輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角...

可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡(jiǎn)稱(chēng)，谷稱(chēng)可控硅模塊，它是1種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體元器件，在線路中用字母符號(hào)為“V”、“VT”表達(dá)（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表達(dá)）。可控硅模塊具備硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下運(yùn)行，且其運(yùn)行過(guò)...

主要應(yīng)用于各種光控及遙控發(fā)射電路中。紅外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)、原理與普通發(fā)光二極管相近，只是使用的半導(dǎo)體材料不同。紅外發(fā)光二極管通常使用砷化鎵（GaAs）、砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料，采用全透明或淺藍(lán)色、黑色的樹(shù)脂封裝。常用的紅外發(fā)光二極管有SIR...

[4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡(jiǎn)稱(chēng)LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似，發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi)，外形有方形、矩形和...

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件[1]。它具有單向?qū)щ娦阅埽唇o二極管陽(yáng)極和陰極加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通。當(dāng)給陽(yáng)極和陰極加上反向電壓時(shí)，二極管截止。因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的接通與斷開(kāi)[2]。二極管是早誕生的半導(dǎo)體器件之一...

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用，流過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉?..

現(xiàn)在LED是用直流驅(qū)動(dòng)的，所以不會(huì)存在頻閃現(xiàn)象)2、每個(gè)led燈泡的光線過(guò)亮，會(huì)強(qiáng)烈刺激眼睛，不可直視，哪怕短時(shí)間，而普通節(jié)能燈相對(duì)要柔和些！(研究發(fā)明LED是現(xiàn)代對(duì)眼睛好的照明工具，基本對(duì)眼睛沒(méi)傷害)3、照射角度有限制，一般只能照射120°，而普...

但尚未達(dá)到產(chǎn)業(yè)化的要求。其次，鈣鈦礦材料中鉛元素的毒性可能是其產(chǎn)業(yè)化道路上的一個(gè)障礙。研究發(fā)現(xiàn)許多元素（如錫、銅、鍺及銀等）在鈣鈦礦材料中可以替代鉛元素，但目前利用這些元素制備的器件性能還不及鉛基鈣鈦礦LED。此外，大面積模塊化制備鈣鈦礦LED仍處...

發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)ED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見(jiàn)光，因而可以用來(lái)制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極...

PT)技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。另一方面，非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過(guò)其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LP...

把交流電變成脈動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過(guò)的大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù)，是選項(xiàng)用整...

2）熔體與熔斷器額定電流的確定熔體額定電流大小與負(fù)載大小、負(fù)載性質(zhì)有關(guān)。對(duì)于負(fù)載平穩(wěn)、無(wú)沖擊電流，如一般照明電路、電熱電路可按負(fù)載電流大小來(lái)確定熔體的額定電流。對(duì)于有沖擊電流的電動(dòng)機(jī)負(fù)載，為達(dá)到短路保護(hù)目的，又保證電動(dòng)機(jī)正常起動(dòng)，對(duì)籠型感應(yīng)電動(dòng)機(jī)其...

1.選擇晶閘管的類(lèi)型晶閘管有多種類(lèi)型,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開(kāi)關(guān)電源保護(hù)電路等,可選用普通晶閘管。若用于交流開(kāi)關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動(dòng)機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電...

熔斷器的分類(lèi)：瓷插式RC螺旋式RL有填料式RT無(wú)填料密封式RM快速熔斷器RS自恢復(fù)熔斷器它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過(guò)瓷帽上的玻璃孔觀...

一、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低...

廣泛應(yīng)用在斬波或逆變電路中，如軌道交通、電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領(lǐng)域。此外，半導(dǎo)體功率模塊主要包括igbt器件和fwd，在實(shí)際應(yīng)用中，為了保證半導(dǎo)體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作，通常在半導(dǎo)體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以...

從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機(jī)等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。[6]（2）汽車(chē)以及大型機(jī)械中的應(yīng)用發(fā)光二極管在汽車(chē)以及大型機(jī)械中得到廣應(yīng)用。汽車(chē)以及大型機(jī)械設(shè)備中的方向燈、車(chē)內(nèi)照明、機(jī)械設(shè)備儀表照明、大前燈、轉(zhuǎn)...

輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角...

熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開(kāi)；運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中，作為短路和過(guò)電流的保護(hù)器，是應(yīng)用普遍的保護(hù)器件之一。常見(jiàn)熔斷器圓筒形帽熔斷器...

晶閘管又被稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅。關(guān)鍵字：晶閘管單結(jié)晶體管構(gòu)成晶閘管觸發(fā)電路用單結(jié)晶體管構(gòu)成的晶閘管觸發(fā)電路如圖1所示，觸發(fā)電路的有關(guān)電壓波形如圖2所示。與單結(jié)晶體管構(gòu)成弛張振蕩電路相比較，電路的振蕩部分相同，同步是關(guān)鍵字：?jiǎn)谓Y(jié)晶體觸...

一個(gè)空穴電流（雙極）。當(dāng)UCE大于開(kāi)啟電壓UCE(th），MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通。2)導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，通態(tài)壓降小。所謂通態(tài)壓降，是指IGBT進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的管壓降UDS，這個(gè)電壓隨UCS上升而下...

若用于交流開(kāi)關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動(dòng)機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開(kāi)關(guān)電路等，可選用門(mén)極關(guān)斷晶閘管。若用于鋸齒波發(fā)生器、長(zhǎng)時(shí)間延時(shí)器、過(guò)電壓保護(hù)器及大功...

測(cè)量任意兩腳間的電阻，當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬(wàn)用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（Li...

若用于交流開(kāi)關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動(dòng)機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開(kāi)關(guān)電路等，可選用門(mén)極關(guān)斷晶閘管。若用于鋸齒波發(fā)生器、長(zhǎng)時(shí)間延時(shí)器、過(guò)電壓保護(hù)器及大功...

熔絲座及斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，半導(dǎo)體熔斷器，中高壓熔斷器，高速熔斷器，通訊保護(hù)產(chǎn)品，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)熔斷器，熔斷器附件、顯示器、工具包，熔斷器技術(shù)，功率磁性元器件，超級(jí)電容，接線盒，車(chē)用熔斷器和斷路器。如同人們會(huì)出現(xiàn)過(guò)度勞累一樣，電氣和電子系統(tǒng)也會(huì)出現(xiàn)電路過(guò)載的情...

5、其它要求（1）當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí)，如果變壓器空載，輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)...

PT)技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。另一方面，非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過(guò)其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LP...

促使整流管加速老化，并被過(guò)早地?fù)舸p壞。（3）運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任，對(duì)外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至第二天上午6點(diǎn)之間)不了解，或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障，運(yùn)行人員沒(méi)有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理，產(chǎn)生過(guò)電壓而將整流管擊穿損壞。（4...

把交流電變成脈動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過(guò)的大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù)，是選項(xiàng)用整...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點(diǎn)2應(yīng)用3注意事項(xiàng)4發(fā)展趨...