江蘇雙晶硅太陽能電池片進(jìn)口

    因?yàn)榻z網(wǎng)印刷的原因。太陽電池經(jīng)過制絨、擴(kuò)散及PECVD等工序后，已經(jīng)制成PN結(jié)，可以在光照下產(chǎn)生電流，為了將產(chǎn)生的電流導(dǎo)出，需要在電池表面上制作正、負(fù)兩個(gè)電極。制造電極的方法很多，而絲網(wǎng)印刷是目前制作太陽電池電極普遍的一種生產(chǎn)工藝。對(duì)于太陽能電池來說，為了獲得盡可能高的光電轉(zhuǎn)化效率，對(duì)電池的結(jié)構(gòu)必須進(jìn)行詳細(xì)設(shè)計(jì)。金屬柵線負(fù)責(zé)把電池體內(nèi)的光生電流引到電池外部。太陽電池柵線的比較好設(shè)計(jì)是以電池總功率損耗小為依據(jù)的。柵線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)得好，將使電池的串聯(lián)電阻小，從而使功率損耗小、輸出功率比較大，這對(duì)大面積功率輸出的單體太陽能電池尤為重要。工藝上細(xì)柵線寬度的減小可以使所需的比較好細(xì)柵線間距減小，可以很大程度上減少頂層橫向電流總相對(duì)功率損耗和細(xì)柵線遮光相對(duì)功率損耗，從而減少電極引起的總的功率損耗。為了提高方阻的同時(shí)，降低由于電極引起的功率損耗，就需要增加細(xì)柵線條數(shù)、減小細(xì)柵線寬度。 太陽能電池片的生產(chǎn)工藝?江蘇雙晶硅太陽能電池片進(jìn)口

    光伏電池的發(fā)電原理可說就是光伏發(fā)電原理：光伏發(fā)電是利用半導(dǎo)體界面的光生伏***應(yīng)而將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵元件是太陽能電池。太陽能電池經(jīng)過串聯(lián)后進(jìn)行封裝保護(hù)可形成大面積的太陽電池組件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發(fā)電裝置。光伏發(fā)電的主要具體原理是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。光子照射到金屬上時(shí)，它的能量可以被金屬中某個(gè)電子全部吸收，電子吸收的能量足夠大，能克服金屬內(nèi)部引力做功，離開金屬表面逃逸出來，成為光電子。硅原子有4個(gè)外層電子，如果在純硅中摻入有5個(gè)外層電子的原子如磷原子，就成為N型半導(dǎo)體；若在純硅中摻入有3個(gè)外層電子的原子如硼原子，形成P型半導(dǎo)體。當(dāng)P型和N型結(jié)合在一起時(shí)，接觸面就會(huì)形成電勢(shì)差，成為太陽能電池。當(dāng)太陽光照射到P－N結(jié)后，空穴由P極區(qū)往N極區(qū)移動(dòng)，電子由N極區(qū)向P極區(qū)移動(dòng)，形成電流。上面所說的光電效應(yīng)就是光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。它首先是由光子(光波)轉(zhuǎn)化為電子、光能量轉(zhuǎn)化為電能量的過程；其次，是形成電壓過程。 安徽硅太陽能電池片生產(chǎn)太陽能電池片Eta17.9%代表什么？

    多晶硅太陽電他的出現(xiàn)主要是為了降低成本，其優(yōu)點(diǎn)是能直接制備出適于規(guī)?；a(chǎn)的大尺寸方型硅錠，設(shè)備比較簡單，制造過程簡單、省電、節(jié)約硅材料，對(duì)材質(zhì)要求也較低。晶界及雜質(zhì)影響可通過電池加工工藝進(jìn)行改善；由于材質(zhì)和晶界影響，電池效率較低。電池工藝主要采用吸雜、鈍化、背場等技術(shù)。常規(guī)鋁吸雜工藝是在電池的背面蒸鍍鋁膜后經(jīng)過燒結(jié)形成，也可同時(shí)形成電池的背場。近幾年在吸雜上的工作證明，它對(duì)單晶硅太陽電池及多晶硅太陽電池都會(huì)產(chǎn)生一定的作用。鈍化是提高多晶硅質(zhì)量的有效方法。一種方法是采用氫鈍化，鈍化硅體內(nèi)的懸掛鍵等缺點(diǎn)。在晶體生長中受應(yīng)力等影響造成缺點(diǎn)越多的硅材料，氫鈍化的效果越好。氫鈍化可采用離子注入或等離子體處理。在多晶硅太陽電池表面采用PECVD法鍍上一層氮化硅減反射膜，由于硅烷分解時(shí)產(chǎn)生氫離子，對(duì)多晶硅可產(chǎn)生氫鈍化的效果。在太陽電池上常采用表面氧鈍化的技術(shù)來提高太陽電他的效率，近年來在光伏級(jí)的晶體硅材料上使用也有明顯的效果，尤其采用熱氧化法效果更明顯。使用PECVD法在更低的溫度下進(jìn)行表面氧化，近年來也被使用，具有一定的效果。

    硅片是太陽能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測(cè)量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等外觀參數(shù);微裂紋檢測(cè)模塊用來檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋;另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組，其中一個(gè)在線測(cè)試模組主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類型，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而提高檢測(cè)精度和效率。 太陽能電池板是將太陽能直接轉(zhuǎn)化為電能嗎？

太陽電池的主柵是不確定數(shù)目的，這都是隨時(shí)代而變換的，以前是兩主柵，后面有三主柵，還有五主柵，其實(shí)也有研究過無主柵的，主柵的主要作用與細(xì)柵類似，都是收集載流子，但是呢，主柵的數(shù)量及寬度是要追求一個(gè)比較好化的，既要滿足足夠多和粗來講全部的有效載流子收集起來，又要盡可能的少和細(xì)來盡量減少對(duì)太陽光的阻擋作用。因此需要在這之間找一個(gè)平衡。因?yàn)楸趁娌簧婕暗讲晒鈫栴}（普通電池），所以一般設(shè)計(jì)成全鋁背場，但是也得要載流子導(dǎo)出來啊，所以會(huì)有背銀的存在，全鋁背場和背銀都是背電極。主柵和背面的背銀都是為了焊接用的，你看到的封裝好的電池，前面的主柵上是焊了一條焊帶的，背面也是，背銀的作用就是為焊帶焊接導(dǎo)出載流子而用的，需要注意的是細(xì)柵和主柵是絲網(wǎng)印刷印上去的，而你看到封裝好的電池的主柵上覆蓋了一層焊帶，這是焊上去的。至于你說的正極負(fù)極，這跟柵線的數(shù)目沒有關(guān)系，這主要與電池片的類型有關(guān)，P型電池片的正極是背電極，前電極（主柵細(xì)柵）就是負(fù)極。太陽能電池片規(guī)格單位是什么？天津硅太陽能電池片柵線

太陽能電池的主要參數(shù).江蘇雙晶硅太陽能電池片進(jìn)口

等離子刻蝕由于在擴(kuò)散過程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因此，必須對(duì)太陽能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)?；钚苑磻?yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場作用下到達(dá)SiO2表面，在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面，被真空系統(tǒng)抽出腔體。江蘇雙晶硅太陽能電池片進(jìn)口

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