縱觀中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)走過(guò)的這二十年里，太陽(yáng)能電池的價(jià)格一年比一年低，成本下降的同時(shí)本質(zhì)是技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈的革新，而這其中的一代功臣就是切片技術(shù)。眾所周知，硅料的提純是一個(gè)高耗能和高工藝水平的一道工序，也直接是硅片價(jià)格不能夠一降再降的根本原因。在太陽(yáng)能電池片發(fā)展的這十幾年里，硅片的厚度一降再降，直接大幅度的拉低了太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)成本價(jià)格，為這個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)鏈做出了突出貢獻(xiàn)，接下來(lái)就讓我們認(rèn)識(shí)一下切片工序到底是怎么進(jìn)行的。一、切片的原理線切割是通過(guò)使用一條高速運(yùn)行的金屬線攜帶砂漿，把硅塊切割成薄片的。系統(tǒng)中，金屬線纏繞一組導(dǎo)輪形成一個(gè)切割線網(wǎng)。硅塊被頂起推在金屬線網(wǎng)上，同時(shí)金屬線網(wǎng)向一個(gè)方向（單線...

硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來(lái)對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測(cè)量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測(cè)模塊用來(lái)檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組，其中一個(gè)在線測(cè)試[url=]模組[/url]主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類型，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微...

太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850---900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過(guò)三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過(guò)一定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過(guò)硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面，也就是PN結(jié)。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)是太陽(yáng)電池生...

該工藝用于太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)制造過(guò)程中，通過(guò)化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸，以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴(kuò)散過(guò)程中，POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子，這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動(dòng)配酸系統(tǒng)等部分組成，主要?jiǎng)恿υ从袣浞?、氮?dú)?、壓縮空氣、純水，熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過(guò)量，反應(yīng)生成的四氟化硅會(huì)...

硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來(lái)對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測(cè)量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等外觀參數(shù);微裂紋檢測(cè)模塊用來(lái)檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋;另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組，其中一個(gè)在線測(cè)試模組主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類型，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)...

太陽(yáng)能分為晶硅電池和非晶硅電池，晶硅電池分為多晶和單晶硅電池（尺寸有125和156兩種），非晶硅薄膜電池按原料分很多種：砷化鎵、碲化鎘、銦銅鎵錫等等！！單晶效率（18-19%）比多晶高（16.5%-17.5%),單晶成本比多晶高!晶體硅電池成本比非晶硅電池高，效率也比非晶硅（9%-11%）高，但非晶硅比晶體硅有特色：比如非晶柔性電池、透光效果等，是晶體硅做不到的！太陽(yáng)能電池比較大的優(yōu)點(diǎn)是綠色、環(huán)保、壽命長(zhǎng)（60年），缺點(diǎn)是投資大、資源間歇性！太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝?無(wú)錫晶澳太陽(yáng)能電池片色差與常用的發(fā)電系統(tǒng)相比優(yōu)點(diǎn)太陽(yáng)能發(fā)電被稱為理想的新能源。①無(wú)枯竭危險(xiǎn)；②安全可靠，無(wú)噪聲，無(wú)污染排放外，干凈...

太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。以光電效應(yīng)工作的晶硅太陽(yáng)能電池為主流，而以光化學(xué)效應(yīng)工作的薄膜電池實(shí)施太陽(yáng)能電池則還處于萌芽階段。太陽(yáng)電池是一種可以將能量轉(zhuǎn)換的光電元件，其基本構(gòu)造是運(yùn)用P型與N型半導(dǎo)體接合而成的。半導(dǎo)體基本的材料是“硅”，它是不導(dǎo)電的，但如果在半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì)，就可以做成P型與N型半導(dǎo)體，再利用P型半導(dǎo)體有個(gè)空穴。與N型半導(dǎo)體多了一個(gè)自由電子的電位差來(lái)產(chǎn)生電流，所以當(dāng)太陽(yáng)光照射時(shí)，光能將硅原子中的電子激發(fā)出來(lái)，而產(chǎn)生電子和空穴的對(duì)流，這些電子和空穴均會(huì)受到內(nèi)建電位的影響，分別被N型及P型半導(dǎo)體吸引，而聚集在兩端。此時(shí)外部如果...

太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。以光電效應(yīng)工作的晶硅太陽(yáng)能電池為主流，而以光化學(xué)效應(yīng)工作的薄膜電池實(shí)施太陽(yáng)能電池則還處于萌芽階段。太陽(yáng)電池是一種可以將能量轉(zhuǎn)換的光電元件，其基本構(gòu)造是運(yùn)用P型與N型半導(dǎo)體接合而成的。半導(dǎo)體基本的材料是“硅”，它是不導(dǎo)電的，但如果在半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì)，就可以做成P型與N型半導(dǎo)體，再利用P型半導(dǎo)體有個(gè)空穴。與N型半導(dǎo)體多了一個(gè)自由電子的電位差來(lái)產(chǎn)生電流，所以當(dāng)太陽(yáng)光照射時(shí)，光能將硅原子中的電子激發(fā)出來(lái)，而產(chǎn)生電子和空穴的對(duì)流，這些電子和空穴均會(huì)受到內(nèi)建電位的影響，分別被N型及P型半導(dǎo)體吸引，而聚集在兩端。此時(shí)外部如果...

太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850---900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過(guò)三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過(guò)一定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過(guò)硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面，也就是PN結(jié)。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)...

太陽(yáng)能電池發(fā)電原理:太陽(yáng)電池是一種對(duì)光有響應(yīng)并能將光能轉(zhuǎn)換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種，如：?jiǎn)尉Ч?，多晶硅，非晶硅，砷化鎵，硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)已晶體硅為例描述光發(fā)電過(guò)程。P型晶體硅經(jīng)過(guò)摻雜磷可得N型硅，形成P-N結(jié)。當(dāng)光線照射太陽(yáng)電池表面時(shí)，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了越遷，成為自由電子在P-N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當(dāng)外部接通電路時(shí)，在該電壓的作用下，將會(huì)有電流流過(guò)外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個(gè)過(guò)程的的實(shí)質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過(guò)程。太陽(yáng)能電池片帶電嗎？北京太陽(yáng)能電池片色差 鋼化玻璃其作用為保護(hù)發(fā)電主體（如電池片...

縱觀中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)走過(guò)的這二十年里，太陽(yáng)能電池的價(jià)格一年比一年低，成本下降的同時(shí)本質(zhì)是技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈的革新，而這其中的一代功臣就是切片技術(shù)。眾所周知，硅料的提純是一個(gè)高耗能和高工藝水平的一道工序，也直接是硅片價(jià)格不能夠一降再降的根本原因。在太陽(yáng)能電池片發(fā)展的這十幾年里，硅片的厚度一降再降，直接大幅度的拉低了太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)成本價(jià)格，為這個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)鏈做出了突出貢獻(xiàn)，接下來(lái)就讓我們認(rèn)識(shí)一下切片工序到底是怎么進(jìn)行的。一、切片的原理線切割是通過(guò)使用一條高速運(yùn)行的金屬線攜帶砂漿，把硅塊切割成薄片的。系統(tǒng)中，金屬線纏繞一組導(dǎo)輪形成一個(gè)切割線網(wǎng)。硅塊被頂起推在金屬線網(wǎng)上，同時(shí)金屬線網(wǎng)向一個(gè)方向（單線...

太陽(yáng)能電池發(fā)電是根據(jù)特定材料的光電性質(zhì)制成的。黑體(如太陽(yáng))輻射出不同波長(zhǎng)(對(duì)應(yīng)于不同頻率)的電磁波， 如紅外線、紫外線、可見(jiàn)光等等。當(dāng)這些射線照射在不同導(dǎo)體或半導(dǎo)體上，光子與導(dǎo)體或半導(dǎo)體中的自由電子作用產(chǎn)生電流。射線的波長(zhǎng)越短，頻率越高，所具有的能量就越高，例如紫外線所具有的能量要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于紅外線。但是并非所有波長(zhǎng)的射線的能量都能轉(zhuǎn)化為電能，值得注意的是光伏效應(yīng)于射線的強(qiáng)度大小無(wú)關(guān)，只有頻率達(dá)到或超越可產(chǎn)生光伏效應(yīng)的閾值時(shí)，電流才能產(chǎn)生。能夠使半導(dǎo)體產(chǎn)生光伏效應(yīng)的光的比較**長(zhǎng)同該半導(dǎo)體的禁帶寬度相關(guān)，譬如晶體硅的禁帶寬度在室溫下約為1.155eV，因此必須波長(zhǎng)小于1100nm的光線才可以使晶...

太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測(cè)——表面制絨及酸洗——擴(kuò)散制結(jié)——去磷硅玻璃——等離子刻蝕及酸洗——鍍減反射膜——絲網(wǎng)印刷——快速燒結(jié)等。具體介紹如下：一，硅片檢測(cè)硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。二、表面制絨單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率三、擴(kuò)散制結(jié)太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的設(shè)備四、去磷硅玻璃該工...

多晶硅(p-Si)熔融硅在順控條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。結(jié)晶后的多晶硅經(jīng)開(kāi)方、倒角、切片等一系列的工藝加工后的成品硅片即為多晶硅片多晶硅片的表觀為深藍(lán)色的方片單晶硅(c-Si)以高純度多晶硅為原料在單晶爐中被熔化為液態(tài)在單晶種（籽晶）上結(jié)晶而成由于其晶體的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齊排列所以稱為單晶硅。單晶硅棒經(jīng)截?cái)唷⑷》?、切片后得到的成品硅片即為單晶硅片單晶硅片表觀為金屬灰色的準(zhǔn)方片單晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率較高可,但價(jià)格較高。多晶硅電池價(jià)格相對(duì)較低轉(zhuǎn)換效率也相對(duì)低些。但多晶硅片...

鍍減反射膜拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學(xué)的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很...

擴(kuò)散制結(jié)太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。制造PN結(jié)是太陽(yáng)電池生產(chǎn)基本也是關(guān)鍵的工序。因?yàn)檎荘N結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。去磷硅玻璃該工藝用于太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)制造過(guò)程中，通過(guò)化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸，以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c...

多晶硅太陽(yáng)電他的出現(xiàn)主要是為了降低成本，其優(yōu)點(diǎn)是能直接制備出適于規(guī)?；a(chǎn)的大尺寸方型硅錠，設(shè)備比較簡(jiǎn)單，制造過(guò)程簡(jiǎn)單、省電、節(jié)約硅材料，對(duì)材質(zhì)要求也較低。晶界及雜質(zhì)影響可通過(guò)電池加工工藝進(jìn)行改善；由于材質(zhì)和晶界影響，電池效率較低。電池工藝主要采用吸雜、鈍化、背場(chǎng)等技術(shù)。常規(guī)鋁吸雜工藝是在電池的背面蒸鍍鋁膜后經(jīng)過(guò)燒結(jié)形成，也可同時(shí)形成電池的背場(chǎng)。近幾年在吸雜上的工作證明，它對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池及多晶硅太陽(yáng)電池都會(huì)產(chǎn)生一定的作用。鈍化是提高多晶硅質(zhì)量的有效方法。一種方法是采用氫鈍化，鈍化硅體內(nèi)的懸掛鍵等缺點(diǎn)。在晶體生長(zhǎng)中受應(yīng)力等影響造成缺點(diǎn)越多的硅材料，氫鈍化的效果越好。氫鈍化可采用離子...

擴(kuò)散制結(jié)太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池PN結(jié)的設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850---900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過(guò)三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過(guò)一定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過(guò)硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面，也就是PN結(jié)。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)是太...

組件的電阻有并聯(lián)電阻和串聯(lián)電阻之分：串聯(lián)電阻影響太陽(yáng)電池的正向伏安特性，使得正向偏壓較低時(shí)電流大于理想值，正向偏壓增大時(shí)伏安特性偏離**關(guān)系；并聯(lián)電阻產(chǎn)生的漏電流影響反向特性和正向小偏壓特性，使正向偏壓較低時(shí)電流大于理想值，使反向電流不能飽和，在反向偏壓較大時(shí)電流電壓偏離**關(guān)系。另一方面，并聯(lián)電阻Rsh影響太陽(yáng)電池開(kāi)路電壓，Rsh減小會(huì)使開(kāi)路電壓降低，但對(duì)短路電流基本沒(méi)有影響；串聯(lián)電阻Rs影響短路電流，Rs增大會(huì)使短路電流降低，而對(duì)開(kāi)路電壓沒(méi)有影響；Rsh的減小和Rsh的增大都會(huì)使太陽(yáng)電池的填充因子和光電轉(zhuǎn)換效率降低。太陽(yáng)能電池片回收多少錢一斤？四川非晶硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)硅片是太陽(yáng)能電池片的...

多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池通常的晶體硅太陽(yáng)能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，人們從70年代中期就開(kāi)始在廉價(jià)襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長(zhǎng)的硅膜晶粒大小，未能制成有價(jià)值的太陽(yáng)能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒(méi)有停止過(guò)研究，并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來(lái)制備多晶硅薄膜電池。化學(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH...

等離子刻蝕由于在擴(kuò)散過(guò)程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因此，必須對(duì)太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)。活性反應(yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場(chǎng)作用下到達(dá)SiO2表面，在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并形成揮發(fā)性的反...

太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測(cè)--表面制絨及酸洗--擴(kuò)散制結(jié)--去磷硅玻璃--等離子刻蝕及酸洗--鍍減反射膜--絲網(wǎng)印刷--快速燒結(jié)等。具體介紹如下:一、硅片檢測(cè)硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢茫瑥亩岣邫z測(cè)精度和效率。二、表面制絨單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。制備絨面前，硅片須先進(jìn)行初...

大面積的太陽(yáng)能電池板，差不多2平方米的太陽(yáng)直射能提供約2000w的功率，但是民用太陽(yáng)能電池板一般只能提供10%～15%的轉(zhuǎn)換效率也就是說(shuō)一平方的太陽(yáng)能電池板只能提供200w～300w，而且還是必須是直射，由于個(gè)人很難安裝24小時(shí)自動(dòng)準(zhǔn)太陽(yáng)角度的設(shè)備，所以實(shí)際效率還會(huì)更低。弄得不好的話估計(jì)也就能提供100～150w的平均功率單晶125R150,的面積是14871平方mm多晶156是24336平方mm也就是長(zhǎng)X寬等于面積太陽(yáng)能電池板哪家公司做的好，無(wú)錫薩克特給您答案，歡迎您的來(lái)電！??！太陽(yáng)能電池單片體積是多大？江蘇雙晶硅太陽(yáng)能電池片 太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換...

因?yàn)榻z網(wǎng)印刷的原因。太陽(yáng)電池經(jīng)過(guò)制絨、擴(kuò)散及PECVD等工序后，已經(jīng)制成PN結(jié)，可以在光照下產(chǎn)生電流，為了將產(chǎn)生的電流導(dǎo)出，需要在電池表面上制作正、負(fù)兩個(gè)電極。制造電極的方法很多，而絲網(wǎng)印刷是目前制作太陽(yáng)電池電極普遍的一種生產(chǎn)工藝。對(duì)于太陽(yáng)能電池來(lái)說(shuō)，為了獲得盡可能高的光電轉(zhuǎn)化效率，對(duì)電池的結(jié)構(gòu)必須進(jìn)行詳細(xì)設(shè)計(jì)。金屬柵線負(fù)責(zé)把電池體內(nèi)的光生電流引到電池外部。太陽(yáng)電池柵線的比較好設(shè)計(jì)是以電池總功率損耗小為依據(jù)的。柵線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)得好，將使電池的串聯(lián)電阻小，從而使功率損耗小、輸出功率比較大，這對(duì)大面積功率輸出的單體太陽(yáng)能電池尤為重要。工藝上細(xì)柵線寬度的減小可以使所需的比較好細(xì)柵線間距減小，...

按電池片的類型可以分：?jiǎn)尉А⒍嗑?、非晶三種，現(xiàn)工廠生產(chǎn)的多為多晶和單晶非晶較少按電池板中包含的電池片的多少主要有：5612p、5612M、6610P、6612P注：5612M5：電池片尺寸6：電池片的串?dāng)?shù)12：?jiǎn)未姵仄臄?shù)量P（多晶）、M（單晶）你見(jiàn)到的純黑色多為：?jiǎn)尉钏{(lán)色多為：多晶還有樓主說(shuō)的“花”，是多晶才有的，多晶是由多個(gè)單晶組成，單晶和單晶在成晶的時(shí)候由于條件的不同之間會(huì)有的界限，線切割完后會(huì)看到不規(guī)格的圖案，熟稱“花”，實(shí)際上一個(gè)花就是一個(gè)單晶，所以從單晶轉(zhuǎn)換的效率看大花的效率要比小花的效率高。太陽(yáng)能電池片含鉛嗎？？？江蘇單晶硅太陽(yáng)能電池片色差太陽(yáng)能電池發(fā)電是根據(jù)特定材料的光電性...

太陽(yáng)能電池是基于半導(dǎo)體的光伏效應(yīng)將太陽(yáng)輻射直接轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件?，F(xiàn)在商品化的太陽(yáng)能電池主要有以下幾種類型：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池、多晶硅太陽(yáng)能電池、非晶硅太陽(yáng)能電池，目前還有碲華鎘電池、銅銦硒電池、納米氧化鈦敏化電池、多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池及有機(jī)太陽(yáng)能電池等。晶體硅（單晶、多晶）太陽(yáng)能電池需要高純度的硅原料，一般要求純度至少是99.99998%，也就是一千萬(wàn)個(gè)硅原子中多允許2個(gè)雜質(zhì)原子存在。硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我們所熟悉的沙子）作為原料，將其熔化并除去雜質(zhì)就可制取粗級(jí)硅。從二氧化硅到太陽(yáng)能電池片，涉及多個(gè)生產(chǎn)工藝和過(guò)程，一般大致分為：二氧化硅—>冶金級(jí)硅—>高純?nèi)葰涔琛?高純度...

太陽(yáng)能分為晶硅電池和非晶硅電池，晶硅電池分為多晶和單晶硅電池（尺寸有125和156兩種），非晶硅薄膜電池按原料分很多種：砷化鎵、碲化鎘、銦銅鎵錫等等??！單晶效率（18-19%）比多晶高（16.5%-17.5%),單晶成本比多晶高!晶體硅電池成本比非晶硅電池高，效率也比非晶硅（9%-11%）高，但非晶硅比晶體硅有特色：比如非晶柔性電池、透光效果等，是晶體硅做不到的！太陽(yáng)能電池比較大的優(yōu)點(diǎn)是綠色、環(huán)保、壽命長(zhǎng)（60年），缺點(diǎn)是投資大、資源間歇性！如果您想了解更多關(guān)于太陽(yáng)能電池片的信息，歡迎您咨詢薩科特。晶硅太陽(yáng)能電池片，每一片瓦數(shù)是多少？透明太陽(yáng)能電池片規(guī)格 太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的P...

太陽(yáng)能分為晶硅電池和非晶硅電池，晶硅電池分為多晶和單晶硅電池（尺寸有125和156兩種），非晶硅薄膜電池按原料分很多種：砷化鎵、碲化鎘、銦銅鎵錫等等?。尉剩?8-19%）比多晶高（16.5%-17.5%),單晶成本比多晶高!晶體硅電池成本比非晶硅電池高，效率也比非晶硅（9%-11%）高，但非晶硅比晶體硅有特色：比如非晶柔性電池、透光效果等，是晶體硅做不到的！太陽(yáng)能電池比較大的優(yōu)點(diǎn)是綠色、環(huán)保、壽命長(zhǎng)（60年），缺點(diǎn)是投資大、資源間歇性！太陽(yáng)能電池片的功能用途！安徽單晶太陽(yáng)能電池片進(jìn)口 太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體p-n結(jié)上，形成新的空穴-電子對(duì)，在p-n結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，光生空穴流向p區(qū)...

大面積的太陽(yáng)能電池板，差不多2平方米的太陽(yáng)直射能提供約2000w的功率，但是民用太陽(yáng)能電池板一般只能提供10%～15%的轉(zhuǎn)換效率也就是說(shuō)一平方的太陽(yáng)能電池板只能提供200w～300w，而且還是必須是直射，由于個(gè)人很難安裝24小時(shí)自動(dòng)準(zhǔn)太陽(yáng)角度的設(shè)備，所以實(shí)際效率還會(huì)更低。弄得不好的話估計(jì)也就能提供100～150w的平均功率單晶125R150,的面積是14871平方mm多晶156是24336平方mm也就是長(zhǎng)X寬等于面積太陽(yáng)能電池板哪家公司做的好，無(wú)錫薩克特給您答案，歡迎您的來(lái)電！?。》蔷Ч枧c單晶硅和多晶硅的太陽(yáng)能電池板區(qū)別？無(wú)錫薄膜太陽(yáng)能電池片色差太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能...

鋼化玻璃其作用為保護(hù)發(fā)電主體（如電池片），透光其選用是有要求的。2、EVA用來(lái)粘結(jié)固定鋼化玻璃和發(fā)電主體（如電池片），透明EVA材質(zhì)的優(yōu)劣直接影響到組件的壽命，暴露在空氣中的EVA易老化發(fā)黃，從而影響組件的透光率。從而影響組件的發(fā)電質(zhì)量除了EVA本身的質(zhì)量外，組件廠家的層壓工藝影響也是非常大的，如EVA膠連度不達(dá)標(biāo)，EVA與鋼化玻璃、背板粘接強(qiáng)度不夠，都會(huì)引起EVA提早老化，影響組件壽命。3、電池片主要作用就是發(fā)電，發(fā)電主體市場(chǎng)上主流的是晶體硅太陽(yáng)電池片、薄膜太陽(yáng)能電池片，兩者各有優(yōu)劣。4、EVA作用如上，主要粘結(jié)封裝發(fā)電主體和背板5、背板作用，密封、絕緣、防水（一般都用TPT、T...