發(fā)表于2018-01-0215:42?665次閱讀國(guó)產(chǎn)大功率IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究報(bào)告發(fā)表于2018-01-0215:00?327次閱讀純電感電路中電壓與電流的關(guān)系解析本文主要介紹了電感的概念與電感器的結(jié)構(gòu)，其次詳細(xì)的說明了在純電感電路中電壓與電流間的數(shù)量關(guān)系以及在交...發(fā)表于2017-12-2616:52?1515次閱讀電壓220v與380v的區(qū)別220V和380V的電壓有什么區(qū)別？本文為大家?guī)砭唧w介紹。發(fā)表于2017-12-2310:18?469次閱讀國(guó)家電網(wǎng)充電樁怎么用？國(guó)家電網(wǎng)充電樁功率多少？國(guó)家電網(wǎng)充電樁用法使用指南...國(guó)家電網(wǎng)充電樁功率交流充電樁一般是16A@220V（...發(fā)表于2017-12-2015:36?2853次閱讀電氣設(shè)備換了腫么辦？看完這文也會(huì)維修了直觀法直觀法是根據(jù)電器故障的外部表現(xiàn)，通過看、聞、聽等手段，檢查、判斷故障的方法。（1）檢查步驟：...發(fā)表于2017-12-1918:30?762次閱讀三相電總功率計(jì)算公式解讀功率因數(shù)是表示耗用有功、無功電流的比值，因?yàn)殡姍C(jī)是需要有功和無功電流激磁運(yùn)行的，電機(jī)滿載時(shí)，耗用有...發(fā)表于2017-12-1609:47?1987次閱讀手機(jī)輸出功率檢測(cè)反饋控制電路設(shè)計(jì)為了保證系統(tǒng)的容量及互操作性。隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見。湖南模塊廠家直銷
光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路，驅(qū)動(dòng)電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測(cè)電路檢測(cè)到igbt模塊發(fā)生短路故障或過流故障時(shí)，通過光耦隔離電路傳遞故障信號(hào)給原邊電路，原邊電路同時(shí)***igbt模塊上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并通過光耦隔離電路和驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷igbt模塊。實(shí)施例2：在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型的一種實(shí)施例電路如圖2所示，其中，15v電源輸入濾波電路由l1和c1構(gòu)成的濾波器，其作用主要是：對(duì)輸入15v電源進(jìn)行濾波，并且降低開關(guān)噪聲和電磁干擾。dc/dc電路由q1,q2,t1構(gòu)成推挽電路，并且q1和q2由晶體管構(gòu)成，t1為高頻隔離變壓器，其副邊有兩個(gè)**的繞組，輸出兩路隔離電源：其中上管隔離電源包括:d7與c4構(gòu)成二極管整流電路，輸出-15v_sh電源；d8與c5構(gòu)成二極管整流電路，輸出+15v_sh電源；其中下管隔離電源包括:d9與c6構(gòu)成二極管整流電路，輸出-15v_sl電源；d11與c7構(gòu)成二極管整流電路，輸出+15v_sl電源；上管死區(qū)電路和互鎖電路由v1,v2,r2,c2,d2組成，下管死區(qū)電路和互鎖電路由v3,v4,r3,c3,d3組成，保護(hù)電路包括d5,v5,d6,v6構(gòu)成。pwm_h信號(hào)為上管輸入信號(hào)，pwm_l信號(hào)為下管輸入信號(hào)；當(dāng)pwm_l信號(hào)為高電平時(shí)，c2通過d2快速放電。質(zhì)量模塊誠(chéng)信合作反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。
線路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機(jī)器人要如何實(shí)現(xiàn)辨別不同物體？以看到KIR9008C對(duì)黑色材質(zhì)的識(shí)別距離為20mm，而對(duì)白色材質(zhì)的識(shí)別距離為70mm，這是因?yàn)榘咨?..發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個(gè)壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用？電位器變得更小、更簡(jiǎn)易、更精確，它的發(fā)展趨向小型化，高功效，***，低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-3008:56?285次閱讀青銅劍科技IGBT驅(qū)動(dòng)方案亮相英飛凌汽車電子季度...青銅劍科技與英飛凌深度合作，聯(lián)合開發(fā)了多款功能強(qiáng)大、高可靠性的汽車級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng)，分別是基于英飛凌H...發(fā)表于2017-06-1611:58?482次閱讀電感繞線該怎樣設(shè)計(jì)，超前電流、電壓有什么區(qū)別？為了達(dá)到上述目的，在此電路中使用了2個(gè)反射光學(xué)傳感器。一個(gè)用作計(jì)數(shù)，另一個(gè)用來決定計(jì)數(shù)方向-往上...發(fā)表于2017-06-1509:21?457次閱讀電阻抗有何意義？氣敏電阻的應(yīng)用及其工作原理以SnO2氣敏元件為例，它是由**而成，這種晶體是作為N型半導(dǎo)體而工作的。
圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。圖4示出了本實(shí)施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)的兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱，溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2，氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22，***氧化層21設(shè)置在溝道區(qū)，第二氧化層22設(shè)置在非溝道區(qū)，第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術(shù)中的厚度，因此本實(shí)施例的結(jié)電容更小。需要說明的是，本實(shí)施例減小結(jié)電容的方式是通過增加溝槽內(nèi)非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度，***氧化層21厚度不變，因此本實(shí)施例在減小結(jié)電容的同時(shí)并不會(huì)造成器件整體性能變差。電力變換器、電力控制器、電力調(diào)節(jié)器、電力變換器、電力控制器、電力調(diào)節(jié)器、電力變換器、電力控制器等。
通過電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測(cè)故障，vce-sat檢測(cè)被禁止，該狀態(tài)下不檢測(cè)vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;下管vce-sat檢測(cè)電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路:當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l為高電平（15v）時(shí)，通過電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號(hào)vce_h，r6和r7構(gòu)成分壓電路(通過r6和r7設(shè)定保護(hù)值)，比較信號(hào)comp_h，通過vce_h與comp_h的比較實(shí)現(xiàn)vce飽和壓降的檢測(cè)，并輸出故障信號(hào)fault_h：當(dāng)vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態(tài)；當(dāng)vce_h大于comp_h，fault_h為低電平，報(bào)故障狀態(tài);當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_h為低電平（-15v）時(shí)，通過電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測(cè)故障，vce-sat檢測(cè)被禁止，該狀態(tài)下不檢測(cè)vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;當(dāng)fault_h為低電平時(shí),光耦u1_out輸出高電平，經(jīng)過d5和v5后故障信號(hào)fault_p為低電平，對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行***。下管vce-sat檢測(cè)電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路，采樣信號(hào)vce_l，r13和r14構(gòu)成分壓電路(通過r13和r14設(shè)定保護(hù)值)，比較信號(hào)comp_l，通過vce_l與comp_l的比較實(shí)現(xiàn)vce-sat的檢測(cè)，并輸出故障信號(hào)fault_l，當(dāng)fault_l為低電平時(shí)。又可以應(yīng)用在急救除顫器上，使其從200V電源輸出100KW的雙向震動(dòng)。西藏模塊制定
而PPS材料具有一系列優(yōu)異的特性，使其成為了IGBT模塊的比較好材料選擇。湖南模塊廠家直銷
本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號(hào)，控制電路弱信號(hào)與igbt模塊的強(qiáng)信號(hào)實(shí)現(xiàn)電氣完全隔離，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)芯片，例如風(fēng)電**驅(qū)動(dòng)器2sd300，采用專業(yè)的調(diào)制與解調(diào)芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)，抗干擾能力強(qiáng)，可靠性高，大量應(yīng)用于風(fēng)電變流器領(lǐng)域。以上兩種方案雖然解決了風(fēng)電變流器emc抗干擾問題，但是成本相對(duì)較高，較為經(jīng)濟(jì)的解決方案是采用光耦來實(shí)現(xiàn)電氣隔離，但是光耦的原邊一般采用低壓電路（15v或者5v），容易受干擾。另外，大功率igbt模塊在運(yùn)行過程中產(chǎn)生高的di/dt和du/dt，會(huì)導(dǎo)致igbt模塊上下管門極誤觸發(fā)，導(dǎo)致igbt模塊上下管直通，產(chǎn)生短路電流，如果不及時(shí)保護(hù)就會(huì)導(dǎo)致igbt模塊損壞，嚴(yán)重影響變流器正常運(yùn)行。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于提供風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路。湖南模塊廠家直銷
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是一家集生產(chǎn)科研、加工、銷售為一體的****，公司成立于2022-03-29，位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201。公司誠(chéng)實(shí)守信，真誠(chéng)為客戶提供服務(wù)。公司現(xiàn)在主要提供IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等業(yè)務(wù)，從業(yè)人員均有IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器行內(nèi)多年經(jīng)驗(yàn)。公司員工技術(shù)嫻熟、責(zé)任心強(qiáng)。公司秉承客戶是上帝的原則，急客戶所急，想客戶所想，熱情服務(wù)。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)研發(fā)，產(chǎn)品在按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試完成后，通過質(zhì)檢部門檢測(cè)后推出。我們通過全新的管理模式和周到的服務(wù)，用心服務(wù)于客戶。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的現(xiàn)在，我們承諾保證IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器質(zhì)量和服務(wù)，再創(chuàng)佳績(jī)是我們一直的追求，我們真誠(chéng)的為客戶提供真誠(chéng)的服務(wù)，歡迎各位新老客戶來我公司參觀指導(dǎo)。