雙向可控硅應(yīng)用現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場很多，可控硅應(yīng)用在自動控制領(lǐng)域，機電領(lǐng)域，工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者，他目前的幾個大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單，可見可控硅在人們的生活中都有應(yīng)用。更重要的是，可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定，比方說用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān)，可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎么變化，可控硅的變化是不大的，這相對來說，等于擴大的可控硅的應(yīng)用市場，減少了投資的風(fēng)險?？煽毓璧膬?yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。實際應(yīng)用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大，反向截止性...

IGBT模塊驅(qū)動及保護技術(shù)1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點，又具有功率晶體管高電壓、電流大等優(yōu)點。其特性發(fā)揮出MOSFET和功率晶體管各自的優(yōu)點，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率應(yīng)用范圍中，其中中、大功率應(yīng)用占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極發(fā)射極之間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的電流流過，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極發(fā)射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬pF），在驅(qū)動脈沖的上升和下降沿需要提供數(shù)A級的充放電電流，才能滿足開通和關(guān)斷的動態(tài)要求，這使得它的驅(qū)動電路也必須輸出一定的峰值電...

隨集電極-發(fā)射極電壓的升高而增強（請參見等式（8））。低阻抗（即，低雜散電感）柵極驅(qū)動電路，也可比較大限度地降低發(fā)生寄生導(dǎo)通事件的風(fēng)險。開關(guān)時間數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時間，為確定半橋配置中的互補器件的接通與關(guān)斷之間的恰當(dāng)空載時間，提供了有用信息。關(guān)于設(shè)置恰當(dāng)?shù)目蛰d時間的更多信息，請參閱參考資料[1]。數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時間的定義如下，如圖14中的示意圖所示。?接通延時（tdon）：10%柵極-發(fā)射極電壓，至10%集電極電流?升高時間（tr）：10%集電極電流，至90%集電極電流?關(guān)斷延時（tdoff）：90%柵極-發(fā)射極電壓，至90%集電極電流?下降時間（tf）：90%集電極電流，至10%...

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場效應(yīng)管MOSF...

1.3反向特性1）二極管承受反向電壓時，加強了PN結(jié)的內(nèi)電場，二極管呈現(xiàn)很大電阻，此時*有很小的反向電流。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時電流稱為反向飽和電流。實際應(yīng)用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大，反向截止性能越好。一般硅二極管的反向飽和電流在幾十微安以下，鍺二極管則達(dá)幾百微安，大功率二極管稍大些。2）當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時，反向電流急劇加大，進入反向擊穿區(qū)，D點對應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓。二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞，因此除穩(wěn)壓管外，二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓。二極管導(dǎo)通后兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），且?guī)缀鹾愣ā９韫艿墓軌航导s為0.7V。哪些是模塊報價...

HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創(chuàng)新型解決方案，適用于混合動力及電動汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設(shè)計，該產(chǎn)品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅(qū)動效果將更加接近其極限，從而進一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性，為客戶所使用的平臺和方法提供支持。HybridPACK?驅(qū)動是一款非常緊湊的電源模塊，專門針對混合動力汽車及電動汽車的主逆變器應(yīng)用（xEV）進行了優(yōu)化，功率范圍比較高達(dá)150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽車級微型溝槽式場截止單元設(shè)計。這款芯片組擁有基準(zhǔn)電流密度并具有...

其總損耗與開關(guān)頻率的關(guān)系比較大，因此若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開關(guān)主要是降低了開關(guān)損耗，可使IGBT模塊工作頻率**提高。隨著IGBT模塊耐壓的提高，IGBT的開關(guān)頻率相應(yīng)下降，下面列出英飛凌IGBT模塊不同耐壓，不同系列工作頻率fk的參考值。600V“DLC”開關(guān)頻率可達(dá)到30KHz600V“KE3”開關(guān)頻率可達(dá)到30KHz1200V“DN2”開關(guān)頻率可達(dá)到20KHz1200V“KS4”開關(guān)頻率可達(dá)到40KHz1200V“KE3”開關(guān)頻率可達(dá)到10KHz1200V“KT3”開關(guān)頻率可達(dá)到15KHz1700V“DN2”開關(guān)頻率可達(dá)到10K...

柵極驅(qū)動電路的阻抗越低，這種效應(yīng)越弱，此效應(yīng)一直維持到t3時刻，Uce降到IGBT的飽和電壓為止。它的影響同樣減緩了IGBT的開通過程。在t3時刻后，Ic達(dá)到穩(wěn)態(tài)值，影響柵極電壓Uge的因素消失后，Uge以較快的上升率達(dá)到**大值。從圖1的波形可以看出，由于Le和Cge的存在，在IGBT的實際運行中Uge減緩了許多，這種阻礙驅(qū)動電壓上升的效應(yīng)，表現(xiàn)為對集電極電流上升及開通過程的阻礙。為了減緩此效應(yīng)，應(yīng)使IGBT模塊的Le和Cgc和柵極驅(qū)動電路的內(nèi)阻盡量的小，以獲得較快的開通速度。圖2IGBT的關(guān)斷波形如圖2所示，t0時刻驅(qū)動電壓開始下降，在t1時刻達(dá)到剛好能夠維持集電極正常工作的電流水...

需指出的是：IGBT參數(shù)表中標(biāo)出的IC是集電極比較大直流電流，但這個直流電流是有條件的，首先比較大結(jié)溫不能超過150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的比較大電流不同。同時，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流，這個脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過的比較大通態(tài)電流值，即使可重復(fù)也需足夠長的時間。如果脈沖寬度限制在10μs以內(nèi)，英飛凌NPT-IGBT短路電流承受能力可高達(dá)10倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000次，兩次短路時間間隔需大于1s。但對于PT型IGBT，這種短路總次數(shù)不能大于100...

英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流級*有二極管時實現(xiàn)不控整流，也可在整流級中使用晶閘管實現(xiàn)半控整流。關(guān)鍵特性?高集成度：整流橋、制動斬波器和NTC共用一個封裝，可節(jié)約系統(tǒng)成本?靈活性：可定制的封裝（引腳位置和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可根據(jù)客戶需求定制）?一體通用：多種拓?fù)浜碗娏鳎?00A-360A）等級適用于多種應(yīng)用，實現(xiàn)平臺化戰(zhàn)略?功率密度：與TrenchstopIGBT3相比，TrenchstopIGBT4技術(shù)的Tvjop達(dá)到150...

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場效應(yīng)管MOSF...

英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件、具有高性價比的晶閘管/二極管模塊、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率，覆蓋10kW-10GW的寬廣功率范圍，樹立了行業(yè)應(yīng)用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應(yīng)用范圍包括服務(wù)器堆場、太陽能發(fā)電廠和儲能系統(tǒng)等；同時適用于工業(yè)和汽車級應(yīng)用。優(yōu)勢：?高性價比?全程采用X射線100%監(jiān)測生產(chǎn)，保障產(chǎn)品的高性能和使用壽命?使用銅基板，便于快捷安裝?完整的模塊封裝技術(shù)組合，一站式購齊如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時電流稱為反向飽和電流。新...

IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應(yīng)用實現(xiàn)一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝，從而實現(xiàn)無焊料無鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應(yīng)用的特殊要求而開發(fā)。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器，以適應(yīng)不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應(yīng)用，如電源和標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時電流稱為反向飽和電流。本地模塊直銷價模塊 在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消...

英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流級*有二極管時實現(xiàn)不控整流，也可在整流級中使用晶閘管實現(xiàn)半控整流。關(guān)鍵特性?高集成度：整流橋、制動斬波器和NTC共用一個封裝，可節(jié)約系統(tǒng)成本?靈活性：可定制的封裝（引腳位置和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可根據(jù)客戶需求定制）?一體通用：多種拓?fù)浜碗娏鳎?00A-360A）等級適用于多種應(yīng)用，實現(xiàn)平臺化戰(zhàn)略?功率密度：與TrenchstopIGBT3相比，TrenchstopIGBT4技術(shù)的Tvjop達(dá)到150...

則降低了故障時器件的損耗，延長了器件抗短路的時間，而且能夠降低器件關(guān)斷時的di/dt，對器件的保護十分有利。若延時后故障信號依然存在，則關(guān)斷器件，若故障信號消失，則驅(qū)動電路恢復(fù)到正常工作狀態(tài)，因而**增強了抗*擾的能力。上述降柵壓的方法只考慮了柵壓與短路電流大小的關(guān)系，而在實際應(yīng)用中，降柵壓的速度也是一個重要因素，它直接決定了故障電流下降的di/dt。慢降柵壓技術(shù)就是通過限制降柵壓的速度來控制故障電流的下降速度，從而抑制器件的di/dt和Uce的峰值。圖3給出了慢降柵壓的具體電路圖。圖3正常工作時，因故障檢測二極管VD1的導(dǎo)通，將a點的電壓鉗位在穩(wěn)壓二極管ZV1的擊穿電壓之下，晶體管V...

加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速...

需指出的是：IGBT參數(shù)表中標(biāo)出的IC是集電極比較大直流電流，但這個直流電流是有條件的，首先比較大結(jié)溫不能超過150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的比較大電流不同。同時，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流，這個脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過的比較大通態(tài)電流值，即使可重復(fù)也需足夠長的時間。如果脈沖寬度限制在10μs以內(nèi)，英飛凌NPT-IGBT短路電流承受能力可高達(dá)10倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000次，兩次短路時間間隔需大于1s。但對于PT型IGBT，這種短路總次數(shù)不能大于100...

1.2正向特性1）外加正向電壓較小時，二極管呈現(xiàn)的電阻較大，正向電流幾乎為零，曲線OA段稱為不導(dǎo)通區(qū)或死區(qū)。一般硅管的死區(qū)電壓約為0.5伏，鍺的死區(qū)電壓約為0.2伏，該電壓值又稱門坎電壓或閾值電壓。2）當(dāng)外加正向電壓超過死區(qū)電壓時，PN結(jié)內(nèi)電場幾乎被抵消，二極管呈現(xiàn)的電阻很小，正向電流開始增加，進入正向?qū)▍^(qū)，但此時電壓與電流不成比例如AB段。隨外加電壓的增加正向電流迅速增加，如BC段特性曲線陡直，伏安關(guān)系近似線性，處于充分導(dǎo)通狀態(tài)。3）二極管導(dǎo)通后兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），且?guī)缀鹾愣?。硅管的管壓降約為0.7V，鍺管的管壓降約為0.3V。當(dāng)外加正向電壓超過死區(qū)電壓時，PN結(jié)內(nèi)電場...

在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場合，晶閘管、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單的優(yōu)點;但是，在200V或更高電壓的場合，MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在著不能得到高耐壓、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦裕m然可以得到高耐壓、大容量的元件，但是它要求的驅(qū)動電流大，控制電路非常復(fù)雜，而且交換速度不夠快。它們可以與 EconoPACK 2 & 3 和 EconoPACK 4 封裝三相橋較高程度地配合使用。海南本地模塊模塊 ...

但柵極連線的寄生電感和柵極-集電極之間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化膜損壞的振蕩電壓。為此，通常采用絞線來傳送驅(qū)動信號，以減小寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻可以抑制振動電壓。由于IGBT的柵極-發(fā)射極之間和柵極-集電極之間存在著分布電容，以及發(fā)射極驅(qū)動電路中存在著分布電感，這些分布參數(shù)的影響，使IGBT的實際驅(qū)動波形與理想驅(qū)動波形不完全相同，并且產(chǎn)生了不利于IGBT開通和關(guān)斷的因素。如圖1所示。在t0時刻，柵極驅(qū)動電壓開始上升，此時影響柵極電壓上升斜率的主要因素只有Rg和Cge，柵極電壓上升較快。在t1時刻達(dá)到IGBT的柵極門檻值，集電極電流開始上升。從此時有兩個因素影響Uge波形偏離原...

過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器（AC-SSR）的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發(fā)電路、開關(guān)電路（包括雙向晶閘管）、保護電路（RC吸收網(wǎng)絡(luò)）。當(dāng)加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負(fù)載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負(fù)載電源接通。固態(tài)繼電器具有驅(qū)動功率小、無觸點、噪音低、抗干擾能力強，吸合、釋放時間短、壽命長，能與TTL＼CMOS電路兼容，可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器。雙向可控硅可用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實現(xiàn)交流調(diào)壓、電機調(diào)速、交流開關(guān)、路燈自動開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、舞臺調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器（SSR）和固態(tài)接觸器電路中。二極管由管芯、管殼和兩個...

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調(diào)壓或交流電子開關(guān)。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。3、可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。隨外加電壓的增加正向電流迅速增加，如BC段特性曲線陡直，伏安關(guān)系近似線性，處于充分導(dǎo)通狀態(tài)。云南模塊代理商模塊 igbt模塊IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和...

英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流級*有二極管時實現(xiàn)不控整流，也可在整流級中使用晶閘管實現(xiàn)半控整流。關(guān)鍵特性?高集成度：整流橋、制動斬波器和NTC共用一個封裝，可節(jié)約系統(tǒng)成本?靈活性：可定制的封裝（引腳位置和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可根據(jù)客戶需求定制）?一體通用：多種拓?fù)浜碗娏鳎?00A-360A）等級適用于多種應(yīng)用，實現(xiàn)平臺化戰(zhàn)略?功率密度：與TrenchstopIGBT3相比，TrenchstopIGBT4技術(shù)的Tvjop達(dá)到150...

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域構(gòu)成了晶體二極管，如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或...

功率開關(guān)器件在工作前半周與后半周導(dǎo)***寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁。但是，如果IGBT驅(qū)動電路輸出脈寬不對稱或其他原因，就會產(chǎn)生正負(fù)半周不平衡問題，此時，變壓器內(nèi)的磁心會在某半周積累剩磁，出現(xiàn)“單向偏磁”現(xiàn)象，經(jīng)過幾個脈沖，就可以使變壓器單向磁通達(dá)到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態(tài)。這對于IGBT來說，極其危險，可能引發(fā)。橋式電路的另一缺點是容易產(chǎn)生直通現(xiàn)象。直通現(xiàn)象是指同橋臂的IGBT在前后半周導(dǎo)通區(qū)間出現(xiàn)重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時通過IGBT。針對上述兩點不足，從驅(qū)動的角度出發(fā)、設(shè)計的驅(qū)動電路必須滿足四路驅(qū)動的波形完全對稱，嚴(yán)格限制比...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計。后來，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計規(guī)...

進而控制Uge的下降速度；當(dāng)電容電壓上升至VZ2的擊穿電壓時，VZ2擊PDF文件使用"pdfFactoryPro"試用版本創(chuàng)建江蘇宏微科技有限公司設(shè)計天地與應(yīng)用指南穿，Uge被鉗位在一個固定的值上，慢降柵壓過程結(jié)束。同時驅(qū)動電路通過光耦輸出故障信號。如果在延時過程中，故障信號消失了，則a點電壓降低，VT1恢復(fù)截止，C1通過R2放電，d點電位升高，VT2也恢復(fù)截止，Uge上升，電路恢復(fù)正常工作狀態(tài)。，尤其是在短路故障的情況下，如不采取軟關(guān)斷措施，它的臨界電流下降率將達(dá)到kA/μS。極高的電壓下降率將會在主電路的分布電感上感應(yīng)出很高的過電壓，導(dǎo)致IGBT關(guān)斷時電流電壓的運行軌跡超出安全工作...

即檢測輸入端或直流端的總電流，當(dāng)此電流超過設(shè)定值后比較器翻轉(zhuǎn)，***所有IGBT輸入驅(qū)動脈沖，使輸出電流降為零。這種過載過流保護，一旦動作后,要通過復(fù)位才能恢復(fù)正常工作。IGBT能夠承受很短時間的短路電流，能夠承受短路電流的時間與該IGBT的飽和導(dǎo)通壓降有關(guān)，隨著飽和導(dǎo)通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于2V的IGBT允許的短路時間小于5μS，而飽和壓降為3V的IGBT的允許短路時間可達(dá)15μS，4～5V時可達(dá)到30μS以上。存在以上的關(guān)系是由于隨著飽和導(dǎo)通壓降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路電流同時增大，短路時的功耗隨著電流的平方增大，造成承受短路時間迅速減小。通常采取的保護措施有軟...

IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應(yīng)用實現(xiàn)一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝，從而實現(xiàn)無焊料無鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應(yīng)用的特殊要求而開發(fā)。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器，以適應(yīng)不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應(yīng)用，如電源和標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動。開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器，以適應(yīng)不同的工作電壓。江蘇模塊歡迎選購模塊 根據(jù)數(shù)據(jù)表中標(biāo)示的IGBT的寄生電容，可以分析dV/...

1.3反向特性1）二極管承受反向電壓時，加強了PN結(jié)的內(nèi)電場，二極管呈現(xiàn)很大電阻，此時*有很小的反向電流。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時電流稱為反向飽和電流。實際應(yīng)用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大，反向截止性能越好。一般硅二極管的反向飽和電流在幾十微安以下，鍺二極管則達(dá)幾百微安，大功率二極管稍大些。2）當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時，反向電流急劇加大，進入反向擊穿區(qū)，D點對應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓。二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞，因此除穩(wěn)壓管外，二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓。當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時，反向電流急劇加大，進入反向擊穿區(qū)，D點對應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓。貴州模塊單...