快恢復(fù)二極管是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。性能特點1）反向恢復(fù)時間反向恢復(fù)時間trr的概念是：電流通過零點由正向變換到規(guī)定低值的時間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的主要技術(shù)指標(biāo)。IF為正向電流，IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流，當(dāng)t≤t0時，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時，由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?，因此正向電流很快下降，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR日漸增大；在t=t2日子達到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用，反向電流日趨減少，并在t=t3日子達到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相像之處。2）快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與平常二極管不同，它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I，組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向回復(fù)電荷很小，減少了trr值，還下降了瞬態(tài)正向壓降，使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓?？旎貜?fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進一步減少，使其trr可低至幾十納秒。封裝技術(shù)是功率半導(dǎo)體突破的關(guān)鍵！江西快恢復(fù)二極管MURB1560
應(yīng)用場合以及選用時應(yīng)注意的問題等供廣大使用者參考。2.快恢復(fù)二極管模塊工藝結(jié)構(gòu)和特點圖1超快恢復(fù)二極管模塊內(nèi)部電路連接圖本模塊是由二個或二個以上的FRED芯片按一定的電路(見圖1)連成后共同封裝在一個PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內(nèi)制成，模塊分絕緣型(模塊銅底板對各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種，其特點(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝，使焊接溫度、焊接時間和傳送帶速度之間有較好的匹配，并精確控制升溫速度、恒溫時同和冷卻速度，使焊層牢固，幾乎沒有空洞，從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力，根據(jù)模塊電流的大小，采用直接焊接或鋁絲超聲鍵合等方法引出電極，用RTV橡膠、及組份彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂等三重保護，又加采用玻璃鈍化保護的、不同結(jié)構(gòu)的進口FRED芯片，使模塊防潮、防震，工作穩(wěn)定。(2)銅底板預(yù)彎技術(shù)：模塊采用了高導(dǎo)熱、高絕緣、機械強度高和易焊接，且熱膨脹系數(shù)很接近硅芯片的氮化鋁陶瓷覆銅板(ALNDBC板)，使焊接后各材料內(nèi)應(yīng)力低，熱阻小，并避免了芯片因應(yīng)力而破裂。為了解決銅底板與DBC板間的焊接問題，除采用銅銀合金外。并在焊接前對銅底板進行一定弧度的預(yù)彎。如圖2(a)，焊后如圖2(b)。江西快恢復(fù)二極管MURB1560MUR1640CD是什么類型的管子？
二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結(jié)，然后在200度左右溫度進行固化，保護P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護膠和硅片不貼合，會產(chǎn)生漏氣，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管，可靠性很高，
快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。 這兩種管子通常用于開關(guān)電源。MUR3020CS是什么類型的管子？
快恢復(fù)二極管的總功率損耗與正向通態(tài)壓降VF，通態(tài)電流IF，反向電壓VR,反向漏電流IR，正向過沖電壓Vfp，反向恢復(fù)漏電流峰值Irp。以及反向電流下降時間tb等有關(guān)。盡管如此，對于給定的快恢復(fù)二極管應(yīng)用，通態(tài)電流和反向電壓通常應(yīng)用電路決定的，只要不超過額定使用條件即可。然而在給定的IF和VR條件下的VF，IR，Vrp，Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復(fù)二極管本身的性能決定的。我們能通過算式5清楚地看到，上述任何一個參數(shù)的升高都將導(dǎo)致功率損耗的増加。相反地，如果我們能夠降低其中的某些參數(shù)值，則可以降低功率損耗，在所有的功率損耗中，通態(tài)損耗所占比例，因此降低通態(tài)損耗是降低總功率損耗的主要路徑和方法。而對于通態(tài)損耗來講，正向電流由應(yīng)用條件和額定決定，為恒定值，占空比也由應(yīng)用條件決定，由算式1可以清楚地看到降低正向壓降是降低功率損耗的主要途徑。而正向壓降正是快恢復(fù)二極管本身的性能能力決定的。所以選擇低功耗二極管主要的要看在同等條件下的正向壓降。壓降越低的，其功耗也越低。MUR2080CT二極管的主要參數(shù)。上?？旎謴?fù)二極管MUR1660CA
MUR3080CT二極管的主要參數(shù)。江西快恢復(fù)二極管MURB1560
有一種二極管叫做SONIC二極管，其反向回復(fù)時間較為長，約～μs，軟度因子在。在制造中除了使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu)，玻璃鈍化并有硅橡膠保護外，還使用了從硅片背面開展深擴散磷和控制軸向壽命抑制因素，使迅速二極管的反向恢復(fù)電流衰減較慢，具反向“軟恢復(fù)”特點，防范在高頻應(yīng)用時在硬關(guān)斷過程中產(chǎn)生過高的反向尖峰電壓，維護了開關(guān)器件及其二極管自身。該二極管在整個工作溫度范圍內(nèi)性能安定，并且對于溫度的變化正向電壓降的變化可以忽視不計。該二極管是為高頻應(yīng)用設(shè)計的，在高頻應(yīng)用時安定確實。新的迅速軟恢復(fù)二極管——SONIC二極管系列克服了這些缺陷，它們的優(yōu)點為：1．并聯(lián)二極管工作時正向電壓降Vf與溫度無關(guān)；2．阻斷電壓平穩(wěn)，漏電流比摻金和鉑的?。?．迅速軟恢復(fù)二極管在高溫下反向漏電流從25℃到125℃比摻鉑FRED少50%。SONIC二極管使用磷深擴散和軸向壽命抑制因素，電壓從600V至1800V，如圖3所示。在硼中受控的軸向壽命抑制因素用來支配區(qū)域1中空穴的發(fā)射效率。區(qū)域2所示的軟N區(qū)為軟恢復(fù)提供了額外電荷?？昭ǖ妮^低的發(fā)射效率使得器件的正向電壓降對溫度不太敏感，這有利二極管并聯(lián)工作，并且在高溫時開關(guān)損耗很小。運用電子輻照作為外加的規(guī)范壽命抑制因素。江西快恢復(fù)二極管MURB1560