qū)動信號有一定的時間間隔td，例如上管驅(qū)動信號關閉后，需要等待td延時后才能開通下管驅(qū)動信號；互鎖電路的作用是：上下管驅(qū)動信號不能同時為有效，避免產(chǎn)生上下管驅(qū)動直通信號；保護電路的作用是：當副邊出現(xiàn)故障信號是，保護電路能夠同時關閉上下管驅(qū)動信號。15v電源輸入濾波電路的作用是：對輸入15v電源進行濾波，維持15v電源的穩(wěn)定并且降低emc干擾。dc/dc電路的的作用是：15v電源高頻脈寬調(diào)制dc/dc。隔離電路包括：驅(qū)動光耦、反饋光耦和隔離變壓器。驅(qū)動光耦的作用是：傳遞原邊驅(qū)動信號給副邊電路，電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè)。反饋光耦的作用是：傳遞副邊故障信號給...

目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅(qū)動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動器便**為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負偏置柵驅(qū)動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結(jié)果。為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟IGBT結(jié)構(gòu)有關的電容。圖1顯示了三個主要的IGBT寄生電容。集電極到發(fā)射極電容C，集電極到柵...

發(fā)表于2018-01-0215:42?665次閱讀國產(chǎn)大功率IGBT驅(qū)動技術研究報告發(fā)表于2018-01-0215:00?327次閱讀純電感電路中電壓與電流的關系解析本文主要介紹了電感的概念與電感器的結(jié)構(gòu)，其次詳細的說明了在純電感電路中電壓與電流間的數(shù)量關系以及在交...發(fā)表于2017-12-2616:52?1515次閱讀電壓220v與380v的區(qū)別220V和380V的電壓有什么區(qū)別？本文為大家?guī)砭唧w介紹。發(fā)表于2017-12-2310:18?469次閱讀國家電網(wǎng)充電樁怎么用？國家電網(wǎng)充電樁功率多少？國家電網(wǎng)充電樁用法使用指南...國家電網(wǎng)充電樁功率交流充電樁一般是16A@220V（...

是一種非常直觀...發(fā)表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯(lián)網(wǎng)未來發(fā)聲——物聯(lián)網(wǎng)微功率頻譜應用研討會***上午，來自全國各地及海外的一百多家物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)企業(yè)、用戶單位和科研機構(gòu)**齊聚北京，共同參與了“為...發(fā)表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區(qū)別功率是指物體在單位時間內(nèi)所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定，時間越短，功率值...發(fā)表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護_電解電容浪涌電壓措施在電子設計中，浪涌主要指的是電源（只是主要指電源）剛開通的那一瞬息產(chǎn)生的強力脈沖，由于電路...

從而使得本實施例可應用與高頻場景。本說明書中的“半導體襯底表面內(nèi)”是指由半導體襯底表面向下延伸的一定深度的區(qū)域，該區(qū)域?qū)儆诎雽w襯底的一部分。其中，半導體襯底可以包括半導體元素，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺，也可以包括混合的半導體結(jié)構(gòu)，例如碳化硅、合金半導體或其組合，在此不做限定。在本實施例中的半導體襯底推薦采用硅襯底，在本實施例中以n型襯底為例進行說明。推薦地，***氧化層21厚度為1000-1200a。推薦地，第二氧化層22厚度為3000-5000a。進一步地，兩個所述溝槽柵結(jié)構(gòu)之間設置有***摻雜區(qū)，所述***摻雜區(qū)的摻雜類型與所述半導體襯底的類型相反，***摻雜區(qū)為pw導...

在...發(fā)表于2017-06-1217:28?875次閱讀電阻電容標準值取值法則及電阻的技術范疇和常見特性如E6系列的公比為6√10≈，系列的***個量取，接下來的量為上臨的量乘以公比值6√10...發(fā)表于2017-06-0914:45?504次閱讀基礎知識：伏安法如何取電阻值及電阻色環(huán)的取值標準拿到色環(huán)電阻要把**靠近電阻端部的那一環(huán)認為***環(huán)，否則會讀反，如三個環(huán)分別是紅橙黃，正確讀是2300...發(fā)表于2017-06-0817:15?479次閱讀絕緣電阻該如何測量功率？如何使用兆歐表測量絕緣電...兆歐表的接線柱共有三個：一個為“L”即線端，一個“E”即為地端，再一個“G”即屏...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動電路阻抗和dV/dt的實際數(shù)值有直接關系。IGBT本身的設計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因為此時集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關斷時采用柵極負偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅(qū)動電路會更復雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關斷而設計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

2013年2月，賽米控公司正式推出全國**式電磁油煙凈化一體機。2012年5月，賽米控公司正式加入廣東省酒店用品行業(yè)協(xié)會。2012年4月，賽米控公司正式加入順德民營企業(yè)投資商會理事會。2012年3月，賽米控公司投資控股佛山市順德區(qū)智械智能設備有限公司和佛山市順德區(qū)智熱電子科技有限公司。2012年3月，賽米控公司成立**永豐賽米控電子科技有限公司支部。2011年9月，賽米控公司在全國同行業(yè)中**推出美食和美器相結(jié)合的節(jié)能低碳廚房體驗廳開業(yè)。2011年2月，賽米控公司聯(lián)合阿里巴巴建立專業(yè)的外貿(mào)團隊，同年9月份出口西班牙大型電磁搖鍋。2010年12月，賽米控合資公司----石家莊晟歐電子科技...

KY3-B2型可控硅移相觸發(fā)板一、概述KY3-B2型三相閉環(huán)觸發(fā)器是引進國外**的**可控硅移相觸發(fā)集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性和穩(wěn)定性，不隨環(huán)境溫度變化，無相序要求。內(nèi)含完整的缺相、過流、過熱等故障保護功能；具有高精度、功能完善、使用簡單可靠、易調(diào)試、抗干擾性強等優(yōu)點。它可***的應用于工業(yè)各領域的電壓電流調(diào)節(jié)，適用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。其主要應用于大功率電源、高頻設備交直流調(diào)壓、鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制及各種工業(yè)爐；整流變壓器、調(diào)工機、電爐變壓器一次側(cè)、充磁退磁調(diào)節(jié)、直流電機調(diào)速控制、電機軟啟動節(jié)能裝置；以鎳、鐵...

所述***氧化層厚度為1000-1200a。進一步地，所述第二氧化層厚度為3000-5000a。進一步地，兩個所述溝槽柵結(jié)構(gòu)之間設置有***摻雜區(qū)，所述***摻雜區(qū)的摻雜類型與所述半導體襯底的類型相反。進一步地，在所述***摻雜區(qū)的內(nèi)表面設置兩個第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型與***摻雜區(qū)的摻雜類型相反，兩個所述第二摻雜區(qū)分別設置在靠近兩個所述溝槽柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述***摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)與發(fā)射極金屬接觸。進一步地，所述半導體的底部還設置有緩沖層和集電極，所述集電極設置在比較低層。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果：本實用新型提供的溝槽柵igbt通過在溝槽內(nèi)設置兩種厚度氧化...

○故障報警輸出功能。（外接蜂鳴器和指示燈）○急停功能?！饻乜乇Ｗo功能?！鹁哂虚_環(huán)、恒電流、恒電壓三種控制模式，應用于不同的場合?！鹨惑w化結(jié)構(gòu)：集電源、同步變壓器、觸發(fā)控制電路、脈沖變壓器于一體。結(jié)構(gòu)緊奏，調(diào)試容易，接線簡單。三、主要技術指標及使用輸入信號：4-20mA（通過P1跳線選擇短接S1）DC0-5V（通過P1跳線選擇短接S2）DC0-10V（通過P1跳線選擇短接S3）10K電位器（手動調(diào)節(jié)時）輸出規(guī)格：三相或三相兩路觸發(fā)0-100％輸出量。移相范圍：0-180。觸發(fā)容量：≤4000A可控硅（晶閘管）。指示功能：PW¤電源指示QX¤缺相指示GLGY¤過流過壓故障指示電源使用：AC...

○故障報警輸出功能。（外接蜂鳴器和指示燈）○急停功能?！饻乜乇Ｗo功能?！鹁哂虚_環(huán)、恒電流、恒電壓三種控制模式，應用于不同的場合?！鹨惑w化結(jié)構(gòu)：集電源、同步變壓器、觸發(fā)控制電路、脈沖變壓器于一體。結(jié)構(gòu)緊奏，調(diào)試容易，接線簡單。三、主要技術指標及使用輸入信號：4-20mA（通過P1跳線選擇短接S1）DC0-5V（通過P1跳線選擇短接S2）DC0-10V（通過P1跳線選擇短接S3）10K電位器（手動調(diào)節(jié)時）輸出規(guī)格：三相或三相兩路觸發(fā)0-100％輸出量。移相范圍：0-180。觸發(fā)容量：≤4000A可控硅（晶閘管）。指示功能：PW¤電源指示QX¤缺相指示GLGY¤過流過壓故障指示電源使用：AC...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動電路阻抗和dV/dt的實際數(shù)值有直接關系。IGBT本身的設計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因為此時集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關斷時采用柵極負偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅(qū)動電路會更復雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關斷而設計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

賽米控IGBT模塊命名規(guī)律賽米控型號數(shù)字字母含義作者：微葉科技時間：2015-07-1411:04如型號SKM100GB123DL為了區(qū)分和更好的對比我們把該型號分為八個單元—***單元“SK”，第二單元“M”，第三單元“D”，第四單元“G”，第五單元“B”，第六單元“12”，第七單元“3”，第八單元“D”和“L”。***單元：SK表示SEMIKRON元件。第二單元：M表示:MOS技術。D表示七單元模塊（三相整流橋加IGBT斬波器）第三單元：“100”表示集電路電流等級（Tcase=25℃時的Ic/A）。第四單元：“G”表示IGBT開關。第五單元：“A”表示單只開關?！癆L”表示斬波器...

通過電阻和igbt模塊導通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測故障，vce-sat檢測被禁止，該狀態(tài)下不檢測vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關斷電壓;下管vce-sat檢測電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路:當驅(qū)動信號drv_l為高電平（15v）時，通過電阻和igbt模塊導通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號vce_h，r6和r7構(gòu)成分壓電路(通過r6和r7設定保護值)，比較信號comp_h，通過vce_h與comp_h的比較實現(xiàn)vce飽和壓降的檢測，并輸出故障信號fault_h：當vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態(tài)；當...