江西小功率可控硅模塊報價

可控硅模塊選購注意事項:

(1)注明您需要的產品的型號、結構（螺栓、凹臺、凸臺）、配置散熱器型號。

(2)注明您關注的參數要求。

(3)選擇電流電壓時要留有適當的余量；

可控硅模塊使用注意事項：

(1)線路中須有過壓過流保護措施，串并聯使用時必須有均流措施。

(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞： 門陰極間電阻，應有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻近零時表明器件已擊穿。發(fā)現有短路或斷路現象時，應立即更換。

(3)嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。

滿足可控硅模塊工作的必要條件：

（1）+12V直流電源：可控硅模塊內部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安培產品：I+12V＞0.5A，標稱電流大于500安培產品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模塊控制信號：0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號，正極接CON10V或CON20mA，負極接GND1。

（3）可控硅模塊供電電源和負載：供電電源一般為電網電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。 江西小功率可控硅模塊報價淄博正高電氣有限公司尊崇團結、信譽、勤奮。

可控硅模塊特點：

1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。

5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。

可控硅模塊屬于電氣元器件，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關器件，它是從普通可控硅模塊的基礎上發(fā)展而來的，使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能。

雙向可控硅模塊是由一對反并聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導通，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數，對雙向可控硅模塊進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。 淄博正高電氣有限公司憑借多年的經驗，依托雄厚的科研實力。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

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雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。

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