北京光刻機(jī)研發(fā)可以用嗎

EVG®620NT掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（半自動(dòng)/自動(dòng)）特色：EVG®620NT提供國(guó)家的本領(lǐng)域掩模對(duì)準(zhǔn)技術(shù)在ZUI小化的占位面積，支持高達(dá)150毫米晶圓尺寸。技術(shù)數(shù)據(jù)：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著稱，在ZUI小的占位面積上結(jié)合了先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能和ZUI優(yōu)化的總體擁有成本，提供了ZUI先進(jìn)的掩模對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。它是光學(xué)雙面光刻的理想工具，可提供半自動(dòng)或自動(dòng)配置以及可選的全覆蓋Gen2解決方案，以滿足大批量生產(chǎn)要求和制造標(biāo)準(zhǔn)。擁有操作員友好型軟件，ZUI短的掩模和工具更換時(shí)間以及高/效的全球服務(wù)和支持，使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG已經(jīng)與研究機(jī)構(gòu)合作超過(guò)35年，能夠深入了解他們的獨(dú)特需求。北京光刻機(jī)研發(fā)可以用嗎

EVG®150特征：晶圓尺寸可達(dá)300毫米多達(dá)6個(gè)過(guò)程模塊可自定義的數(shù)量-多達(dá)20個(gè)烘烤/冷卻/汽化堆多達(dá)四個(gè)FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載可用的模塊包括旋轉(zhuǎn)涂層，噴涂，NanoCoat?，顯影，烘烤/冷卻/蒸氣/上等EV集團(tuán)專有的OmniSpray®超聲波霧化技術(shù)提供了無(wú)與倫BI的處理結(jié)果，當(dāng)涉及到極端地形的保形涂層可選的NanoSpray?模塊實(shí)現(xiàn)了300微米深圖案的保形涂層，長(zhǎng)寬比ZUI高為1:10，垂直側(cè)壁廣范的支持材料烘烤模塊溫度高達(dá)250°CMegasonic技術(shù)用于清潔，聲波化學(xué)處理和顯影，可提高處理效率并將處理時(shí)間從數(shù)小時(shí)縮短至數(shù)分鐘寧夏光刻機(jī)有哪些應(yīng)用可以使用用于壓印光刻的工具，例如紫外光納米壓印光刻，熱壓印或微接觸印刷。

EVG120特征：晶圓尺寸可達(dá)200毫米超緊湊設(shè)計(jì)，占用空間蕞小蕞多2個(gè)涂布/顯影室和10個(gè)加熱/冷卻板用于旋涂和噴涂，顯影，烘烤和冷卻的多功能模塊的多功能組合為許多應(yīng)用領(lǐng)域提供了巨大的機(jī)會(huì)化學(xué)柜，用于化學(xué)品的外部存儲(chǔ)EV集團(tuán)專有的OmniSpray®超聲波霧化技術(shù)提供了沒(méi)人可比的處理結(jié)果，當(dāng)涉及到極端地形的保形涂層CoverSpinTM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗并優(yōu)化光刻膠涂層的均勻性Megasonic技術(shù)用于清潔，聲波化學(xué)處理和顯影，可提高處理效率并將處理時(shí)間從數(shù)小時(shí)縮短至數(shù)分鐘

EVG的光刻機(jī)技術(shù)：EVG在光刻技術(shù)上的關(guān)鍵能力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)器的高產(chǎn)能，接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統(tǒng)的內(nèi)部處理的相關(guān)知識(shí)。EVG的所有光刻設(shè)備平臺(tái)均支持300毫米的晶圓，可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并配有用于從上到下的側(cè)面對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的度量工具。EVG不斷展望未來(lái)的市場(chǎng)趨勢(shì)，因此提供了針對(duì)特定應(yīng)用的解決方案，尤其是在光學(xué)3D傳感和光子學(xué)市場(chǎng)中，其無(wú)人能比的EVG的工藝和材料專業(yè)知識(shí)-源自對(duì)各種光刻膠材料進(jìn)行的廣范優(yōu)化研究。了解客戶需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解決方案成功的重要因素。IQ Aligner光刻機(jī)支持的晶圓尺寸高達(dá)200 mm / 300 mm。

EVG®610曝光源：汞光源/紫外線LED光源；楔形補(bǔ)償全自動(dòng)軟件控制；晶圓直徑（基板尺寸）高達(dá)100/150/200毫米；曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式；曝光選項(xiàng)：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光；先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能：手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證手動(dòng)交叉校正大間隙對(duì)準(zhǔn)；EVG®610光刻機(jī)系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無(wú)限制程序和參數(shù)多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術(shù)為“無(wú)紫外線”。EVG在1985年發(fā)明了世界上弟一個(gè)底部對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，可以在頂部和雙面光刻。山東光刻機(jī)技術(shù)支持

EVG?620NT/EVG?6200NT掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（自動(dòng)化和半自動(dòng)化）支持的晶圓尺寸：150mm/200mm。北京光刻機(jī)研發(fā)可以用嗎

G®105—晶圓烘烤模塊設(shè)計(jì)理念：?jiǎn)螜C(jī)EVG®105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過(guò)程而設(shè)計(jì)。特點(diǎn)：可以在EVG105烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過(guò)程。受控的烘烤環(huán)境可確保均勻蒸發(fā)?？删幊痰慕咏N可提供對(duì)光刻膠硬化過(guò)程和溫度曲線的ZUI佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時(shí)處理300mm的晶圓尺寸或4個(gè)100mm的晶圓。特征獨(dú)力烘烤模塊晶片尺寸ZUI大為300毫米，或同時(shí)ZUI多四個(gè)100毫米晶片溫度均勻性≤±1°C@100°C，ZUI高250°C烘烤溫度用于手動(dòng)和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷烘烤定時(shí)器基材真空（直接接觸烘烤）N2吹掃和近程烘烤0-1mm距離晶片至加熱板可選不規(guī)則形狀的基材技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)300毫米烤盤(pán)：溫度范圍：≤250°C手動(dòng)將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙。北京光刻機(jī)研發(fā)可以用嗎