封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展...

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞...

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項(xiàng)目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度，通常jin應(yīng)用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或...

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒...

鍵合機(jī)特征 高真空，對(duì)準(zhǔn)，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 ...

EVG?850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的...

EVG?510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級(jí)用于陽極鍵合 開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)...

GEMINI ? FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)...

晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)的創(chuàng)新發(fā)展趨勢(shì)有哪些？1、光學(xué)和圖像技術(shù)的創(chuàng)新：晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)需要采用更先進(jìn)的圖像和光學(xué)技術(shù)以提高檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性。例如，采用深度學(xué)習(xí)、圖像增強(qiáng)和超分辨率等技術(shù)來提高圖像的清晰度，準(zhǔn)確檢測(cè)到更小的缺陷。2、機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能的應(yīng)用：機(jī)...

電阻率測(cè)量儀的主要用途：電阻率測(cè)量儀的主要用途是測(cè)量材料的電阻率，以及對(duì)材料進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)。電阻率測(cè)量儀可以應(yīng)用于許多領(lǐng)域，如材料研究、工業(yè)制造、地質(zhì)勘探、土壤評(píng)估、醫(yī)療診斷等等。在材料研究領(lǐng)域中，電阻率測(cè)量儀可以用來研究不同材料的電學(xué)性質(zhì)，例如導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕...

薄膜應(yīng)力分析儀如何維護(hù)保養(yǎng)？1. 清潔保養(yǎng)：薄膜應(yīng)力分析儀必須保持干燥和清潔，使用后應(yīng)立即對(duì)儀器表面和內(nèi)部進(jìn)行清潔。2. 常規(guī)維護(hù)：薄膜應(yīng)力分析儀在使用過程中需要定期檢查各個(gè)部件的密封、電源等系統(tǒng)，確保各系統(tǒng)正常運(yùn)行。3. 保持干燥：在使用薄膜應(yīng)力分析儀時(shí)，要...

影響薄膜應(yīng)力分析儀價(jià)格的因素有哪些？1. 測(cè)量范圍和精度：較高的測(cè)量范圍和精度通常意味著更高的成本和價(jià)格。2. 測(cè)量速度：具有更高測(cè)量速度的薄膜應(yīng)力分析儀通常價(jià)格更高。3. 設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性：性能更高、品牌名度更高、售后服務(wù)更完善的薄膜應(yīng)力分析儀通常價(jià)格更高...

企業(yè)選擇電阻率測(cè)量儀的主要原因是什么？企業(yè)選擇電阻率測(cè)量儀的主要原因包括：1. 精度高：電阻率測(cè)量儀具有精度高、反應(yīng)快、測(cè)量數(shù)據(jù)準(zhǔn)確等特點(diǎn)，具有很高的技術(shù)可靠性，能夠?yàn)槠髽I(yè)提供高精度測(cè)量服務(wù)。2. 操作簡便：電阻率測(cè)量儀通常采用簡單的操作界面，簡便易用，即使沒...

晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備的特點(diǎn)是什么？1、高效性：晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備能夠快速、準(zhǔn)確地檢測(cè)晶圓表面的缺陷，大幅提高了生產(chǎn)效率。2、精度高：晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備能夠檢測(cè)微小的缺陷，具有高精度的檢測(cè)能力。3、可靠性高：晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備采用先進(jìn)的檢測(cè)技術(shù)和算法，能夠...

晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備的安裝步驟如下：1、確定設(shè)備安裝位置：根據(jù)設(shè)備的大小和使用要求，選擇一個(gè)空間充足、通風(fēng)良好、無振動(dòng)、溫濕度穩(wěn)定的地方進(jìn)行安裝。2、準(zhǔn)備安裝環(huán)境：對(duì)于需要特殊環(huán)境的設(shè)備（例如光學(xué)器件），應(yīng)按照設(shè)備使用要求準(zhǔn)備環(huán)境。為避免灰塵或污染，應(yīng)在安裝區(qū)域使...

電阻率測(cè)量儀：Delcom通過渦流技術(shù)，非接觸、無損測(cè)量靜態(tài)或動(dòng)態(tài)的導(dǎo)電材料物體的方阻。Delcom能做到瞬時(shí)讀數(shù),提供實(shí)時(shí)工序檢查。測(cè)量方阻的范圍從0.005到10萬歐姆/平方（具體的測(cè)試范圍需要提前商定）；重復(fù)性好、測(cè)量結(jié)果偏差小于3%，具有溫度補(bǔ)償功能；...

高精度電容位移傳感器是一種測(cè)量物體相對(duì)位置變化的傳感器，它通過在物體周圍放置電極并測(cè)量電極之間的電容值變化來測(cè)量物體的位置變化。這種傳感器具有高精度、高分辨率和高靈敏度的特點(diǎn)。它可以測(cè)量微小的位移變化，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出。一般情況下，這種傳感器的分辨率可以...

薄膜應(yīng)力分析儀存儲(chǔ)注意事項(xiàng)：1. 存放環(huán)境：薄膜應(yīng)力分析儀應(yīng)該存放在干燥、通風(fēng)、不受陽光直射和震動(dòng)的環(huán)境中，因?yàn)閮x器本身是精密的測(cè)試設(shè)備，需要保持穩(wěn)定的環(huán)境以防止損壞或者機(jī)械性能損失。2. 電源管理：在長時(shí)間不使用薄膜應(yīng)力分析儀時(shí)，應(yīng)該將其拔掉電源并存儲(chǔ)在干燥...

高精度電容位移傳感器提供了哪些好處?1. 高精度：高精度電容位移傳感器具有較高的精度，可以測(cè)量微小的位移和形變變化，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。2. 高靈敏度：電容式傳感器原理的特點(diǎn)使其靈敏度高于其他傳感器類型，實(shí)現(xiàn)了更高的檢測(cè)靈敏度。3. 可調(diào)性：通過調(diào)整傳...

薄膜應(yīng)力分析儀的影響因素有哪些？1. 溫度變化：溫度是薄膜應(yīng)力的一個(gè)很大的影響因素。在溫度變化時(shí)，薄膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生變化，從而會(huì)導(dǎo)致薄膜應(yīng)力的改變。在測(cè)量時(shí)，需要將樣品和儀器置于恒溫環(huán)境中，以保持溫度的穩(wěn)定。2. 濕度變化：濕度的變化也會(huì)對(duì)薄膜應(yīng)力的測(cè)量結(jié)果...

電阻率測(cè)量儀的使用方法是什么？1. 首先，將要測(cè)試的材料導(dǎo)電端面清潔干凈，使其能夠與測(cè)試接口良好接觸。2. 打開電阻率測(cè)量儀，進(jìn)行相關(guān)參數(shù)的配置，如測(cè)量范圍、測(cè)量方式等。根據(jù)需要，還可以進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和結(jié)果顯示等設(shè)置。3. 將測(cè)試接口連接至要測(cè)試的材料電導(dǎo)端面，...

晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)：1、高效性：晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備采用自動(dòng)化設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)，不僅檢測(cè)速度快，而且可同時(shí)處理多個(gè)晶圓，提高了生產(chǎn)效率。2、準(zhǔn)確性：晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備采用多種成像技術(shù)和算法，可以精確地檢測(cè)各種缺陷，并且可以判斷缺陷類型、大小和位置等。3、非接觸式檢測(cè)...

輪廓儀是一種兩坐標(biāo)測(cè)量儀器，儀器傳感器相對(duì)被測(cè)工件表而作勻速滑行，傳感器的觸針感受到被測(cè)表而的幾何變化，在X和Z方向分別采樣，并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，該電信號(hào)經(jīng)放大和處理，再轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)儲(chǔ)存在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器中，計(jì)算機(jī)對(duì)原始表而輪廓進(jìn)行數(shù)字濾波，分離掉...

輪廓儀產(chǎn)品概述：NanoX-2000/3000系列3D光學(xué)干涉輪廓儀建立在移相干涉測(cè)量（PSI）、白光垂直掃描干涉測(cè)量（VSI）和單色光垂直掃描干涉測(cè)量（CSI）等技術(shù)的基礎(chǔ)上，以其納米級(jí)測(cè)量準(zhǔn)確度和重復(fù)性（穩(wěn)定性）定量地反映出被測(cè)件的表面粗糙度、表面輪廓、臺(tái)...

輪廓儀的技術(shù)原理被測(cè)表面(光)與參考面(光)之間的光程差（高度差）形成干涉移相法(PSI)高度和干涉相位f=(2p/l)2h形貌高度:<120nm精度:<1nmRMS重復(fù)性:0.01nm垂直掃描法(VSI+CSI)精度：?/1000干涉信號(hào)~光程差位置形貌高度...

滿足您需求的輪廓儀使用范圍廣:兼容多種測(cè)量和觀察需求保護(hù)性:非接觸式光學(xué)輪廓儀耐用性更強(qiáng)，使用無損可操作性:一鍵式操作，操作更簡單，更方便智能性:特殊形狀能夠只能計(jì)算特征參數(shù)個(gè)性化:定制化客戶報(bào)告模式更好用戶體驗(yàn)：迅捷的售后服務(wù)，個(gè)性化應(yīng)用軟件支持1.精度高,...

輪廓儀的物鏡知多少？白光干涉輪廓儀是基于白光干涉原理，以三維非接觸時(shí)方法測(cè)量分析樣片表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸，典型結(jié)果包括：表面形貌（粗糙度，平面度，平行度，臺(tái)階高度，錐角等）幾何特征（關(guān)鍵孔徑尺寸，曲率半徑，特征區(qū)域的面積和集體，特征圖形的位置和數(shù)量等）白光...

EVG?770特征：微透鏡用于晶片級(jí)光學(xué)器件的高效率制造主下降到納米結(jié)構(gòu)為SmartNIL?簡單實(shí)施不同種類的大師可變抗蝕劑分配模式分配，壓印和脫模過程中的實(shí)時(shí)圖像用于壓印和脫模的原位力控制可選的光學(xué)楔形誤差補(bǔ)償可選的自動(dòng)盒帶間處理EVG?770技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓...

EVG的光刻機(jī)技術(shù)：EVG在光刻技術(shù)上的關(guān)鍵能力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)器的高產(chǎn)能，接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統(tǒng)的內(nèi)部處理的相關(guān)知識(shí)。EVG的所有光刻設(shè)備平臺(tái)均支持300毫米的晶圓，可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并配有用于從上到下的側(cè)面對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)...

EVG101光刻膠處理系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)涂層模塊-旋轉(zhuǎn)器參數(shù)轉(zhuǎn)速：蕞高10krpm加速速度：蕞高10krpm噴涂模塊-噴涂產(chǎn)生超聲波霧化噴嘴/高粘度噴嘴；開發(fā)模塊-分配選項(xiàng)水坑顯影/噴霧顯影EVG101光刻膠處理系統(tǒng)；附加模塊選項(xiàng)：預(yù)對(duì)準(zhǔn)：機(jī)械系統(tǒng)控制參數(shù)：操作系統(tǒng)：...