二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一...

高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt大為1000A/us。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素...

從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。[6]（2）汽車以及大型機械中的應(yīng)用發(fā)光二極管在汽車以及大型機械中得到廣應(yīng)用。汽車以及大型機械設(shè)備中的方向燈、車內(nèi)照明、機械設(shè)備儀表照明、大前燈、轉(zhuǎn)...

沒有高到讓外接的二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導(dǎo)通，其導(dǎo)通后的內(nèi)阻很小，這樣會將集成電路A1的①腳輸出的交流信號分流到地，對信號造成衰減，顯然這一電路中不需要對信號進行這樣的衰減，...

一個空穴電流（雙極）。當UCE大于開啟電壓UCE(th），MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通。2)導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，通態(tài)壓降小。所謂通態(tài)壓降，是指IGBT進入導(dǎo)通狀態(tài)的管壓降UDS，這個電壓隨UCS上升而下...

本發(fā)明實施例還提供了一種半導(dǎo)體功率模塊，如圖15所示，半導(dǎo)體功率模塊50配置有上述igbt芯片51，還包括驅(qū)動集成塊52和檢測電阻40。具體地，如圖16所示，igbt芯片51設(shè)置在dcb板60上，驅(qū)動集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與i...

顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當于給G極加上正向觸發(fā)電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆...

熔斷器的分類：瓷插式RC螺旋式RL有填料式RT無填料密封式RM快速熔斷器RS自恢復(fù)熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護用。熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀...

一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多?！隹煽毓栌腥齻€電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和...

2）對于音頻信號而言，由于高頻濾波電容C1的容量很小，它對音頻信號的容抗很大，相當于開路，所以音頻信號也不能被C1旁路到地線。3）對于高頻載波信號而言，其頻率很高，C1對它的容抗很小而呈通路狀態(tài)，這樣惟有檢波電路輸出端的高頻載波信號被C1旁路到地線，起到高頻濾...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-...

整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路...

熔斷器是一種過電流保護器。熔斷器主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成。使用時，將熔斷器串聯(lián)于被保護電路中，當被保護電路的電流超過規(guī)定值，并經(jīng)過一定時間后，由熔體自身產(chǎn)生的熱量熔斷熔體，使電路斷開，從而起到保護的作用。以金屬導(dǎo)體作為熔體而分斷電路的...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點2應(yīng)用3注意事項4發(fā)展趨...

1、鋁基導(dǎo)熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道，并作為整個模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此，它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進行高溫焊接，又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16．7×10-6／℃，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較...

從前面對整流橋帶散熱器來實現(xiàn)其散熱過程的分析中可以看出，整流橋主要的損耗是通過其背面的散熱器來散發(fā)的，因此在此討論整流橋殼溫如何確定時，就忽約其通過引腳的傳熱量?，F(xiàn)結(jié)合RS2501M整流橋在110VAC電源模塊上應(yīng)用的損耗(大為)來分析。假設(shè)整流橋...

怎樣選用晶閘管常用晶體閘流管主要有單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等，應(yīng)根據(jù)電路需要合理選用。(1)單向晶閘管單向晶閘管的特點是電流只能從陽極A流向陰極k，主要應(yīng)用于直流電源或魚流脈動電壓的控制、交流電源整流、直流電源逆變等場合。單向晶閘管可分...

整流橋是橋式整流電路的實物產(chǎn)品，那么實物產(chǎn)品該如何應(yīng)用到實際電路中呢？一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明，工程設(shè)計電路畫板的時候已經(jīng)將安裝方式固定下來了，那么在實際應(yīng)用過程中只需要，對應(yīng)線路板的安裝孔就好了。下面我們就工程畫板時的方法也就是...

從前面對整流橋帶散熱器來實現(xiàn)其散熱過程的分析中可以看出，整流橋主要的損耗是通過其背面的散熱器來散發(fā)的，因此在此討論整流橋殼溫如何確定時，就忽約其通過引腳的傳熱量?，F(xiàn)結(jié)合RS2501M整流橋在110VAC電源模塊上應(yīng)用的損耗(大為)來分析。假設(shè)整流橋...

分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降...

整流橋是橋式整流電路的實物產(chǎn)品，那么實物產(chǎn)品該如何應(yīng)用到實際電路中呢？一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明，工程設(shè)計電路畫板的時候已經(jīng)將安裝方式固定下來了，那么在實際應(yīng)用過程中只需要，對應(yīng)線路板的安裝孔就好了。下面我們就工程畫板時的方法也就是...

首先可用在線盤處串接燈泡的辦法大致判斷一下主板驅(qū)動等部分是否正常;2、接上線盤先開機試一下無鍋能否正常報警，若能則關(guān)機放上鍋具，采用幾次短時(1秒左右)開機試加熱后用手摸散熱板(注意拔掉插頭以防觸電)溫度，若溫升明顯則還有問題，需進一步查找發(fā)熱原因...

所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線圈的另一端。如圖6所示，所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線圈，負極連接所述第五電容c5。如圖6所示，所述負載連接于所述第五電容c5的兩端。具體地，在本實施例中，所述負載為...

當散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅(qū)動電路IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片...

分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降...

b)整流橋自帶散熱器。1、整流橋不帶散熱器對于整流橋不帶散熱器而采用強迫風(fēng)冷這種情況，其分析的過程同自然冷卻一樣，只不過在計算整流橋外殼向環(huán)境間散熱的熱阻和PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻時，對其換熱系數(shù)的選擇應(yīng)該按照強迫風(fēng)冷情形來進行，其數(shù)值通常為20...

將igbt模塊中雙極型三極管bjt的集電極和絕緣柵型場效應(yīng)管mos的漏電極斷開，并替代包含鏡像電流測試的電路中的取樣igbt，從而得到包含無柵極驅(qū)動的電流檢測的igbt芯片的等效測試電路，即圖5中的igbt芯片結(jié)構(gòu)，從而得到第二發(fā)射極單元201和第...

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了?？煽?..

通過上面對工作原理的分析可知，可控硅只具有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，那么這兩種工作狀態(tài)之間如何進行轉(zhuǎn)換呢？狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要什么條件呢？下圖將會告訴你答案。可控硅主要參數(shù)⒈額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安...

MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻?？偟膩碚f，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率...