圖9-403只普通二極管構(gòu)成的簡易直流穩(wěn)壓電路1．電路分析思路說明分析一個(gè)從沒有見過的電路工作原理是困難的，對基礎(chǔ)知識(shí)不全的初學(xué)者而言就更加困難了。關(guān)于這一電路的分析思路主要說明如下。1）從電路中可以看出3只二極管串聯(lián)，根據(jù)串聯(lián)電路特性可知，這3只...

熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點(diǎn)和高熔點(diǎn)兩類。低熔點(diǎn)材料如鉛和鉛合金，其熔點(diǎn)低容易熔斷，由于其電阻率較大，故制成熔體的截面尺寸較大，熔斷時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸...

如上所述，本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，具有以下有益效果：本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路通過一個(gè)引線框架封裝在同一個(gè)塑封體中，以此減小封裝成本。附圖說明圖1顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)...

大多數(shù)的整流全橋上均標(biāo)注有“+”、“一”、“～”符號(hào)(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負(fù)極，兩個(gè)“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時(shí)，可通過分別測量“+”極與兩個(gè)“～”極、“一”極與兩個(gè)“～”之間各整流二極管的正...

1)、整流橋殼體表面散熱熱阻a)整流橋正面殼體的散熱熱阻:同不帶散熱器的強(qiáng)迫風(fēng)冷一樣:b)整流橋背面殼體的散熱熱阻:假設(shè)忽約整流橋與殼體的接觸熱阻，則:;選擇散熱器與環(huán)境間熱阻的典型值為:于是:則整流橋通過殼體表面散熱的總熱阻為:2)、流橋通過引腳...

從前面對整流橋帶散熱器來實(shí)現(xiàn)其散熱過程的分析中可以看出，整流橋主要的損耗是通過其背面的散熱器來散發(fā)的，因此在此討論整流橋殼溫如何確定時(shí)，就忽約其通過引腳的傳熱量?，F(xiàn)結(jié)合RS2501M整流橋在110VAC電源模塊上應(yīng)用的損耗(大為)來分析。假設(shè)整流橋...

單向晶閘管主要有3CT系列和KP系列，雙向晶閘管主要有3CTS系列和KS系列，高頻晶閘管主要有KK系列。晶體閘流管具有3個(gè)引腳。單向晶閘管的3個(gè)引腳分別是陽極A、陰極K和控制極G，常見單向晶閘管的引腳如圖4-44所示，使用中應(yīng)注意識(shí)別，不要搞錯(cuò)。雙...

可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電...

大多數(shù)的整流全橋上均標(biāo)注有“+”、“一”、“～”符號(hào)(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負(fù)極，兩個(gè)“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時(shí)，可通過分別測量“+”極與兩個(gè)“～”極、“一”極與兩個(gè)“～”之間各整流二極管的正...

假設(shè)其PCB板的實(shí)際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍，則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故，通過整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過殼體表面自然對流冷卻進(jìn)行散熱的熱阻()是通過引腳進(jìn)行散熱這種散熱途徑的熱阻()的...

輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角...

整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導(dǎo)致整流橋損壞的原因有以下5個(gè)原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發(fā)不出來。2、負(fù)載短路，絕緣不好，負(fù)荷電...

生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻（Rja）和當(dāng)元器件自帶一散熱器，通過散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻（Rjc）。2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1、鋁基導(dǎo)熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道，并作為整個(gè)模塊的...

MOS管和IGBT管作為開關(guān)元件，在電子電路中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們在外形及特性參數(shù)上也比較相似，相信有不少人會(huì)疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管，而有的卻需要用到IGBT管？它們之間有何區(qū)別呢？接下來冠華偉業(yè)為你解惑！何為MOS管？MOS管即MOSFET...

以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島；其中，所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過基島或引線連接...

整流橋模塊作為一種功率元器件，廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過二極管的單向?qū)üδ?，把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)...

2)雙向晶閘管工作原理雙向晶閘管可以等效為兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)，如圖4-47所示。雙向晶閘管可以控制雙向?qū)?，因此除控制極G外的另兩個(gè)電極不再分陽極、陰極，而稱之為主電極T1、T2。當(dāng)有觸發(fā)電壓加至控制極G時(shí)，雙向晶閘管導(dǎo)通，井在觸發(fā)電壓消失后仍...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semicondu...

區(qū)域302和壁分離短距離d，其推薦地小于10nm，例如小于7nm。每個(gè)結(jié)構(gòu)30進(jìn)一步包括在溝槽中比區(qū)域302更低地延伸的電傳導(dǎo)區(qū)域306。在圖1所示的示例中，區(qū)域306從區(qū)域302延伸。換言之，區(qū)域302和306是單件。區(qū)域306例如位于比區(qū)域30...

這部分在定義當(dāng)中沒有被提及的原因在于它實(shí)際上是個(gè)npnp的寄生晶閘管結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)對IGBT來說是個(gè)不希望存在的結(jié)構(gòu)，因?yàn)榧纳чl管在一定的條件下會(huì)發(fā)生閂鎖，讓IGBT失去柵控能力，這樣IGBT將無法自行關(guān)斷，從而導(dǎo)致IGBT的損壞。具體原理在這里...

這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點(diǎn)，F(xiàn)RED芯片采用...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上一款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和控制極；晶閘管具有硅整...

所述功率開關(guān)管可通過所述信號(hào)地基島14及所述信號(hào)地管腳gnd實(shí)現(xiàn)散熱。需要說明的是，所述控制芯片12可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上。當(dāng)設(shè)置于所述信號(hào)地基島14上時(shí)所述控制芯片12的襯底與所述信號(hào)地基島14電連接，散熱效果好。當(dāng)設(shè)置于其他基島上時(shí)所...

晶閘管智能模塊編輯鎖定討論本詞條缺少概述圖，補(bǔ)充相關(guān)內(nèi)容使詞條更完整，還能快速升級(jí)，趕緊來編輯吧！晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對稱性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低，效率高等適用溫度-...

逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車和地鐵機(jī)車為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動(dòng)和加速。開關(guān)體積大、壽命短，而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大（減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上）等缺點(diǎn)。自有了逆導(dǎo)晶閘管，采用了...

通常選用具有較高分?jǐn)嗄芰Φ腞M10和RL1系列的熔斷器；當(dāng)短路電流很大時(shí)，宜采用具有限流作用的RT0和RTl2系列的熔斷器熔體的額定電流可按以下方法選擇：1）保護(hù)無起動(dòng)過程的平穩(wěn)負(fù)載如照明線路、電阻、電爐等時(shí)，熔體額定電流略大于或等于負(fù)荷電路中的額...

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽極和陰極...

確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；2、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4、...

使模塊具有有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù)，并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠，并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂，這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可...

n型二極管的下層為n型摻雜區(qū)，上層為p型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁；第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管，p型二極管的下層為p型摻雜區(qū)，上層為n型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負(fù)極(金屬銀層)...