所得靶材組件濺射強(qiáng)度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。實(shí)施例3提供一種長(zhǎng)壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為5.8mm；所述靶材表面的硬度為22hv；其中，所述靶材的比較大厚度為28mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于濺射的濺射面；所述濺射面包括平面、第二平面和斜面；所述斜面與水平面的夾角為3°；所述斜面位于所述平面和第二平面之間；所述平面為圓形；所述第二平面為環(huán)形；所述靶材的材質(zhì)包括鉭；所述背板的材質(zhì)包括銅。所得靶材組件濺射強(qiáng)度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。實(shí)施例4提供一種長(zhǎng)壽命靶材組件，...

作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材的材質(zhì)包括鋁、鉭、鈦或銅中的一種。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述背板的材質(zhì)包括銅和/或鋁。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為5.75-6mm；所述靶材表面的硬度為20-30hv；其中，所述靶材的比較大厚度為20-30mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于濺射的濺射面；所述濺射面包括***平面、第二平面和斜面；所述斜面與水平面的夾角≤10°；所述斜面位于所述***平面和第二平面之間；所述***平面為圓形；所述第二平面為環(huán)形；所述靶材的材質(zhì)包括鋁、鉭、鈦或銅中的一種；所述背板的材質(zhì)包...

濺射鍍膜不良膜層分析，改善方法： 1.白霧主要表現(xiàn)：膜層外觀一層白霧。 原因分析及改善：（白霧可擦拭）：外層膜松散粗糙；出爐溫差大；潮氣吸附；膜層結(jié)構(gòu)不均勻；反應(yīng)氣體不足/不均勻；外層膜應(yīng)力大等。 （白霧不可擦拭）：殘留臟污；材腐蝕污染；膜層之間不匹配；反應(yīng)氣體不足/不均勻；基材受潮污染；真空室臟有水汽；環(huán)境溫差大。 2.發(fā)蒙主要表現(xiàn)：膜層表面粗糙無(wú)光。 原因分析及改善：設(shè)備漏氣；反應(yīng)氣體故障；膜層過厚；偏壓故障； 3.色斑主要表現(xiàn)：局部膜色變異。 原因分析及改善：腐蝕，局部折射率改變；前道工程夾具加工方法痕跡（形狀規(guī)則、部位一致、界限分明）； 周轉(zhuǎn)運(yùn)輸庫(kù)存過程留下痕跡；研...

主要產(chǎn)品：1、鈀 顆粒 99.99%常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做2、鈀 靶材 99.99%?常規(guī)尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸：φ57*0.1mm*0.2mm4、鈀 箔片 99.92mm等，尺寸可定做二、其他：打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工?；厥樟鞒倘缦拢悍Q重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材產(chǎn)品編碼產(chǎn)品名稱規(guī)格應(yīng)用Sc-I4006鈧x真空熔煉Li-G30610鋰顆粒99.9%φ6*10mm真空熔煉Sr-I2011鍶...

主要產(chǎn)品：1、鈀 顆粒 99.99%常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做2、鈀 靶材 99.99%?常規(guī)尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸：φ57*0.1mm*0.2mm4、鈀 箔片 99.92mm等，尺寸可定做二、其他：打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工?；厥樟鞒倘缦拢悍Q重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材產(chǎn)品編碼產(chǎn)品名稱規(guī)格應(yīng)用Sc-I4006鈧x真空熔煉Li-G30610鋰顆粒99.9%φ6*10mm真空熔煉Sr-I2011鍶...

本實(shí)施例提供一種長(zhǎng)壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為5.95mm；所述靶材表面的硬度為23hv；其中，所述靶材的比較大厚度為27mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于濺射的濺射面；所述濺射面包括平面、第二平面和斜面；所述斜面與水平面的夾角為3°；所述斜面位于所述平面和第二平面之間；所述平面為圓形；所述第二平面為環(huán)形；所述靶材的材質(zhì)包括鉭；所述背板的材質(zhì)包括鋁。所得靶材組件濺射強(qiáng)度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。實(shí)施例7本實(shí)施例提供一種長(zhǎng)壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點(diǎn)和比較低點(diǎn)的垂直距離為5.75mm...

釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn；導(dǎo)電膠：采用的導(dǎo)電膠要耐高溫，厚度在0.02-0.05um。二.綁定的適用范圍：建議綁定的靶材：ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材；錫、銦等軟金屬靶；靶材太薄、靶材太貴的情況等。但下列情況綁定有弊端：1.熔點(diǎn)低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時(shí)候可能會(huì)變軟變形；2.貴金屬靶材，一是實(shí)際重量易出現(xiàn)分歧，二是金屬化以及解綁的時(shí)候都會(huì)有浪費(fèi)料，建議墊一片銅片。三.背靶的選擇對(duì)材質(zhì)的要求：一般選用無(wú)氧銅和鉬靶，厚度在3mm左右；導(dǎo)電性好：常用無(wú)氧銅，無(wú)氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好；強(qiáng)度足夠：太薄，易變形，不易真空密...

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有較高的電遷移率和穩(wěn)定的光電性能，是制備微電子器件、薄膜晶體管、大面積平板液晶顯示的質(zhì)量材料。多晶硅薄膜被公認(rèn)為是制備低耗、理想的薄膜太陽(yáng)能電池的材料。因此，如何制備多晶硅薄膜是一個(gè)非常有意義的研究課題。固相法是制備多晶硅薄膜的一種常用方法，它是在高溫退火的條件下，使非晶硅薄膜通過固相相變而成為多晶硅薄膜。本文采用固相法，利用X- ray 衍射及拉曼光譜，對(duì)用不同方法制備的非晶硅薄膜的晶化過程進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。 在硅薄膜太陽(yáng)能電池材料中，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池制造工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，但是存在光電轉(zhuǎn)換效率低，壽命短，穩(wěn)定性不好，并且存在光致衰退效應(yīng)(S-W 效應(yīng))等缺點(diǎn)。單晶...

中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射與直流反應(yīng)磁控濺射相比具有以下幾個(gè)顯巨優(yōu)點(diǎn)： (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象，中頻反應(yīng)磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應(yīng)磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個(gè)數(shù)量級(jí); (2)可以得到比直流反應(yīng)磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射的整個(gè)濺射沉積過程，可以始終穩(wěn)定在所設(shè)定的工作點(diǎn)上，為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產(chǎn)提供了條件。 選用非對(duì)稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個(gè)磁控靶進(jìn)行反應(yīng)磁控濺射，調(diào)節(jié)相應(yīng)的鍍膜工藝參數(shù)，可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定的薄膜沉積，可以達(dá)到上述“中頻-雙靶反應(yīng)磁控濺射”的同樣效果。靶材...

氣體壓強(qiáng)對(duì)靶濺射電壓的影響 在磁控濺射或反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對(duì)磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。 1.工作氣體壓強(qiáng)對(duì)靶濺射電壓的影響 一般的規(guī)律是：在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時(shí)，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(qiáng)(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會(huì)同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會(huì)逐步上升，濺射工作電壓亦會(huì)同步下降。 2. 反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對(duì)靶濺射電壓的影響 在反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時(shí)，隨著反應(yīng)氣體(如氮?dú)?、氧?壓強(qiáng)(或流量)...

真空離子鍍?cè)诤娇蘸教旆矫娴膽?yīng)用： 在現(xiàn)代飛機(jī)、航空發(fā)動(dòng)機(jī)或航空儀表中，特別是在航宇器，如宇宙飛船、人造衛(wèi)星中，有不少旋轉(zhuǎn)零件都要求有良好的潤(rùn)滑，但往往由于封存過久、環(huán)境溫度過高或太空揮發(fā)等原因，普通油脂潤(rùn)滑劑已不再適用，從而提出以固體潤(rùn)滑劑代替。試驗(yàn)表明，用離子鍍來制作固體潤(rùn)滑膜，比現(xiàn)有其他方法為優(yōu)。不但附著力強(qiáng)，鍍層又薄又勻，不影響零件的尺寸精度和公差配合。經(jīng)濟(jì)性也好，少許潤(rùn)滑材料即可鍍很大面積。潤(rùn)滑膜的質(zhì)量也較好，摩擦系數(shù)小，使用壽命也長(zhǎng)。例如有一個(gè)人造衛(wèi)星上的精密軸承，未鍍前工作壽命為幾分鐘，根本無(wú)法使用;但是經(jīng)離子鍍固體潤(rùn)滑膜后，則可在飛行中可靠地工作數(shù)千小時(shí)之久。離子鍍不能夠鍍?cè)S多種...

陽(yáng)光控制鍍膜玻璃的優(yōu)點(diǎn) 陽(yáng)光控制鍍膜玻璃主要就是為了遮光隔熱，根據(jù)它的物理特性也叫做熱反射鍍膜玻璃，在普通的透明玻璃上通過磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍上一層或多層薄膜，在這里我們簡(jiǎn)稱反射玻璃。 反射玻璃相對(duì)于普通透明玻璃而言，在太陽(yáng)能的反射性能上，反射玻璃一次的反射比普通玻璃高出4.3倍，第二次的反射高出3.1倍，總的反射就高出3.6倍了；在遮蔽系數(shù)上，反射玻璃比普通玻璃減少0.18，系數(shù)越少，遮光效果就會(huì)越好的，減少太陽(yáng)輻射和熱能的透射；在可見光的反射和透射上，反射玻璃比普通玻璃反射增加了20%～38%，透射減少了55%～70%，具有良好的遮光性能；在傳熱系數(shù)上，反射玻璃比普通玻璃降...

根據(jù)客戶需要的比例計(jì)算、配料。（嚴(yán)格按照需求比例進(jìn)行配料，以便保證合金的成分比例，降低公差）；根據(jù)元素的熔點(diǎn)、元素特性、用量等選擇合適的熔煉爐工藝排期、熔煉；熔煉成型，根據(jù)客戶要求大小進(jìn)行破碎、切割等后期處理。高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材規(guī)格說明：產(chǎn)品規(guī)格靶材可定制產(chǎn)品數(shù)量1000包裝說明雙層真空包裝價(jià)格說明1000◆產(chǎn)品說明：高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材鈀，是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積脹大，變脆乃至破裂成碎片。原子量：106.4密度（20℃）/g?cm-3：12.02熔點(diǎn)/℃：1552蒸發(fā)溫度/℃：1460沸...

磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場(chǎng)強(qiáng)度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個(gè)重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當(dāng)靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對(duì)沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個(gè)：一個(gè)是提高工作電壓...

高純金屬的概念： 任何金屬都不能達(dá)到純。“高純”和“超純”具有相對(duì)的含義，是指技術(shù)上達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)。由于技術(shù)的發(fā)展，也常使“超純”的標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)。例如過去高純金屬的雜質(zhì)為 ppm級(jí)（即百萬(wàn)分之幾）,而超純半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)達(dá)ppb級(jí)（十億分之幾）,并將逐步發(fā)展到以ppt級(jí)（一萬(wàn)億分之幾）表示。實(shí)際上純度以幾個(gè)“9”(N)來表示（如雜質(zhì)總含量為百萬(wàn)分之一，即稱為6個(gè)“9”或6N），是不完整概念，如電子器件用的超純硅以金屬雜質(zhì)計(jì)算，其純度相當(dāng)于9 個(gè)“9”。 但如計(jì)入碳，則可能不到6個(gè)“9”。“超純”的相對(duì)名詞是指“雜質(zhì)”，廣義的雜質(zhì)是指化學(xué)雜質(zhì)（元素）及“物理雜質(zhì)”，后者是指位錯(cuò)及空位等，而化學(xué)雜質(zhì)是指基...

純度：純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因?yàn)榘胁牡募兌葘?duì)薄膜的性能影響很大。不過在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”、8”發(fā)展到12”,而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對(duì)靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。雜質(zhì)含量：靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。濺射靶材的制備...

其他服務(wù):打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工服務(wù)?；厥樟鞒倘缦?稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品江陰典譽(yù)新材料科技有限公司，是專業(yè)從事鍍膜材料、合金制備等相關(guān)材料研發(fā)、銷售、服務(wù)為一體的全球化高科技綜合性公司。以業(yè)內(nèi) 企業(yè)為支撐，整合技術(shù)資源，擁有自主進(jìn)出口經(jīng)營(yíng)權(quán)和成熟的運(yùn)營(yíng)管理團(tuán)隊(duì)，科學(xué)化管理運(yùn)營(yíng)，為公司向化、高新化發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。典譽(yù)新材料在光電器件、芯片半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池、光學(xué)鍍膜、航空航天、 、冶金、功能材料、新能源等行業(yè)產(chǎn)品開發(fā)、創(chuàng)新方面，有著得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。以客戶需求為導(dǎo)向，以前沿技術(shù)為基礎(chǔ)，開發(fā)了多個(gè)產(chǎn)品系列，涵蓋濺射靶材、蒸鍍膜料、高純合金、金屬粉末、耗材...

濺射靶材的制備方法有哪些？濺射靶材是指通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜設(shè)備在適當(dāng)工藝條件下濺射沉積在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。濺射靶材普遍應(yīng)用于裝飾、工模具、玻璃、電子器件、半導(dǎo)體、磁記錄、平面顯示、太陽(yáng)能電池等眾多領(lǐng)域，不同領(lǐng)域需要的靶材各不相同。濺射靶材的制備：濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類，除嚴(yán)格控制材料純度、致密度、晶粒度以及結(jié)晶取向之外，對(duì)熱處理?xiàng)l件、后續(xù)加工方法等亦需加以嚴(yán)格控制。粉末冶金法：粉末冶金法制備靶材時(shí)，其關(guān)鍵在于：(1)選擇高純、超細(xì)粉末作為原料；(2)選擇能實(shí)現(xiàn)快速致密化的成形燒結(jié)技術(shù)，以保證靶材的低孔隙率，并控制晶粒度；(3)制備過...

等離子預(yù)處理工藝在真空鍍鋁膜中的應(yīng)用。 等離子體是電離了的氣體。它由電子、離子和中性粒子3種成分組成，其中電子和離子的電荷總數(shù)基本相等，故整體是電中性的。在基材薄膜鍍鋁前，通過等離子處理裝置將電離的等離子體中的電子或離子打到基材薄膜表面，一方面，可以打開材料的長(zhǎng)分子鏈，出現(xiàn)高能基團(tuán)；另一方面，經(jīng)打擊使薄膜表面出現(xiàn)細(xì)小的凹陷，同時(shí)還可使表面雜質(zhì)離解、重解。電離時(shí)放出的臭氧有強(qiáng)氧化性，附著的雜質(zhì)被氧化而除去，使鍍鋁基材薄膜的表面自由能提高，達(dá)到提高鍍鋁層附著牢度的目的。 等離子預(yù)處理技術(shù)在不同公司其稱呼不同，如英國(guó)Bobst公司、德國(guó)Leybold Optic萊寶光電等稱之為等離子預(yù)處理，美國(guó)Ap...

PECVD 制備氫化非晶硅薄膜 本實(shí)驗(yàn)采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120 Pa， 射頻功率100 W， 氣體流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉積時(shí)間30min， 制備得到a- Si：H 薄膜樣品。 (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會(huì)變差; (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好; (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范圍內(nèi)，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大; (4) 隨著濺射...

固定板200的厚度為10mm～15mm。若所述固定板200的厚度過大，使得所述固定板200的重量過大，不便于使用，影響操作的靈活性。若所述固定板200的厚度過小，導(dǎo)致所述固定板200的強(qiáng)度和韌性較差，影響所述靶材拋光裝置100的使用壽命。所述拋光片300表面與靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱相匹配。所述拋光片300表面具有磨砂顆粒，用于增加所述拋光片300與靶材表面間的摩擦力，以提高拋光效率。拋光片300包括拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330。所述拋光片部分310設(shè)置于所述頂板210的底部。所述拋光片第二部分320設(shè)置于所述頂板210與所述側(cè)板220的拐角處，且在所述拋...

3D玻璃漸變色的應(yīng)用 3D玻璃漸變色主要應(yīng)用于3C產(chǎn)品，特別是手機(jī)領(lǐng)域。隨著雙玻璃加金屬邊框的盛行，3D后蓋裝飾工藝需要不斷革新。現(xiàn)有的裝飾工藝主要是在裝飾防爆膜上進(jìn)行鍍膜絲印，再與3D玻璃貼合實(shí)現(xiàn)裝飾效果，外觀裝飾主要還是防爆膜紋理和鍍膜顏色搭配實(shí)現(xiàn)。漸變色效果可以通過多種途徑實(shí)現(xiàn)，包括：印刷、轉(zhuǎn)印、真空鍍膜、噴涂等。由于技術(shù)的瓶頸問題，現(xiàn)在量產(chǎn)的3D玻璃漸變主要有印刷和真空鍍膜兩種途徑。 漸變效果可大致分為同色漸變、鄰近色漸變、對(duì)比色漸變。漸變顏色的選擇對(duì)于印刷工藝的限制會(huì)小一些，選擇范圍更加寬。印刷工藝可以選擇對(duì)應(yīng)顏色及對(duì)應(yīng)顏色帶范圍進(jìn)行印刷，能夠?qū)崿F(xiàn)較為多元化的色彩沖撞效果，滿足設(shè)計(jì)者...

PVD技術(shù)常用的方法 PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍），以下介紹幾種常用的方法。 電子束蒸發(fā) 電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。 濺射沉積 濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術(shù)。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應(yīng)濺射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。 RF(射頻)濺射 RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進(jìn)行濺射。RF濺射不可以沉積金屬膜，而且可以沉積多...

真空鍍膜機(jī)分類真空鍍膜機(jī)在近二十年內(nèi)發(fā)展迅速，其涉足的行業(yè)包括：塑料、五金、建筑、模具、裝飾、陶瓷、汽車等行業(yè)，而真空鍍膜設(shè)備根據(jù)各大個(gè)行業(yè)的功能需求，發(fā)展為蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)、多弧離子真空鍍膜機(jī)、磁控濺射真空鍍膜機(jī)。其中蒸發(fā)機(jī)主要應(yīng)用于塑料、五金等行業(yè)。表面進(jìn)行蒸發(fā)鍍鋁、鉻、一氧化硅的設(shè)備，所鍍膜層特點(diǎn)：牢固且細(xì)密，是工業(yè)化生產(chǎn)的理想設(shè)備，其大的優(yōu)點(diǎn)是它的環(huán)保性，真空鍍膜設(shè)備屬于無(wú)三廢、無(wú)污染的清潔生產(chǎn)設(shè)備，無(wú)須環(huán)保部門審批。多弧離子真空鍍膜機(jī)主要應(yīng)用于表面涂裝PVD膜層，是目前世界上先進(jìn)涂裝PVD膜層設(shè)備，真空所自主研發(fā)生產(chǎn)的多弧離子真空鍍膜設(shè)備運(yùn)用PLC及觸摸屏實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化邏輯程序控制操作,設(shè)...

陶瓷靶材：ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、濺射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。采用中頻電源或射頻電源。無(wú)錫Se靶材調(diào)試靶材真空鍍膜設(shè)備替代電鍍?cè)O(shè)備是發(fā)展的必然 2012年全國(guó)化學(xué)電鍍產(chǎn)生的污水和重金屬排放量達(dá)到3.5億噸，固體廢物達(dá)到4.1萬(wàn)噸，酸...

什么是DLC薄膜？ 類金剛石薄膜通常又被人們稱為DLC薄膜，是英文詞匯Diamond Like Carbon的簡(jiǎn)稱，它是一類性質(zhì)近似于金剛石，具有高硬度，高電阻率。良好光學(xué)性能等，同時(shí)又具有自身獨(dú)特摩擦學(xué)特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之間的不同結(jié)合方式，從而使其終產(chǎn)生不同的物質(zhì)：金剛石（diamond）—碳碳以 sp3鍵的形式結(jié)合；石墨（graphite）—碳碳以sp2鍵的形式結(jié)合。 而類金剛石（DLC）—碳碳則是以sp3和sp2鍵的形式結(jié)合，生成的無(wú)定形碳的一種亞穩(wěn)定形態(tài)，它沒有嚴(yán)格的定義，可以包括很寬性質(zhì)范圍的非晶碳，因此兼具了金剛石和石墨的優(yōu)良特性；所以由類金剛石而來的DLC膜...

有一部分靶材在安裝之前需要拋光，比如鋁靶材等活性金屬靶材，長(zhǎng)期暴露在大氣中，表面容易形成一層氧化皮，在直流脈沖、中頻濺射過程中，離子撞擊的能量不足以破壞氧化皮，所以一般在濺射的時(shí)候進(jìn)行物理拋光。一般靶材拋光后，濺射速率、電壓等工藝參數(shù)比較穩(wěn)定，容易控制。所以結(jié)論就是，活性金屬靶材要求表面拋光，不活潑金屬靶材不一定非要求表面拋光。其他非金屬的靶材不需要拋光。靶材安裝及注意事項(xiàng)有哪些？濺射靶材安裝過程中重要的注意事項(xiàng)是一定要確保在靶材和濺射頭冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會(huì)造成靶材安裝時(shí)發(fā)生開裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱性能就會(huì)受到很大的影響，導(dǎo)致在濺射過程中...

所述把手510包括桿狀部511和第二桿狀部512，所述桿狀部511的一端連接所述頂板210，另一端連接所述第二桿狀部512。所述桿狀部511延伸方向與所述頂板210表面相垂直，所述第二桿狀部512延伸方向與所述頂板210表面相平行。所述把手510的結(jié)構(gòu)有利于操作人員牢固的抓握所述把手510，防止從所述把手510上滑脫。在其他實(shí)施例中，所述固定板200內(nèi)側(cè)面彎折處呈弧狀，所述防護(hù)層400彎折處呈弧狀，位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度均勻。此外，與前一實(shí)施例不同的是，所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為一體成型。且所述拋光片部分310、拋光片第二部分...

拋光片第二部分320呈弧狀，與經(jīng)圓角處理的靶材側(cè)棱相匹配，可對(duì)靶材側(cè)棱進(jìn)行拋光。所述拋光片第三部分330表面為平整的平面，能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面進(jìn)行拋光。因此所述靶材拋光裝置100能夠同時(shí)對(duì)靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進(jìn)行拋光，有助于提高拋光作業(yè)效率。由于操作人員同時(shí)對(duì)靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進(jìn)行拋光，因此操作人員施加在靶材側(cè)壁表面及側(cè)棱上的力度差異小，拋光工藝結(jié)束后，靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度，使得拋光表面具有良好的均一性，有助于改善濺射鍍膜質(zhì)量。若分步驟對(duì)靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面進(jìn)行拋光，操作人員在兩個(gè)步驟中施加的力度容易差別較大，造成拋...

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有較高的電遷移率和穩(wěn)定的光電性能，是制備微電子器件、薄膜晶體管、大面積平板液晶顯示的質(zhì)量材料。多晶硅薄膜被公認(rèn)為是制備低耗、理想的薄膜太陽(yáng)能電池的材料。因此，如何制備多晶硅薄膜是一個(gè)非常有意義的研究課題。固相法是制備多晶硅薄膜的一種常用方法，它是在高溫退火的條件下，使非晶硅薄膜通過固相相變而成為多晶硅薄膜。本文采用固相法，利用X- ray 衍射及拉曼光譜，對(duì)用不同方法制備的非晶硅薄膜的晶化過程進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。 在硅薄膜太陽(yáng)能電池材料中，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池制造工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，但是存在光電轉(zhuǎn)換效率低，壽命短，穩(wěn)定性不好，并且存在光致衰退效應(yīng)(S-W 效應(yīng))等缺點(diǎn)。單晶...