遼寧DDR測(cè)試商家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-08

DDR測(cè)試

要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求,因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來(lái)說(shuō),不同控制器芯片廠商有不同的要求,目前沒(méi)有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn),并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來(lái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。 DDR3規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義;遼寧DDR測(cè)試商家

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DDR測(cè)試

內(nèi)存條測(cè)試對(duì)內(nèi)存條測(cè)試的要求是千差萬(wàn)別的。DDR內(nèi)存條的制造商假定已經(jīng)進(jìn)行過(guò)芯片級(jí)半導(dǎo)體故障的測(cè)試,因而他們的測(cè)試也就集中在功能執(zhí)行和組裝錯(cuò)誤方面。通過(guò)采用DDR雙列直插內(nèi)存條和小型雙列直插內(nèi)存條,可以有三種不同內(nèi)存條測(cè)試儀方案:雙循環(huán)DDR讀取測(cè)試。這恐怕是簡(jiǎn)單的測(cè)試儀方案。大多數(shù)的測(cè)試儀公司一般對(duì)他們現(xiàn)有的SDR測(cè)試儀作一些很小的改動(dòng)就將它們作為DDR測(cè)試儀推出。SDR測(cè)試儀的寫方式是將同一數(shù)據(jù)寫在連續(xù)排列的二個(gè)位上。在讀取過(guò)程中,SDR測(cè)試儀能首先讀DDR內(nèi)存條的奇數(shù)位數(shù)據(jù)。然后,通過(guò)將數(shù)據(jù)鎖存平移半個(gè)時(shí)鐘周期,由第二循環(huán)讀偶數(shù)位。這使得測(cè)試儀能完全訪問(wèn)DDR內(nèi)存單元。該方法沒(méi)有包括真正的突發(fā)測(cè)試,而且也不是真正的循環(huán)周期測(cè)試。


DDR測(cè)試DDR測(cè)試系列DDR4物理層一致性測(cè)試;

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DDR4/5與LPDDR4/5的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試由于基于DDR顆?;駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺(tái),應(yīng)用場(chǎng)景千差萬(wàn)別,因此需要進(jìn)行詳盡的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對(duì)于DDR4及以下的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō),物理層一致性測(cè)試主要是發(fā)送的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試;對(duì)于DDR5標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō),由于接收端出現(xiàn)了均衡器,所以還要包含接收測(cè)試。DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試也是使用高帶寬的示波器。對(duì)于DDR的信號(hào),技術(shù)規(guī)范并沒(méi)有給出DDR信號(hào)上升/下降時(shí)間的具體參數(shù),因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實(shí)際快上升/下降時(shí)間來(lái)估算需要的示波器帶寬。通常對(duì)于DDR3信號(hào)的測(cè)試,推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測(cè)試建議的測(cè)試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測(cè)試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。

什麼是DDR內(nèi)存?如何測(cè)試?

近幾年來(lái),CPU的速度呈指數(shù)倍增長(zhǎng)。然而,計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長(zhǎng)確不盡人意。在1999年,大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間,英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代,每一種新技術(shù)的出現(xiàn),就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為:內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過(guò)程中得到充分體現(xiàn):3維游戲的速度更快,MP3音樂(lè)的播放更加柔和,MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好。今年,一種新型內(nèi)存:DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō),DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞,然而,它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來(lái)通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高,然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低。 DDR信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件;

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對(duì)于DDR2和DDR3,時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)?,而在DDR2里,DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率,當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然,在同樣的長(zhǎng)度下,差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果,時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外,必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸,所以,需要在每一個(gè)字節(jié)里,它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配,而且不能有過(guò)孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低,所以換層走線是沒(méi)多大問(wèn)題的,在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR平均速率以及變化情況;遼寧DDR測(cè)試商家

DDR信號(hào)的眼圖模板要求那些定義;遼寧DDR測(cè)試商家

一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù):2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運(yùn)行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用,測(cè)量服務(wù)器內(nèi)存的信號(hào)完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過(guò)程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存,為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,ddr4鏈路的測(cè)試對(duì)服務(wù)器存儲(chǔ)性能評(píng)估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號(hào)的測(cè)試無(wú)法進(jìn)行正常工作狀態(tài)的讀寫分離,只能利用主控芯片進(jìn)行讀寫命令來(lái)進(jìn)行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y(cè)試,效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形,在信號(hào)完整性測(cè)試上有比較大的風(fēng)險(xiǎn)。遼寧DDR測(cè)試商家