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pco.edge 4.2 bi UV用于薄膜分析
（文獻(xiàn)部分內(nèi)容摘抄）
橢圓偏振光譜法是一種無(wú)損的光學(xué)表面表征技術(shù)。它通過(guò)以傾斜入射角度照射偏振電磁輻射來(lái)探測(cè)樣品，光子能量通常在電磁波譜的紫外部分到紅外部分之間。橢圓偏振光譜一般檢測(cè)探測(cè)光束的偏振橢圓的任何變化--因此得名“橢圓偏振光譜”，這種變化可能發(fā)生在探測(cè)光束從樣品表面反射時(shí)。這種變化幾乎是由覆蓋樣品表面的任何薄膜引入的，因此，橢圓偏振光譜的主要應(yīng)用之一是確定薄膜的厚度，范圍通常在0.1nm到20 um之間。
特別是成像橢偏儀將傳統(tǒng)的橢偏儀與光學(xué)顯微鏡相結(jié)合，從而使橢偏儀研究的橫向分辨率降至1um。因此，它非常適合于研究結(jié)構(gòu)化或非常小的樣品，如二維材料的MEMs、FETs、生物芯片或薄片。
近年來(lái)，人們對(duì)使用寬帶隙半導(dǎo)體如碳化硅(Sic)、氮化(GaN)等的高功率電子學(xué)越來(lái)越感興趣。為了表征這些材料，重要的是要用光子能量高于材料帶隙的電磁輻射探測(cè)樣品。由于較短波長(zhǎng)具有較高的光子能量，因此比較好在盡可能短的波長(zhǎng)下進(jìn)行橢偏研究。
作為成像橢偏儀的一些的生產(chǎn)商已經(jīng)使用CCD和CMOS相機(jī)技術(shù)超過(guò)20年。關(guān)于紫外線范圍，到目前為止，他們的產(chǎn)品由于缺乏適當(dāng)?shù)?、科學(xué)級(jí)的、高靈敏度、低噪聲的探測(cè)器而受到限制，因此只能使用下述方法進(jìn)行250 nm以下的研究精密的背照式小型CMOS相機(jī)。
隨著pco.edge 4.2 bi UV的出現(xiàn)，edge 4.2紫外線相機(jī)完全改變了這種情況。作為一種低光照應(yīng)用，成像橢偏儀尤其受益于sCMOS技術(shù)的超高靈敏度和極低的噪聲水平。結(jié)合事實(shí)上，pco.edge 4.2 bi UV紫外線額外的特點(diǎn)一個(gè)非常好的響應(yīng)在紫外光譜的光，這次，有可能建立一個(gè)成像橢球儀的工作在190 nm至1000 nm的波長(zhǎng)范圍。
成像橢偏儀 EP4是一個(gè)模塊化設(shè)備，可配備多種光源、探測(cè)器和樣品處理系統(tǒng)?？梢詫?duì)小樣本以及直徑達(dá)300毫米的硅片進(jìn)行研究。
德國(guó)/ Excelitas PCO 公司的pco.edge 4.2 bi UV相機(jī)，具備超高靈敏度、極低的噪聲水平、光譜響應(yīng)敏捷的優(yōu)點(diǎn)，將紫外實(shí)驗(yàn)過(guò)程完美記錄，為實(shí)驗(yàn)提供強(qiáng)而有力的圖像數(shù)據(jù)支持。
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