一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2，經(jīng)放大，BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對可控硅來說，觸發(fā)信號加到控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2），這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果E極性反接。 按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。廣西進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅廠家供應(yīng)
只有可控硅模塊能夠滿足上述條件，才能說明可控硅模塊是質(zhì)量的。當(dāng)然，判斷起來也非常簡單，只需要使用萬用表的歐姆檔測量可控硅的極間電阻。具體的做法就是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。接著就是檢測可控硅模塊的三個PN結(jié)是否完好或者損壞，可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值?；旧蟻碚f，通過以上方法就能夠判斷出可控硅模塊的好壞了。 廣西進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅廠家供應(yīng)可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍。
提到可控硅模塊，人們都會想到它是一種類似于二極管的東西，但是詳細(xì)作用往往不是特別了解，尤其是在電路中的作用更是知之甚少，下面，正高電氣就在給你普及一下相關(guān)知識，詳細(xì)講解可控硅模塊在電路中的作用?？煽毓柙陔娐分械淖饔靡话阌袃煞N，主要是可控整流和無觸點開關(guān)?？煽卣鳎阂话銇碚f，普通的可控硅模塊在電路中的用途就是可控整流，像大家都比較熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路，如果能夠?qū)⒍O管換成可控硅模塊，就能夠構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵磁、無觸點開關(guān)機(jī)自動控制等多個方面的應(yīng)用。在電工技術(shù)中，經(jīng)常將交流電的半個周期為180度，稱為電角度，這樣在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度成為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。無觸點開關(guān)：可控硅模塊的作用當(dāng)然也不是整流，它還可以作為無觸點開關(guān)來用，以便于更好的快速接通或者切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變。
可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅模塊，它是1種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體元器件，在線路中用字母符號為“V”、“VT”表達(dá)（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表達(dá)）?？煽毓枘K具備硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下運行，且其運行過程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子線路中?？煽毓枘K有很多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類可控硅模塊按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅模塊、門極關(guān)斷可控硅模塊（GTO）、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種。（二）按引腳和極性分類可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。（三）按封裝形式分類可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類型。當(dāng)中，金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形、平板形、圓殼形等很多種；塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種。（四）按電流容量分類可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種。通常，大功率可控硅多選用金屬殼封裝。 在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件。
指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進(jìn)一步測量，對于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。左手665收藏時間：2016年2月6日18：40如何鑒別可控硅的三個極關(guān)鍵字：可控硅檢測方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。北京西門康SEMIKRON可控硅廠家供應(yīng)
在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。廣西進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅廠家供應(yīng)
晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰。 廣西進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅廠家供應(yīng)