即檢測輸入端或直流端的總電流，當此電流超過設(shè)定值后比較器翻轉(zhuǎn)，***所有IGBT輸入驅(qū)動脈沖，使輸出電流降為零。這種過載過流保護，一旦動作后,要通過復(fù)位才能恢復(fù)正常工作。IGBT能夠承受很短時間的短路電流，能夠承受短路電流的時間與該IGBT的飽和導(dǎo)通壓降有關(guān)，隨著飽和導(dǎo)通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于2V的IGBT允許的短路時間小于5μS，而飽和壓降為3V的IGBT的允許短路時間可達15μS，4～5V時可達到30μS以上。存在以上的關(guān)系是由于隨著飽和導(dǎo)通壓降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路電流同時增大，短路時的功耗隨著電流的平方增大，造成承受短路時間迅速減小。通常采取的保護措施有軟...

根據(jù)數(shù)據(jù)表中標示的IGBT的寄生電容，可以分析dV/dt引起的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象?？赡艿募纳鷮?dǎo)通現(xiàn)象，是由集電極-柵極和柵極-發(fā)射極之間的固有容性分壓器引起的（請參見圖9）。考慮到集電極-發(fā)射極上的較高瞬態(tài)電壓，這個固有的容性分壓器比受限于寄生電感的外接柵極驅(qū)動電路快得多。因此，即使柵極驅(qū)動器關(guān)斷了IGBT，即，在零柵極-發(fā)射極電壓狀態(tài)下，瞬態(tài)集電極-發(fā)射極電壓也會引起與驅(qū)動電壓不相等的柵極-發(fā)射極電壓。忽略柵極驅(qū)動電路的影響，可以利用以下等式，計算出柵極-發(fā)射極電壓：因此，商數(shù)Cres/Cies應(yīng)當盡可能低，以避免dV/dt引起寄生導(dǎo)通現(xiàn)象（商數(shù)約為35，請參見圖12）。此外，輸入電容應(yīng)當...

HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創(chuàng)新型解決方案，適用于混合動力及電動汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設(shè)計，該產(chǎn)品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅(qū)動效果將更加接近其極限，從而進一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性，為客戶所使用的平臺和方法提供支持。HybridPACK?驅(qū)動是一款非常緊湊的電源模塊，專門針對混合動力汽車及電動汽車的主逆變器應(yīng)用（xEV）進行了優(yōu)化，功率范圍比較高達150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽車級微型溝槽式場截止單元設(shè)計。這款芯片組擁有基準電流密度并具有...

三、根據(jù)開關(guān)頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關(guān)損耗組成，不同的開關(guān)頻率，開關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關(guān)損耗的開關(guān)時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開關(guān)頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關(guān)損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢。“KT3”由...

英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流級*有二極管時實現(xiàn)不控整流，也可在整流級中使用晶閘管實現(xiàn)半控整流。關(guān)鍵特性?高集成度：整流橋、制動斬波器和NTC共用一個封裝，可節(jié)約系統(tǒng)成本?靈活性：可定制的封裝（引腳位置和拓撲結(jié)構(gòu)可根據(jù)客戶需求定制）?一體通用：多種拓撲和電流（100A-360A）等級適用于多種應(yīng)用，實現(xiàn)平臺化戰(zhàn)略?功率密度：與TrenchstopIGBT3相比，TrenchstopIGBT4技術(shù)的Tvjop達到150...

IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應(yīng)用實現(xiàn)一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝，從而實現(xiàn)無焊料無鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應(yīng)用的特殊要求而開發(fā)。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器，以適應(yīng)不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應(yīng)用，如電源和標準驅(qū)動。大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率。安徽哪里有模塊批發(fā)模塊英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2和Econo4封...

加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速...

三、根據(jù)開關(guān)頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關(guān)損耗組成，不同的開關(guān)頻率，開關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關(guān)損耗的開關(guān)時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開關(guān)頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關(guān)損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢?！癒T3”由...

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調(diào)壓或交流電子開關(guān)。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。3、可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。用于定性描述這兩者關(guān)系的曲線稱為伏安特性曲線。西藏標準模塊模塊 ⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關(guān)斷過電壓，應(yīng)盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應(yīng)采用低感或無感型；⑸IGBT與M...

但是各路之間在電路上必須相互隔離，以防干擾或誤觸發(fā)四路驅(qū)動信號根據(jù)觸發(fā)相位分為兩組，相位相反。圖3為一路柵極驅(qū)動電路，整流橋B1、B2與電解電容C1、C2組成整流濾波電路，為驅(qū)動電路提供+25V和-15V直流驅(qū)動電壓。光耦6N137的作用是實現(xiàn)控制電路與主電路之間的隔離，傳遞PWM信號。電阻R1與穩(wěn)壓管VS1組成PWM取樣信號，電阻R2限制光耦輸入電流。電阻R3、R4與穩(wěn)壓管VS3、VS4分別組成，分別為光耦和MOSFET管Q3提供驅(qū)動電平。Q3在光耦控制下，工作在開關(guān)狀態(tài)。MOSFET管Q1、Q2組成推挽放大電路，將放大后的輸出信號輸入到IGBT門極，提供門極的驅(qū)動信號。當輸入控制信...

HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創(chuàng)新型解決方案，適用于混合動力及電動汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設(shè)計，該產(chǎn)品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅(qū)動效果將更加接近其極限，從而進一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性，為客戶所使用的平臺和方法提供支持。HybridPACK?驅(qū)動是一款非常緊湊的電源模塊，專門針對混合動力汽車及電動汽車的主逆變器應(yīng)用（xEV）進行了優(yōu)化，功率范圍比較高達150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽車級微型溝槽式場截止單元設(shè)計。這款芯片組擁有基準電流密度并具有...

根據(jù)數(shù)據(jù)表中標示的IGBT的寄生電容，可以分析dV/dt引起的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象?？赡艿募纳鷮?dǎo)通現(xiàn)象，是由集電極-柵極和柵極-發(fā)射極之間的固有容性分壓器引起的（請參見圖9）。考慮到集電極-發(fā)射極上的較高瞬態(tài)電壓，這個固有的容性分壓器比受限于寄生電感的外接柵極驅(qū)動電路快得多。因此，即使柵極驅(qū)動器關(guān)斷了IGBT，即，在零柵極-發(fā)射極電壓狀態(tài)下，瞬態(tài)集電極-發(fā)射極電壓也會引起與驅(qū)動電壓不相等的柵極-發(fā)射極電壓。忽略柵極驅(qū)動電路的影響，可以利用以下等式，計算出柵極-發(fā)射極電壓：因此，商數(shù)Cres/Cies應(yīng)當盡可能低，以避免dV/dt引起寄生導(dǎo)通現(xiàn)象（商數(shù)約為35，請參見圖12）。此外，輸入電容應(yīng)當...

因此在驅(qū)動電路的輸出端給柵極加電壓保護，并聯(lián)電阻Rge以及反向串聯(lián)限幅穩(wěn)壓管，如圖4所示。圖4柵極保護電路柵極串聯(lián)電阻Rg對IGBT開通過程影響較大。Rg小有利于加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗，但過小會造成di/dt過大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。根據(jù)本設(shè)計的具體要求，Rg選取Ω。柵極連線的寄生電感和柵極與射極間的寄生電容耦合，會產(chǎn)生振蕩電壓，所以柵極引線應(yīng)采用雙絞線傳送驅(qū)動信號，并盡可能短，比較好不超過m，以減小連線電感。四路驅(qū)動電路光耦與PWM兩路輸出信號的接線如圖5所示。圖5四路驅(qū)動電路光耦與PWM的兩路輸出信號的接線實驗波形如圖6所示。圖6a是柵極驅(qū)動四路輸出波形。同時測四路驅(qū)動波...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計。后來，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當中，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計規(guī)...

Le是射極回路漏電感，用電感L1與二極管VD并聯(lián)作為負載。圖2IGBT開通波形IGBT開通波形見圖2b。T0時刻，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，柵極驅(qū)動電壓開始上升，Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc決定，上升較快。到t1時刻。Uge達到柵極門檻值(約4~5V)，集電極電流開始上升。導(dǎo)致Uge波形偏離原有軌跡的因素主要有兩個：一是發(fā)射極電路中分布電感Le的負反饋作用；二是柵極-集電極電容Cgc的密勒效應(yīng)。t2時刻，Ic達到比較大值，集射極電壓Uce下降，同時Cgc放電，驅(qū)動電路電流增大，使得Rg和R上分壓加大，也造成Uge下降。直到t3時刻，Uce降為0，Ic達到穩(wěn)態(tài)值，Uge才以較快的上升率...

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓...

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調(diào)壓或交流電子開關(guān)。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。3、可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器，以適應(yīng)不同的工作電壓。北京智能模塊量大從優(yōu)模塊英飛凌IGBT綜述：我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不...

英飛凌IGBT綜述：我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級，適用于幾乎所有應(yīng)用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術(shù)。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關(guān)配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風電應(yīng)用）等應(yīng)用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優(yōu)勢。IGBT模塊采用預(yù)...

Le是射極回路漏電感，用電感L1與二極管VD并聯(lián)作為負載。圖2IGBT開通波形IGBT開通波形見圖2b。T0時刻，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，柵極驅(qū)動電壓開始上升，Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc決定，上升較快。到t1時刻。Uge達到柵極門檻值(約4~5V)，集電極電流開始上升。導(dǎo)致Uge波形偏離原有軌跡的因素主要有兩個：一是發(fā)射極電路中分布電感Le的負反饋作用；二是柵極-集電極電容Cgc的密勒效應(yīng)。t2時刻，Ic達到比較大值，集射極電壓Uce下降，同時Cgc放電，驅(qū)動電路電流增大，使得Rg和R上分壓加大，也造成Uge下降。直到t3時刻，Uce降為0，Ic達到穩(wěn)態(tài)值，Uge才以較快的上升率...

⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關(guān)斷過電壓，應(yīng)盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應(yīng)采用低感或無感型；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅(qū)動，都具有一個～5V的閾值電壓，有一個容性輸入阻抗，因此IGBT對柵極電荷非常敏感故驅(qū)動電路必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅(qū)動電路與IGBT的連線要盡量短；⑹用內(nèi)阻小的驅(qū)動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關(guān)損耗盡量小。另外，IGBT開通后，柵極驅(qū)動源應(yīng)能提供足夠的功率，使IGBT不退出飽和而損壞；⑺驅(qū)動電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時，IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，但負載短路時的I...

也算是節(jié)省了不小的開支。2013年6月15日***我又在電腦上設(shè)計了幾張圖紙，希望能夠運用到實戰(zhàn)中。讓房子變成我想象中的樣子。2013年6月20日我和老公***把花園的門給定好了，看起來就很有安全感的樣子。2013年7月15日2020-08-30求大神,我家的電磁爐換過開關(guān)還是不能用速度…電磁爐又被稱為電磁灶，1957年***臺家用電磁爐誕生于德國。1972年，美國開始生產(chǎn)電磁爐，20世紀80年代初電磁爐在歐美及日本開始**。電磁爐的原理是電磁感應(yīng)現(xiàn)象，即利用交變電流通過線圈產(chǎn)生方向不斷改變的交變磁場，處于交變磁場中的導(dǎo)體的內(nèi)部將會出現(xiàn)渦旋電流(原因可參考法拉第電磁感應(yīng)定律)，這是渦旋...

全橋逆變電路IGBT模塊的實用驅(qū)動電路設(shè)計作者：海飛樂技術(shù)時間：2017-04-2116:311.前言全僑式逆變電路應(yīng)用***，國內(nèi)外許多廠家的焊機都采用此主電路結(jié)構(gòu)。全橋式電路的優(yōu)點是輸出功率較大，要求功率開關(guān)管耐壓較低，便于選管。在硬開關(guān)僑式電路中，IGBT在高壓下導(dǎo)通，在大電流下關(guān)斷，處于強迫開關(guān)過程，功率器件IGBT能否正?？煽渴褂闷鹬陵P(guān)重要的作用。驅(qū)動電路的作用就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大，滿足驅(qū)動IGBT的要求。其性能直接關(guān)系到IGBT的開關(guān)速度和功耗、整機效率和可靠性。隨著開關(guān)工作頻率的提高，驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計更為重要。2.硬開關(guān)全橋式電路工作過程分析全橋...

隨集電極-發(fā)射極電壓的升高而增強（請參見等式（8））。低阻抗（即，低雜散電感）柵極驅(qū)動電路，也可比較大限度地降低發(fā)生寄生導(dǎo)通事件的風險。開關(guān)時間數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時間，為確定半橋配置中的互補器件的接通與關(guān)斷之間的恰當空載時間，提供了有用信息。關(guān)于設(shè)置恰當?shù)目蛰d時間的更多信息，請參閱參考資料[1]。數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時間的定義如下，如圖14中的示意圖所示。?接通延時（tdon）：10%柵極-發(fā)射極電壓，至10%集電極電流?升高時間（tr）：10%集電極電流，至90%集電極電流?關(guān)斷延時（tdoff）：90%柵極-發(fā)射極電壓，至90%集電極電流?下降時間（tf）：90%集電極電流，至10%...

但柵極連線的寄生電感和柵極-集電極之間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化膜損壞的振蕩電壓。為此，通常采用絞線來傳送驅(qū)動信號，以減小寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻可以抑制振動電壓。由于IGBT的柵極-發(fā)射極之間和柵極-集電極之間存在著分布電容，以及發(fā)射極驅(qū)動電路中存在著分布電感，這些分布參數(shù)的影響，使IGBT的實際驅(qū)動波形與理想驅(qū)動波形不完全相同，并且產(chǎn)生了不利于IGBT開通和關(guān)斷的因素。如圖1所示。在t0時刻，柵極驅(qū)動電壓開始上升，此時影響柵極電壓上升斜率的主要因素只有Rg和Cge，柵極電壓上升較快。在t1時刻達到IGBT的柵極門檻值，集電極電流開始上升。從此時有兩個因素影響Uge波形偏離原...

雙向可控硅應(yīng)用現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場很多，可控硅應(yīng)用在自動控制領(lǐng)域，機電領(lǐng)域，工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者，他目前的幾個大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單，可見可控硅在人們的生活中都有應(yīng)用。更重要的是，可控硅應(yīng)用相當穩(wěn)定，比方說用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān)，可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎么變化，可控硅的變化是不大的，這相對來說，等于擴大的可控硅的應(yīng)用市場，減少了投資的風險?？煽毓璧膬?yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三...

但過小會導(dǎo)致di/dt過大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計要求***綜合考慮。柵極驅(qū)動電阻對驅(qū)動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩，過大時脈沖的前后沿會發(fā)生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率，對于電流容量大的IGBT器件，應(yīng)提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯(lián)的電阻的阻值應(yīng)隨著IGBT電流容量的增大而減小。：⑴光耦驅(qū)動電路，光耦驅(qū)動電路是現(xiàn)代逆變器和變頻器設(shè)計時被***采用的一種電路，由于線路簡單，可靠性高，開關(guān)性能好，被許多逆變器和變頻器廠家所采用。由于驅(qū)動光耦的型號很多，所以選用的余...

⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關(guān)斷過電壓，應(yīng)盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應(yīng)采用低感或無感型；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅(qū)動，都具有一個～5V的閾值電壓，有一個容性輸入阻抗，因此IGBT對柵極電荷非常敏感故驅(qū)動電路必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅(qū)動電路與IGBT的連線要盡量短；⑹用內(nèi)阻小的驅(qū)動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關(guān)損耗盡量小。另外，IGBT開通后，柵極驅(qū)動源應(yīng)能提供足夠的功率，使IGBT不退出飽和而損壞；⑺驅(qū)動電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時，IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，但負載短路時的I...

但過小會導(dǎo)致di/dt過大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計要求***綜合考慮。柵極驅(qū)動電阻對驅(qū)動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩，過大時脈沖的前后沿會發(fā)生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率，對于電流容量大的IGBT器件，應(yīng)提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯(lián)的電阻的阻值應(yīng)隨著IGBT電流容量的增大而減小。：⑴光耦驅(qū)動電路，光耦驅(qū)動電路是現(xiàn)代逆變器和變頻器設(shè)計時被***采用的一種電路，由于線路簡單，可靠性高，開關(guān)性能好，被許多逆變器和變頻器廠家所采用。由于驅(qū)動光耦的型號很多，所以選用的余...

功率開關(guān)器件在工作前半周與后半周導(dǎo)***寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁。但是，如果IGBT驅(qū)動電路輸出脈寬不對稱或其他原因，就會產(chǎn)生正負半周不平衡問題，此時，變壓器內(nèi)的磁心會在某半周積累剩磁，出現(xiàn)“單向偏磁”現(xiàn)象，經(jīng)過幾個脈沖，就可以使變壓器單向磁通達到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態(tài)。這對于IGBT來說，極其危險，可能引發(fā)。橋式電路的另一缺點是容易產(chǎn)生直通現(xiàn)象。直通現(xiàn)象是指同橋臂的IGBT在前后半周導(dǎo)通區(qū)間出現(xiàn)重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時通過IGBT。針對上述兩點不足，從驅(qū)動的角度出發(fā)、設(shè)計的驅(qū)動電路必須滿足四路驅(qū)動的波形完全對稱，嚴格限制比...

功率開關(guān)器件在工作前半周與后半周導(dǎo)***寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁。但是，如果IGBT驅(qū)動電路輸出脈寬不對稱或其他原因，就會產(chǎn)生正負半周不平衡問題，此時，變壓器內(nèi)的磁心會在某半周積累剩磁，出現(xiàn)“單向偏磁”現(xiàn)象，經(jīng)過幾個脈沖，就可以使變壓器單向磁通達到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態(tài)。這對于IGBT來說，極其危險，可能引發(fā)。橋式電路的另一缺點是容易產(chǎn)生直通現(xiàn)象。直通現(xiàn)象是指同橋臂的IGBT在前后半周導(dǎo)通區(qū)間出現(xiàn)重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時通過IGBT。針對上述兩點不足，從驅(qū)動的角度出發(fā)、設(shè)計的驅(qū)動電路必須滿足四路驅(qū)動的波形完全對稱，嚴格限制比...