需指出的是：IGBT參數(shù)表中標(biāo)出的IC是集電極比較大直流電流，但這個(gè)直流電流是有條件的，首先比較大結(jié)溫不能超過150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的比較大電流不同。同時(shí)，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流，這個(gè)脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過的比較大通態(tài)電流值，即使可重復(fù)也需足夠長(zhǎng)的時(shí)間。如果脈沖寬度限制在10μs以內(nèi)，英飛凌NPT-IGBT短路電流承受能力可高達(dá)10倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000次，兩次短路時(shí)間間隔需大于1s。但對(duì)于PT型IGBT，這種短路總次數(shù)不能大于100次，這是由于NPT-IGBT過載能力、可靠性比PT型高的原因。在電力電子設(shè)備中，選擇IGBT模塊時(shí)，通常是先計(jì)算通過IGBT模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn)，考慮到過載、電網(wǎng)波動(dòng)、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應(yīng)的IGBT模塊。但嚴(yán)格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計(jì)算耗散功率，通過熱阻核算具比較高結(jié)溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過比較高結(jié)溫核標(biāo)可選擇較小的IGBT模塊通過更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時(shí)電流稱為反向飽和電流。廣東模塊批發(fā)
1.3反向特性1）二極管承受反向電壓時(shí)，加強(qiáng)了PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)，二極管呈現(xiàn)很大電阻，此時(shí)*有很小的反向電流。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時(shí)電流稱為反向飽和電流。實(shí)際應(yīng)用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大，反向截止性能越好。一般硅二極管的反向飽和電流在幾十微安以下，鍺二極管則達(dá)幾百微安，大功率二極管稍大些。2）當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí)，反向電流急劇加大，進(jìn)入反向擊穿區(qū)，D點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓。二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞，因此除穩(wěn)壓管外，二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓。江蘇智能模塊批發(fā)價(jià)我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)。
三、根據(jù)開關(guān)頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關(guān)損耗組成，不同的開關(guān)頻率，開關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關(guān)損耗的開關(guān)時(shí)間（ton，toff）又是一對(duì)矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開關(guān)頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時(shí)，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對(duì)于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關(guān)損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢(shì)。“KT3”由于開關(guān)速度更快，對(duì)吸收與布線要求更高。若開關(guān)頻率在10KHz－15KHz之間，請(qǐng)使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IGBT模塊，今后對(duì)于fk≤15KHz的應(yīng)用場(chǎng)合，建議客戶逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。當(dāng)開關(guān)頻率fk≥15KHz時(shí)，開關(guān)損耗是主要的，通態(tài)損耗占的比例比較小。比較好選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列。當(dāng)然對(duì)于fk在15KHz－20KHz之間時(shí)，“DN2”系列也是比較好的選擇。英飛凌“KS4”高頻系列，硬開關(guān)工作頻率可達(dá)40KHz；若是軟開關(guān)，可工作在150KHz左右。IGBT在高頻下工作時(shí)。
加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。1IGBT模塊簡(jiǎn)介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越***的應(yīng)用，在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件。構(gòu)成了晶體二極管，如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽(yáng)極，N區(qū)的引出的電極稱為負(fù)極或陰極。
雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調(diào)壓或交流電子開關(guān)。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。3、可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。當(dāng)加上輸入信號(hào)VI（一般為高電平）、并且交流負(fù)載電源電壓通過零點(diǎn)時(shí)，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負(fù)載電源接通。加工模塊商家
該器件還適用于通用線電壓整流器應(yīng)用，如電源和標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)。廣東模塊批發(fā)
隨集電極-發(fā)射極電壓的升高而增強(qiáng)（請(qǐng)參見等式（8））。低阻抗（即，低雜散電感）柵極驅(qū)動(dòng)電路，也可比較大限度地降低發(fā)生寄生導(dǎo)通事件的風(fēng)險(xiǎn)。開關(guān)時(shí)間數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時(shí)間，為確定半橋配置中的互補(bǔ)器件的接通與關(guān)斷之間的恰當(dāng)空載時(shí)間，提供了有用信息。關(guān)于設(shè)置恰當(dāng)?shù)目蛰d時(shí)間的更多信息，請(qǐng)參閱參考資料[1]。數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時(shí)間的定義如下，如圖14中的示意圖所示。?接通延時(shí)（tdon）：10%柵極-發(fā)射極電壓，至10%集電極電流?升高時(shí)間（tr）：10%集電極電流，至90%集電極電流?關(guān)斷延時(shí)（tdoff）：90%柵極-發(fā)射極電壓，至90%集電極電流?下降時(shí)間（tf）：90%集電極電流，至10%集電極電流開關(guān)時(shí)間不能提供關(guān)于開關(guān)損耗的可靠信息，因?yàn)殡妷荷邥r(shí)間和下降時(shí)間以及電流拖尾均未確定。因此，每個(gè)脈沖造成的功率損耗需單獨(dú)確定。圖14開關(guān)波形示意圖以及開關(guān)時(shí)間和功率損耗定義在數(shù)據(jù)表中，將每個(gè)脈沖造成的開關(guān)損耗定義為如下積分：積分范圍t1和t2為：?每個(gè)脈沖造成的接通功率損耗（Eon）：10%集電極電流，至2%集電極-發(fā)射極電壓?每個(gè)脈沖造成的關(guān)斷功率損耗（Eoff）：10%集電極-發(fā)射極電壓，至2%集電極電流這樣，開關(guān)時(shí)間和每個(gè)脈沖造成的功率損耗。廣東模塊批發(fā)
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司坐落于昆山開發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201，是集設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、售后服務(wù)于一體，電子元器件的貿(mào)易型企業(yè)。公司在行業(yè)內(nèi)發(fā)展多年，持續(xù)為用戶提供整套IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器的解決方案。本公司主要從事IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器領(lǐng)域內(nèi)的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等產(chǎn)品的研究開發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊(duì)伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，并始終如一地堅(jiān)守這一原則，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求，產(chǎn)品獲得市場(chǎng)及消費(fèi)者的高度認(rèn)可。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司以先進(jìn)工藝為基礎(chǔ)、以產(chǎn)品質(zhì)量為根本、以技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力，開發(fā)并推出多項(xiàng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產(chǎn)品，確保了在IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)。