由于LC并聯(lián)諧振電路中的電容不同，一種情況只有C1，另一種情況是C1與C2并聯(lián)，在電容量不同的情況下LC并聯(lián)諧振電路的諧振頻率不同。所以，VD1在電路中的真正作用是控制LC并聯(lián)諧振電路的諧振頻率。關(guān)于二極管電子開關(guān)電路分析細(xì)節(jié)說明下列二點(diǎn)：1）當(dāng)電...

目錄1整流橋模塊的原理2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)3整流橋模塊的優(yōu)點(diǎn)4整流橋模塊的分類展開1整流橋模塊的原理其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過二極管...

產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000...

MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。總的來說，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率...

2)雙向晶閘管工作原理雙向晶閘管可以等效為兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)，如圖4-47所示。雙向晶閘管可以控制雙向?qū)?，因此除控制極G外的另兩個(gè)電極不再分陽極、陰極，而稱之為主電極T1、T2。當(dāng)有觸發(fā)電壓加至控制極G時(shí)，雙向晶閘管導(dǎo)通，井在觸發(fā)電壓消失后仍...

又保證電動(dòng)機(jī)正常起動(dòng)，對(duì)籠型感應(yīng)電動(dòng)機(jī)其熔斷器的作用熔體的額定電流為：單臺(tái)電動(dòng)機(jī)INP=（）INM（1-6）式中，INP為熔體額定電流（A）；INM為電動(dòng)機(jī)額定電流（A）。多臺(tái)電動(dòng)機(jī)共用一個(gè)熔斷器的作用保護(hù)INP=（）INMmax+∑INM（1-7...

熔斷器起什么保護(hù)作用?熔斷器的作用熔斷器是一種結(jié)構(gòu)簡單，卻十分有效的保護(hù)保護(hù)。它串接在線路中，當(dāng)電路嚴(yán)重過載或發(fā)生短路故障時(shí)熔體熔化，分?jǐn)嚯娐?，保護(hù)其他電器電器的。。熔斷器其實(shí)就是一種短路保護(hù)器，用于配電系統(tǒng)喝控制系統(tǒng)，主要進(jìn)行短路保護(hù)保護(hù)嚴(yán)重過載...

一、螺旋式熔斷器有哪些特性？旋式熔斷器的熔斷管內(nèi)裝有石類砂，熔體理于其中，熔體熔斷時(shí)，電弧噴向石英砂及其縫隙可迅速降溫而熄滅。為了便于監(jiān)視，斷器一端裝有色點(diǎn)，不同的顏色表不同的體電流，體斷時(shí)，色點(diǎn)跳出，示意縮體已斷，其額定電流為5~200A，主要用...

外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能...

圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）。開通...

并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電...

盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超...

溫敏二極管PN結(jié)的壓降是溫度的函數(shù)，溫度每升高一度，溫敏二極管PN結(jié)正向壓降下降2mV。用于測溫電路。精密二極管簡稱PD，精密二極管是一種具有穩(wěn)定電壓和穩(wěn)定電流的高精度二極管。它的工作溫度寬，線性好，穩(wěn)定性非常高。常用于各種電子路中的恒流源或恒壓源...

促使整流管加速老化，并被過早地?fù)舸p壞。（3）運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任，對(duì)外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至第二天上午6點(diǎn)之間)不了解，或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障，運(yùn)行人員沒有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理，產(chǎn)生過電壓而將整流管擊穿損壞。（4...

BUSSMANN熔斷器是庫柏工業(yè)生產(chǎn)的，庫柏工業(yè)1944列入標(biāo)準(zhǔn)普爾(S&P)指數(shù)庫柏工業(yè)于1944上市，現(xiàn)為紐約證券交易所上市公司中歷史悠久的之一，并被列入標(biāo)準(zhǔn)普爾(S&P)指數(shù)，公司2007年的營收達(dá)到58億美金，而其中約34%的銷售份額來自于...

英飛凌IGBT綜述：我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于幾乎所有應(yīng)用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊...

所產(chǎn)生的聲光被瓷盒擋住。管式熔斷器的熔體裝在熔斷體內(nèi)。然后插在支座或直接連在電路上使用。熔斷體是兩端套有金屬帽或帶有觸刀的完全密封的絕緣管。這種熔斷器的絕緣管內(nèi)若充以石英砂，則分?jǐn)嚯娏鲿r(shí)具有限流作用，可提高分?jǐn)嗄芰?故又稱作高分?jǐn)嗄芰θ蹟嗥?。若管?nèi)...

有無緩沖區(qū)決定了IGBT具有不同特性。有N*緩沖區(qū)的IGBT稱為非對(duì)稱型IGBT，也稱穿通型IGBT。它具有正向壓降小、犬?dāng)鄷r(shí)間短、關(guān)斷時(shí)尾部電流小等優(yōu)點(diǎn)，但其反向阻斷能力相對(duì)較弱。無N-緩沖區(qū)的IGBT稱為對(duì)稱型IGBT，也稱非穿通型IGBT。它...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-...

并在檢測電阻40上得到檢測信號(hào)。因此，這種將檢測電阻40通過引線直接與主工作區(qū)的源區(qū)金屬相接，可以避免主工作區(qū)的工作電流接地電壓對(duì)測試的影響。但是，這種方式得到的檢測電流曲線與工作電流曲線并不對(duì)應(yīng)，如圖4所示，得到的檢測電流與工作電流的比例關(guān)系不固...

有無緩沖區(qū)決定了IGBT具有不同特性。有N*緩沖區(qū)的IGBT稱為非對(duì)稱型IGBT，也稱穿通型IGBT。它具有正向壓降小、犬?dāng)鄷r(shí)間短、關(guān)斷時(shí)尾部電流小等優(yōu)點(diǎn)，但其反向阻斷能力相對(duì)較弱。無N-緩沖區(qū)的IGBT稱為對(duì)稱型IGBT，也稱非穿通型IGBT。它...

幾安到幾十安)，主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。二極管的導(dǎo)電特性二極管重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分?，電流只能從二極管的正極...

晶閘管等元件通過整流來實(shí)現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，...

首先可用在線盤處串接燈泡的辦法大致判斷一下主板驅(qū)動(dòng)等部分是否正常;2、接上線盤先開機(jī)試一下無鍋能否正常報(bào)警，若能則關(guān)機(jī)放上鍋具，采用幾次短時(shí)(1秒左右)開機(jī)試加熱后用手摸散熱板(注意拔掉插頭以防觸電)溫度，若溫升明顯則還有問題，需進(jìn)一步查找發(fā)熱原因...

常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何命名為"SS"?SCHOTTKY:取第1個(gè)字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的縮寫，意為：表面貼裝器件，取第1個(gè)字母"S",上面兩個(gè)詞組各取第1個(gè)字母、即為SS,電流小的肖...

二極管（Diode）電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（VaricapDiode）則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectif...

所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向?yàn)锽→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A...

輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角...

快速熔斷器的功能介紹及一分鐘選型熔斷器其實(shí)就是一種短路保護(hù)器，主要進(jìn)行短路保護(hù)或嚴(yán)重過載保護(hù)。用于配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，現(xiàn)在因?yàn)樾履茉吹拇罅Πl(fā)展，熔斷器也大量用于新能源的光伏，風(fēng)電和電動(dòng)汽車等。熔斷器主要由熔體和安裝熔體的絕緣座一起組成。使用時(shí)，熔體...

...保險(xiǎn)絲和低壓熔斷器來源：電子元器件論壇查看：1348回復(fù)：0大家好！我是新人做保險(xiǎn)絲和低壓熔斷器的。希望大家能夠多多指導(dǎo)哦?。。∥覀児驹诖髱X山，公司品牌是博鉞（ASTM），主要做管狀和貼片保險(xiǎn)絲。熔斷器和斷路器的性能比較來源：儀器儀表技術(shù)專...