所謂限幅電路就是限制電路中某一點(diǎn)的信號(hào)幅度大小，讓信號(hào)幅度大到一定程度時(shí)，不讓信號(hào)的幅度再增大，當(dāng)信號(hào)的幅度沒(méi)有達(dá)到限制的幅度時(shí)，限幅電路不工作，具有這種功能的電路稱(chēng)為限幅電路，利用二極管來(lái)完成這一功能的電路稱(chēng)為二極管限幅電路。如圖9-44所示是二極管限幅電路。在電路中，A1是集成電路（一種常用元器件），VT1和VT2是三極管（一種常用元器件），R1和R2是電阻器，VD1～VD6是二極管。圖9-44二極管限幅電路1．電路分析思路說(shuō)明對(duì)電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說(shuō)明下列幾點(diǎn)：1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結(jié)構(gòu)一樣，這兩組二極管在這...

詳解肖特基二極管的作用及接法-肖特基二極管的應(yīng)用肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管的作用肖特基二極管的作用如下:肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。明顯的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極...

正向?qū)щ姡聪虿粚?dǎo)電）晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場(chǎng)，當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)與自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)與自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)...

可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關(guān)系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當(dāng)反向電壓不超過(guò)一定范圍(曲線(xiàn)OB段)時(shí)，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不計(jì)。當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流將急劇增加，稱(chēng)為反向擊穿，此時(shí)的電壓稱(chēng)為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結(jié)不能恢復(fù)原有的性能，造成長(zhǎng)久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導(dǎo)通，反向偏置電壓下截止的特性，這個(gè)特性稱(chēng)為單向?qū)щ娦浴編輯]二極管的主要參數(shù)二極管的參數(shù)是評(píng)價(jià)二極管性能的重要指標(biāo)，是正確選擇和使用二極管的依據(jù)，主要參數(shù)有：(1)大整流電...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴Ｈ绻O管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情...

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。中文名二級(jí)管外文名diode目錄1二極管簡(jiǎn)介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應(yīng)用6類(lèi)型7發(fā)光二極管二極管原理二極管簡(jiǎn)介編輯二極管內(nèi)部構(gòu)造二極管的英文是diode...

5）由于集成電路A1的①腳和②腳外電路一樣，所以其外電路中的限幅保護(hù)電路工作原理一樣，分析電路時(shí)只要分析一個(gè)電路即可。6）根據(jù)串聯(lián)電路特性可知，串聯(lián)電路中的電流處處相等，這樣可以知道VD1、VD2和VD3三只串聯(lián)二極管導(dǎo)通時(shí)同時(shí)導(dǎo)通，否則同時(shí)截止，絕不會(huì)出現(xiàn)串聯(lián)電路中的某只二極管導(dǎo)通而某幾只二極管截止的現(xiàn)象。4．故障檢測(cè)方法和電路故障分析對(duì)這一電路中的二極管故障檢測(cè)主要采用萬(wàn)用表歐姆檔在路測(cè)量其正向和反向電阻大小，因?yàn)檫@一電路中的二極管不工作在直流電路中，所以采用測(cè)量二極管兩端直流電壓降的方法不合適。這一電路中二極管出現(xiàn)故障的可能性較小，因?yàn)樗鼈児ぷ髟谛⌒盘?hào)狀態(tài)下。如果電路中有一只二極管出現(xiàn)開(kāi)...

二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于，穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過(guò)熱而損壞。[4]穩(wěn)壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過(guò)穩(wěn)壓管電流的允許值，PN結(jié)就不會(huì)過(guò)熱損壞，當(dāng)外加反向電壓去除后，穩(wěn)壓管恢復(fù)原性能，所以穩(wěn)壓管具有良好的重復(fù)擊穿特性。[4]二極管光電二極管光電二極管又稱(chēng)光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，光電二極管以便于接受光照。其特點(diǎn)是，當(dāng)光線(xiàn)照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電...

二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)（稱(chēng)為順向偏壓），反向時(shí)阻斷（稱(chēng)為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實(shí)際上二極管并不會(huì)表現(xiàn)出如此完美的開(kāi)與關(guān)的方向性，而是較為復(fù)雜的非線(xiàn)性電子特征——這是由特定類(lèi)型的二極管技術(shù)決定的。二極管使用上除了用做開(kāi)關(guān)的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"CatsWhisker"Crystals）”以及真空管(英國(guó)稱(chēng)為“熱游離閥（ThermionicValves）”)?，F(xiàn)今普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。1、正向性外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高...

溫敏二極管PN結(jié)的壓降是溫度的函數(shù)，溫度每升高一度，溫敏二極管PN結(jié)正向壓降下降2mV。用于測(cè)溫電路。精密二極管簡(jiǎn)稱(chēng)PD，精密二極管是一種具有穩(wěn)定電壓和穩(wěn)定電流的高精度二極管。它的工作溫度寬，線(xiàn)性好，穩(wěn)定性非常高。常用于各種電子路中的恒流源或恒壓源。光敏二極管有光照時(shí)，電阻小，電流大，無(wú)光照時(shí)，電阻大，電流小紅外發(fā)射二極管紅外發(fā)光二極管是一種能發(fā)出紅外線(xiàn)的二極管，通常應(yīng)用于遙控器等場(chǎng)合激光二極管激光二極管的特色之一，是能直接從電流調(diào)制其輸出光的強(qiáng)弱。因?yàn)檩敵龉夤β逝c輸入電流之間多為線(xiàn)性關(guān)系，所以激光二極管可以采用模擬或數(shù)字電流直接調(diào)制輸出光的強(qiáng)弱防雷二極管常常用來(lái)保護(hù)對(duì)電壓很敏感的...

詳解肖特基二極管的作用及接法-肖特基二極管的應(yīng)用肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管的作用肖特基二極管的作用如下:肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。明顯的特點(diǎn)為反...

不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25時(shí)反向電流為5uA，溫度升高到75時(shí)，反向電流也不過(guò)160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。測(cè)試二極管的好壞初學(xué)者在業(yè)余條件下可以使用萬(wàn)用表測(cè)試二極管性能的好壞。測(cè)試前先把萬(wàn)用表的轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)撥到歐姆檔的RX1K檔位(注意不要使用RX1檔，以免電流過(guò)大燒壞二極管)，再將紅、黑兩根表筆短路，進(jìn)行歐姆調(diào)零。1、正向特性測(cè)試把萬(wàn)用表的黑表筆(表內(nèi)正極)搭觸二極管的正極，，紅表筆(表內(nèi)負(fù)極)搭觸二極管的負(fù)極。若表針不擺到0值而是停在標(biāo)度盤(pán)的中間，這時(shí)的阻值就是二極管的正向電阻，一般正向電阻越小越好。...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴Ｈ绻O管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高...

[7]二極管雙向觸發(fā)二極管將萬(wàn)用表置于相應(yīng)的直流電壓擋，測(cè)試電壓由兆歐表提供。[8]測(cè)試時(shí)，搖動(dòng)兆歐表，萬(wàn)同樣的方法測(cè)出VBR值。后將VBO與VBR進(jìn)行比較，兩者的*值之差越小，說(shuō)明被測(cè)雙向觸發(fā)二極管的對(duì)稱(chēng)性越好。[8]二極管瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬(wàn)用表測(cè)量管子的好壞對(duì)于單要極型的TVS，按照測(cè)量普通二極管的方法，可測(cè)出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無(wú)窮大。[8]對(duì)于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管，任意調(diào)換紅、黑表筆測(cè)量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大，否則，說(shuō)明管子性能不良或已經(jīng)損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識(shí)別正、負(fù)極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區(qū)別是...

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。中文名二級(jí)管外文名diode目錄1二極管簡(jiǎn)介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應(yīng)用6類(lèi)型7發(fā)光二極管二極管原理二極管簡(jiǎn)介編輯二極管內(nèi)部構(gòu)造二極管的英文是diode...

常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何命名為"SS"?SCHOTTKY:取第1個(gè)字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的縮寫(xiě)，意為：表面貼裝器件，取第1個(gè)字母"S",上面兩個(gè)詞組各取第1個(gè)字母、即為SS,電流小的肖特基是BAT42（）；BAT54、BAT54A、BAT54C（）；電流大的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超過(guò)440A的必定是模塊。肖特基的高電壓是200V,也就是說(shuō)，肖特基的極限電壓是200V.超過(guò)200V電壓的也必定是模塊。電流越大，電壓越低。與可控硅元件不一樣。電流與電壓成反比（模塊除外）。10A、20...

二極管（Diode）電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)。許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（VaricapDiode）則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱(chēng)之為“整流（Rectifying）”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)（稱(chēng)為正向偏置），反向時(shí)阻斷（稱(chēng)為反向偏置）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實(shí)際上二極管并不會(huì)表現(xiàn)出如此完美的開(kāi)與關(guān)的方向性，而是較為復(fù)雜的非線(xiàn)性電子特征——這是由特定類(lèi)型的二極管技術(shù)決定的。二極管使用上除了用做開(kāi)關(guān)的方式之外還有很多其他的功能。二極管按材料分為硅二極...

二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)（稱(chēng)為順向偏壓），反向時(shí)阻斷（稱(chēng)為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實(shí)際上二極管并不會(huì)表現(xiàn)出如此完美的開(kāi)與關(guān)的方向性，而是較為復(fù)雜的非線(xiàn)性電子特征——這是由特定類(lèi)型的二極管技術(shù)決定的。二極管使用上除了用做開(kāi)關(guān)的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"CatsWhisker"Crystals）”以及真空管(英國(guó)稱(chēng)為“熱游離閥（ThermionicValves）”)?，F(xiàn)今普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。1、正向性外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，...

DO-201ADMBR340、MBR3100:（3A/40V），DO-201AD軸向MBR735、MBR745:TO-220AC（兩腳），7AMBRB735、MBRB745:貼片、TO-263（D2PAK），7AMBR1045、MBR1060:TO-220AC（兩腳），10AMBR1045CT、MBR10100CT:TO-220AB（三腳半塑封），10AMBRF1045CT、MBRF10100CT:TO-220F,（三腳全塑封），10A（第4位字母F為全塑封）MBR1535CT、MBR1545CT:TO-220AB（三腳），15AMBR2045CT、MBR20200CT:TO-22...

可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關(guān)系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當(dāng)反向電壓不超過(guò)一定范圍(曲線(xiàn)OB段)時(shí)，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不計(jì)。當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流將急劇增加，稱(chēng)為反向擊穿，此時(shí)的電壓稱(chēng)為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結(jié)不能恢復(fù)原有的性能，造成長(zhǎng)久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導(dǎo)通，反向偏置電壓下截止的特性，這個(gè)特性稱(chēng)為單向?qū)щ娦?。[編輯]二極管的主要參數(shù)二極管的參數(shù)是評(píng)價(jià)二極管性能的重要指標(biāo)，是正確選擇和使用二極管的依據(jù)，主要參數(shù)有：(1)大整流電...

一、肖特基二極管特性1、肖特基（Schottky）二極管的正向壓降比快恢復(fù)二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小，效率高。2、由于反向電荷恢復(fù)時(shí)間極短，所以適宜工作在高頻狀態(tài)下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的肖特基管高結(jié)溫分100℃、125℃、150％、175℃幾種(結(jié)溫越高表示產(chǎn)品抗高溫特性越好。即工作在此溫度以下不會(huì)引起失效。5、它也有一些缺點(diǎn)：是其耐壓較低及反向漏電流稍大。選型時(shí)要全考慮。肖特基二極管一般用在電源次級(jí)輸出整流上面。二、肖特基常見(jiàn)型號(hào)封裝圖關(guān)于封裝通過(guò)型號(hào)識(shí)別封裝外形：MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，MBR10100CT:TO-2...

用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路；在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)肖特基二極管進(jìn)行工作，通過(guò)肖特基二極管的單向?qū)üδ?，把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。2、肖特基二極管的作用及其接法-開(kāi)關(guān)肖特基二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開(kāi)關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)，如同一只斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。利用肖特基二極管的開(kāi)關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。由于肖特基二極管具有單向?qū)щ姷奶匦?，在正偏壓下PN結(jié)導(dǎo)通，在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻很小，約為幾十至幾百歐；在反向偏壓下，則呈截止?fàn)顟B(tài)，其電阻很大，一般硅肖特基...

或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。2、肖特基二極管的結(jié)構(gòu)肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變??；反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。肖特基二極管分為有引線(xiàn)和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線(xiàn)式封裝的肖特基二極管通常作為高頻...

電路中電流增加很快，燈泡發(fā)光。隨著電流增大，二極管VD兩端電壓維持在0．6～0．7V之間不再增加。由此可見(jiàn)，在正向偏置情況下，二極管表現(xiàn)出不同電壓下具有不同的電阻值。為了準(zhǔn)確描述這個(gè)物理現(xiàn)象，可以記錄每個(gè)電壓下對(duì)應(yīng)的電流，從而描繪成曲線(xiàn)，可得到圖(b)所示的二極管正向電流、電壓關(guān)系特性在圖(b)所示正向特性中，當(dāng)正向電壓較小時(shí)，正向電流幾乎為零(曲線(xiàn)OA段)，這時(shí)二極管并未真正導(dǎo)通，這一段所對(duì)應(yīng)的電壓稱(chēng)為二極管的死區(qū)電壓或閾值電壓，通常硅管約為0．5V，鍺管約為0．2V。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流迅速增加，這時(shí)二極管才真正導(dǎo)通，由圖(b)可見(jiàn)，在A點(diǎn)以后曲線(xiàn)很陡，說(shuō)明二極管...

檢波肖特基二極管在電子電路中用來(lái)把調(diào)制在高頻電磁波上的低頻信號(hào)（如音頻信號(hào)）檢出來(lái)。一般高頻檢波電路選用鍺點(diǎn)接觸型檢波二極管。它的結(jié)電容小，反向電流小，工作頻率高。6、肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱(chēng)"可變電抗二極管"，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小，其大值為幾十皮法到幾百皮法，大區(qū)容與小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。當(dāng)外加順向偏壓時(shí)，有大量電流產(chǎn)生，PN...

不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25時(shí)反向電流為5uA，溫度升高到75時(shí)，反向電流也不過(guò)160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。測(cè)試二極管的好壞初學(xué)者在業(yè)余條件下可以使用萬(wàn)用表測(cè)試二極管性能的好壞。測(cè)試前先把萬(wàn)用表的轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)撥到歐姆檔的RX1K檔位(注意不要使用RX1檔，以免電流過(guò)大燒壞二極管)，再將紅、黑兩根表筆短路，進(jìn)行歐姆調(diào)零。1、正向特性測(cè)試把萬(wàn)用表的黑表筆(表內(nèi)正極)搭觸二極管的正極，，紅表筆(表內(nèi)負(fù)極)搭觸二極管的負(fù)極。若表針不擺到0值而是停在標(biāo)度盤(pán)的中間，這時(shí)的阻值就是二極管的正向電阻，一般正向電阻越小越好。...

所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。特基二極管和整流二極管的區(qū)別肖特基（Schottky）二極管是一種快恢復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其明顯的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)?..

可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關(guān)系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當(dāng)反向電壓不超過(guò)一定范圍(曲線(xiàn)OB段)時(shí)，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不計(jì)。當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流將急劇增加，稱(chēng)為反向擊穿，此時(shí)的電壓稱(chēng)為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結(jié)不能恢復(fù)原有的性能，造成長(zhǎng)久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導(dǎo)通，反向偏置電壓下截止的特性，這個(gè)特性稱(chēng)為單向?qū)щ娦?。[編輯]二極管的主要參數(shù)二極管的參數(shù)是評(píng)價(jià)二極管性能的重要指標(biāo)，是正確選擇和使用二極管的依據(jù)，主要參數(shù)有：(1)大整流電...

肖特基二極管(SBD)是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode，縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)，是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的半導(dǎo)體器件。肖特基二極管是低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，它不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。新聞網(wǎng)頁(yè)微信知乎圖片視頻明醫(yī)英文問(wèn)問(wèn)百科更多>>登錄幫助首頁(yè)精彩百科知識(shí)圖譜城市百科抗戰(zhàn)百科高校百科任務(wù)任務(wù)中心用戶(hù)蜜蜂團(tuán)領(lǐng)域小組熱詞團(tuán)公益百科積分商城個(gè)人中心添加義項(xiàng)同義詞...