這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品，當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時(shí)，能保證它們之間的充分接觸，有利于熱傳導(dǎo)，從而使模塊的接觸熱阻降低，有利于模塊的出力和可靠性。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上)，因此，必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要充分考慮消除寄生電感等問(wèn)題，為...

一是來(lái)自肖特基勢(shì)壘的注入；二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴(kuò)散電流。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過(guò)程是：半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加，導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來(lái)越大...

選擇快恢復(fù)二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航怠⒎聪蚰蛪?、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加反向電壓時(shí)...

快恢復(fù)二極管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1005CT~SF106...

所述第三整流二極管及第四整流二極管的正極粘接于所述信號(hào)地基島上，負(fù)極連接分別連接所述火線管腳及所述零線管腳。可選地，所述至少兩個(gè)基島包括火線基島及零線基島；所述整流橋包括第五整流二極管、第六整流二極管、第七整流二極管及第八整流二極管；所述第五整流二極管及...

貼片整流橋堆性能優(yōu)劣判別根據(jù)貼片橋堆的內(nèi)部電路，可用萬(wàn)用表簡(jiǎn)便地開(kāi)展判別。首先將萬(wàn)用表放到10kΩ檔，測(cè)量一下貼片整流橋堆的交流電源輸入正直、反向電阻，其阻值正常時(shí)應(yīng)都為無(wú)限大。當(dāng)4只整流貼片二極管中有一只擊穿或漏電時(shí)，三相整流橋模塊mds，都會(huì)引致其阻值變小...

當(dāng)設(shè)置于所述信號(hào)地基島14上時(shí)所述控制芯片12的襯底與所述信號(hào)地基島14電連接，散熱效果好。當(dāng)設(shè)置于其他基島上時(shí)所述控制芯片12的襯底與該基島絕緣設(shè)置，包括但不限于絕緣膠，以防止短路，散熱效果略差。具體設(shè)置方式可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定，在此不一一贅述。本實(shí)施例...

整流橋KBP207在DC12V/1A產(chǎn)品中的應(yīng)用。顧名思義整流橋是把交流電整流成直流電，交流電220伏經(jīng)降壓變壓器產(chǎn)生低壓交流電15.5V（空載電壓），經(jīng)整流橋KBP207整流成直流電，再經(jīng)2200UF的電解電容濾波得到較平滑的直流電，然后用一顆三端穩(wěn)壓器LM...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法...

所述容納腔的內(nèi)部也填入有冰晶混合物。所述散熱桿至少設(shè)有四根。所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種，所述封裝外殼的表面涂覆有絕緣涂層。所述絕緣涂層包括電隔離層和粘合層，所述粘合層涂覆在封裝外殼的外表面，所述電隔離層涂覆在所述粘合層的外表面，所述電隔離層為pf...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法...

所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負(fù)極連接所述第三電容c3與所述電感l(wèi)1的連接節(jié)點(diǎn)。如圖4所示，所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs，另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為非隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用，適...

在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場(chǎng)化的碳化硅電力電子器件。美國(guó)Semisouth公司研制的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作）已經(jīng)用在美國(guó)空軍多電飛機(jī)。由碳化硅SBD構(gòu)成的功...

另外，還有一些與肖特基二極管相關(guān)的進(jìn)一步考慮因素：1.峰值逆壓：肖特基二極管通常具有較低的峰值逆壓能力。因此，在選擇二極管時(shí)，需要確保其逆壓能力足夠滿足實(shí)際應(yīng)用的要求，避免超過(guò)二極管的峰值逆壓。2.發(fā)熱性能：雖然肖特基二極管的正向壓降較低，但其在正向?qū)顟B(tài)下...

有一種二極管叫做SONIC二極管，其反向回復(fù)時(shí)間較為長(zhǎng)，約～μs，軟度因子在。在制造中除了使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu)，玻璃鈍化并有硅橡膠保護(hù)外，還使用了從硅片背面開(kāi)展深擴(kuò)散磷和控制軸向壽命抑制因素，使迅速二極管的反向恢復(fù)電流衰減較慢，具反向“軟恢復(fù)”特點(diǎn)，防范在...

數(shù)字電路應(yīng)用：肖特基二極管還可以用于數(shù)字電路中的開(kāi)關(guān)功能，特別是在功耗較低、響應(yīng)速度要求高的場(chǎng)景中。由于其低功耗和快速開(kāi)關(guān)速度，肖特基二極管在數(shù)字邏輯門和存儲(chǔ)器電路等領(lǐng)域有應(yīng)用潛力。需要注意的是，盡管肖特基二極管具有許多優(yōu)點(diǎn)，但也存在一些限制。例如，在高頻應(yīng)用...

整流橋一般而言是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部使用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，提高散熱性能。一、整流橋定義整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了，分全橋和半橋。全橋是將連通好的橋式整流電路的四...

肖特基二極管是一種特殊類型的二極管，其好的特點(diǎn)是由金屬與半導(dǎo)體直接接觸形成的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，因此其正向電壓低于常規(guī)PN結(jié)二極管。這種特殊結(jié)構(gòu)使得肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)速度和較低的逆向恢復(fù)時(shí)間，也使其在高頻和功率電路中具有廣泛應(yīng)用。肖特基二極管的是肖特基結(jié)，這是由...

包括但不限于～2mm，2mm～3mm，進(jìn)而滿足高壓的安全間距要求。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式，所述信號(hào)地管腳gnd的寬度大于，進(jìn)一步設(shè)置為～1mm，以加強(qiáng)散熱，達(dá)到封裝熱阻的作用。在本實(shí)施例中，如圖1所示，所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法...

進(jìn)行全部快恢復(fù)二極管一般地說(shuō)用以較高頻率的整流和續(xù)流。至于電源模塊的輸入部份，仿佛頻率不高，無(wú)需用快恢復(fù)二極管，用一般而言二極管即可，但你要用它在電源電路中整流也是可以的?？旎謴?fù)二極管分單管（一般而言兩腳的）和對(duì)管（3腳的），對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快回復(fù)二極管...

快恢復(fù)二極管是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。性能特點(diǎn)1）反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間trr的概念是：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向變換到規(guī)定低值的時(shí)間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的主要技術(shù)指標(biāo)。IF為正向電流，IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流，當(dāng)t≤t...

整流橋是一種電子元件，主要用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。它在許多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用，主要包括以下幾個(gè)方面：電源整流：在電源設(shè)計(jì)中，整流橋是不可或缺的一部分。它將交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源，為設(shè)備提供穩(wěn)定的供電。電路保護(hù)：整流橋在電路中可以起到保護(hù)作用，防止...

肖特基二極管的特性和應(yīng)用是一個(gè)非常而且復(fù)雜的話題，這里總結(jié)了一些關(guān)鍵的特性和應(yīng)用方面。除了上述提到的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用外，肖特基二極管還在一些特殊的應(yīng)用領(lǐng)域有著獨(dú)特的作用，例如：1.太陽(yáng)能電池：肖特基二極管被應(yīng)用于太陽(yáng)能電池中，用于防止夜間或云層遮擋導(dǎo)致的逆向電流損耗...

肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖4-44所示。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。...

其中，所述整流橋的交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述零線管腳，輸出端通過(guò)基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過(guò)基島或引線連接所述信號(hào)地管腳；所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端輸出邏輯控制信號(hào)，高壓端口連接所述...

在開(kāi)機(jī)的瞬間，濾波電容的電壓尚未建立，由于要對(duì)大電容充電．通過(guò)PFC電感的電流相對(duì)比較大。如果在電源開(kāi)關(guān)接通的瞬間是在正弦波的最大值時(shí)，對(duì)電容充電的過(guò)程中PFC電感L有可能會(huì)出現(xiàn)磁飽和的情況，此時(shí)PFC電路工作就麻煩了，在磁飽和的情況，流過(guò)PFC開(kāi)關(guān)管的...

在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，用到30V時(shí)，則trr約為35ns，而用到350V時(shí)，trr》35ns，trr還隨著結(jié)濕上升而增加，Tj=125℃時(shí)的trr,約為25℃時(shí)的2倍左右。同時(shí)，trr還隨著流過(guò)正向峰值電流IFM的増加而增加。IRM和Qrr主要是用來(lái)計(jì)算FRED...

肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖4-44所示。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。...

容積效應(yīng)(minoritycarrierstorageeffect)：肖特基二極管具有與普通硅二極管不同的容積效應(yīng)。這種效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致在切換時(shí)的電荷存儲(chǔ)和釋放，可能對(duì)高速開(kāi)關(guān)操作產(chǎn)生一定的影響。5.成本：肖特基二極管通常相對(duì)于普通硅二極管來(lái)說(shuō)更昂貴一些。在考慮使用...