官方鍵合機圖像傳感器應(yīng)用

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 EVG的各種鍵合對準（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢。官方鍵合機圖像傳感器應(yīng)用

EVG®320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)用途：自動單晶片清洗系統(tǒng)，可有效去除顆粒EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預(yù)對準和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗。特征多達四個清潔站全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理可進行雙面清潔的邊緣處理（可選）使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進行高/效清潔先進的遠程診斷防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程 EVG805鍵合機質(zhì)保期多久業(yè)內(nèi)主流鍵合機使用工藝：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。

ZiptronixInc.與EVGroup（簡稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機和SmartViewNT鍵合對準機上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制，只需要可進行測量的適當?shù)膶屎筒季止ぞ撸@是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準精度，此對準精度上的改進為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?！?nbsp;

什么是YONG久鍵合系統(tǒng)呢？EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場GEMING。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當今的工藝標準，EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供ZUI佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或高級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。 自動鍵合系統(tǒng)EVG?540，擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。

EVG®805解鍵合系統(tǒng)用途：薄晶圓解鍵合。EVG805是半自動系統(tǒng)，用于剝離臨時鍵合和加工過的晶圓疊層，該疊層由器件晶圓，載體晶圓和中間臨時鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機械剝離?？梢詫⒈【A卸載到單個基板載體上，以在工具之間安全可靠地運輸。特征：開放式膠粘劑平臺解鍵合選項：熱滑解鍵合解鍵合機械解鍵合程序控制系統(tǒng)實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)薄晶圓處理的獨特功能多種卡盤設(shè)計，可支撐ZUI大300mm的晶圓/基板和載體高形貌的晶圓處理技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）晶片ZUI大300mm高達12英寸的薄膜組態(tài)1個解鍵合模塊選件紫外線輔助解鍵合高形貌的晶圓處理不同基板尺寸的橋接能力 EVG鍵合機可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮工藝。EVG560鍵合機研發(fā)生產(chǎn)

同時，EVG研發(fā)生產(chǎn)的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標準。官方鍵合機圖像傳感器應(yīng)用

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復(fù)雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。 官方鍵合機圖像傳感器應(yīng)用