IC封裝藥液對(duì)于重污垢工件,延長(zhǎng)清洗時(shí)間或使用多槽多次方式徹底清洗干凈。極易漂洗,無(wú)殘留,并對(duì)玻璃材質(zhì)無(wú)不良影響。本品不含重金屬,亞硝酸鹽等RoHS禁止之物質(zhì)。本品應(yīng)儲(chǔ)于陰涼干燥的庫(kù)房?jī)?nèi),嚴(yán)禁日曬雨淋。本品無(wú)刺激性,如接觸皮膚,立即用大量清水沖洗15min,如不慎濺入眼中,立即用大量清水沖洗15min,嚴(yán)重者應(yīng)就醫(yī)。使用除膠劑可采用浸泡法和擦拭法進(jìn)行除膠,浸泡十分鐘~3小時(shí)后。取出工件,再用棉布或軟毛刷將粘膠剝離擦除即可。需要注意的是產(chǎn)品有揮發(fā)性,要用塑料桶盛裝,浸泡時(shí)蓋好蓋子。防變色劑又稱防腐蝕劑,IC除銹劑。江蘇IC封裝藥水專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)廠家
隨著芯片尺寸加大,工藝線寬減小,從9Onm工藝開(kāi)始,以往IC清潔劑在清洗過(guò)程中使用的超聲波清洗遇到一些問(wèn)題,如造成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)損傷,在65nm及以下工藝,其損傷程度可能會(huì)加劇。芯片中的深溝槽結(jié)構(gòu)清洗時(shí)清洗液和漂洗去離子水很難進(jìn)入結(jié)構(gòu)內(nèi)部,難以達(dá)到清洗目的。高堆桑式和深溝槽式結(jié)構(gòu)清洗后的干燥過(guò)程也是很關(guān)鍵的技術(shù)問(wèn)題。一般小于130nm工藝中,要求必須去除所有大于或等于100nm的顆粒,而由于表面邊界層的限制,現(xiàn)行清洗技術(shù),如液體或高壓〈液體〉噴射清洗已無(wú)法洗去0onm的顆粒。無(wú)錫芯片制程藥劑供求信息IC封裝藥水極低的添加量,綜合使用成本低。
HCFC類(lèi)IC清潔劑及其清洗工藝特點(diǎn):這是一種含氫的氟氯烴,其蒸發(fā)潛熱小、揮發(fā)性好,在大氣中容易分解,破壞臭氧層的作用比較小,屬于一種過(guò)渡性產(chǎn)品,規(guī)定在2040年以前淘汰,所以,我們不推薦使用該類(lèi)清洗劑。其存在的問(wèn)題主要有兩個(gè):一是過(guò)渡性。因?yàn)閷?duì)臭氧層還有破壞作用,只允許使用到2040年;二是價(jià)格比較高,清洗能力較弱,增加了清洗成本。氯代烴類(lèi)的清洗工藝特點(diǎn):氯代烴類(lèi)如二氯甲烷、三氯乙烷等也屬于非ODS清洗劑。其清洗工藝特點(diǎn)是:清洗油脂類(lèi)污物的能力特別強(qiáng);像ODS清洗劑一樣,也可以用蒸氣洗和氣相干燥。
傳統(tǒng)工藝一般需經(jīng)過(guò)除油→水洗→除銹(強(qiáng)浸蝕)→水洗→活化(弱浸蝕)→水洗等六道工序。采用本品可簡(jiǎn)化操作步驟,提高工效。IC除銹劑使用方便:本品在常溫下配置、使用,有利于節(jié)約能源、降低成本。半導(dǎo)體制程所用清洗液可大致分為兩類(lèi)。一類(lèi)是散裝化學(xué)試劑,如氫氟酸、硫酸、雙氧水以及氨水等;第二類(lèi)是所謂功能性的藥液,就是在上述散裝化學(xué)試劑、水以及有機(jī)溶劑的基礎(chǔ)上,添加鰲合劑、表面活性劑等混合而成。其中,作為功能性的藥液的表示品種,從事聚合物剝離液和CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)后清洗液生產(chǎn)的企業(yè)眾多,競(jìng)爭(zhēng)異常激烈。IC封裝藥水膜成單獨(dú)相存在,通常是氧化金屬的化合物。
金屬的腐蝕生銹給社會(huì)發(fā)展造成了巨大的經(jīng)濟(jì)損失,還給人們的日常生產(chǎn)生活帶來(lái)較大的不便和潛在的直接或間接性的環(huán)境污染,安全隱患。因此對(duì)金屬基材的防銹始終是人們關(guān)注的焦點(diǎn)。IC除銹劑的優(yōu)點(diǎn)防銹的方法中比較簡(jiǎn)單有效的就是使用IC除銹劑。IC除銹劑的優(yōu)點(diǎn)在于超級(jí)高效的合成滲透劑,它能強(qiáng)力滲入鐵銹、腐蝕物、油污內(nèi)從而輕松地除掉掉螺絲、螺拴上的銹跡和腐蝕物,具有滲透除銹、松動(dòng)潤(rùn)滑、防止腐蝕、保護(hù)金屬等性能。并可在部件表面上形成并貯存一層潤(rùn)滑膜,可以防止?jié)駳饧霸S多其它化學(xué)成份造成的腐蝕。IC封裝藥水依使用運(yùn)輸和儲(chǔ)存條件的不同,在1-3年內(nèi)可防止表面形成硫化物。芯片封裝藥水型號(hào)
IC封裝藥水經(jīng)本劑處理的工件,可保持金屬本色,不影響加工精度。江蘇IC封裝藥水專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)廠家
有機(jī)物的去除常常在清洗工序的第1步進(jìn)行,金屬污染物:IC電路制造過(guò)程中采用金屬互連材料將各個(gè)單獨(dú)的器件連接起來(lái),首先采用光刻、蝕刻的方法在絕緣層上制作接觸窗口,再利用蒸發(fā)、濺射或化學(xué)汽相沉積(CVD)形成金屬互連膜,如A-Si,Cu等,通過(guò)蝕刻產(chǎn)生互連線,然后對(duì)沉積介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。這個(gè)過(guò)程對(duì)IC制程也是一個(gè)潛在的污染過(guò)程,在形成金屬互連的同時(shí),也產(chǎn)生各種金屬污染。必須采取相應(yīng)的措施去除金屬污染物。原生氧化物及化學(xué)氧化物:硅原子非常容易在含氧氣及水的環(huán)境下氧化形成氧化層,稱為原生氧化層。江蘇IC封裝藥水專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)廠家
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