芯片膜厚儀出廠(chǎng)價(jià)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-11-24

FSM8018VITE測(cè)試系列設(shè)備VITE技術(shù)介紹:VITE是傅里葉頻域技術(shù),利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)(Phasesheartechnology)設(shè)備介紹適用于所有可讓近紅外線(xiàn)通過(guò)的材料:硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應(yīng)用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過(guò)孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導(dǎo)體材料的厚度環(huán)氧樹(shù)脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點(diǎn)高度(bumpheight)MEMS薄膜測(cè)量TSV深度、側(cè)壁角度...F30-UV測(cè)厚范圍:3nm-40μm;波長(zhǎng):190-1100nm。芯片膜厚儀出廠(chǎng)價(jià)

芯片膜厚儀出廠(chǎng)價(jià),膜厚儀

1、激光測(cè)厚儀是利用激光的反射原理,根據(jù)光切法測(cè)量和觀(guān)察機(jī)械制造中零件加工表面的微觀(guān)幾何形狀來(lái)測(cè)量產(chǎn)品的厚度,是一種非接觸式的動(dòng)態(tài)測(cè)量?jī)x器。它可直接輸出數(shù)字信號(hào)與工業(yè)計(jì)算機(jī)相連接,并迅速處理數(shù)據(jù)并輸出偏差值到各種工業(yè)設(shè)備。2、X射線(xiàn)測(cè)厚儀利用X射線(xiàn)穿透被測(cè)材料時(shí),X射線(xiàn)的強(qiáng)度的變化與材料的厚度相關(guān)的特性,滄州歐譜從而測(cè)定材料的厚度,是一種非接觸式的動(dòng)態(tài)計(jì)量?jī)x器。它以PLC和工業(yè)計(jì)算機(jī)為和新,采集計(jì)算數(shù)據(jù)并輸出目標(biāo)偏差值給軋機(jī)厚度控制系統(tǒng),達(dá)到要求的軋制厚度。主要應(yīng)用行業(yè):有色金屬的板帶箔加工、冶金行業(yè)的板帶加工。3、紙張測(cè)厚儀:適用于4mm以下的各種薄膜、紙張、紙板以及其他片狀材料厚度的測(cè)量。4、薄膜測(cè)厚儀:用于測(cè)定薄膜、薄片等材料的厚度,測(cè)量范圍寬、測(cè)量精度高,具有數(shù)據(jù)輸出、任意位置置零、公英制轉(zhuǎn)換、自動(dòng)斷電等特點(diǎn)。5、涂層測(cè)厚儀:用于測(cè)量鐵及非鐵金屬基體上涂層的厚度.6、超聲波測(cè)厚儀:超聲波測(cè)厚儀是根據(jù)超聲波脈沖反射原理來(lái)進(jìn)行厚度測(cè)量的,當(dāng)探頭發(fā)射的超聲波脈沖通過(guò)被測(cè)物體到達(dá)材料分界面時(shí),脈沖被反射回探頭,通過(guò)精確測(cè)量超聲波在材料中傳播的時(shí)間來(lái)確定被測(cè)材料的厚度。半導(dǎo)體設(shè)備膜厚儀干涉測(cè)量應(yīng)用厚度范圍: 測(cè)量從 1nm 到 13mm 的厚度。 測(cè)量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。

芯片膜厚儀出廠(chǎng)價(jià),膜厚儀

F50系列包含的內(nèi)容:集成光譜儀/光源裝置光纖電纜4",6"and200mm參考晶圓TS-SiO2-4-7200厚度標(biāo)準(zhǔn)BK7參考材料整平濾波器(用于高反射基板)真空泵備用燈型號(hào)厚度范圍*波長(zhǎng)范圍F50:20nm-70μm380-1050nmF50-UV:5nm-40μm190-1100nmF50-NIR:100nm-250μm950-1700nmF50-EXR:20nm-250μm380-1700nmF50-UVX:5nm-250μm190-1700nmF50-XT:0.2μm-450μm1440-1690nmF50-s980:4μm-1mm960-1000nmF50-s1310:7μm-2mm1280-1340nmF50-s1550:10μm-3mm1520-1580nm額外的好處:每臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)建超過(guò)130種材料庫(kù),隨著不同應(yīng)用更超過(guò)數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助(周一-周五)網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級(jí)計(jì)劃。

樣品視頻包括硬件和照相機(jī)的F20系統(tǒng)視頻。視頻實(shí)時(shí)顯示精確測(cè)量點(diǎn)。 不包括SS-3平臺(tái)。SampleCam-sXsX探頭攝像機(jī)包含改裝的sX探頭光學(xué)配件,但不包含平臺(tái)。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺(tái),具有SS-3鏡頭與38mm的精密XY平移聚焦平臺(tái)。能夠升級(jí)成電動(dòng)測(cè)繪與自動(dòng)對(duì)焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全電動(dòng)樣品平臺(tái)??梢赃M(jìn)行100mm高精度XY平移,包括自動(dòng)焦距調(diào)節(jié)。SS-Microscope- UVX-1顯微鏡(15倍反射式物鏡)及X-Y平臺(tái)。 包含UV光源與照明光纖。SS-Microscope- EXR-1顯微鏡包含X- Y平臺(tái)及照明光纖. 需另選購(gòu)物鏡. 通常使用顯微鏡內(nèi)建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或彎曲表面的透射平臺(tái),包括光纖,和 F10-AR 一起使用。 波長(zhǎng)范圍 250nm -2500nm。T-1SS-3 平臺(tái)的透射測(cè)量可選件。包括光纖、平臺(tái)轉(zhuǎn)接器和平臺(tái)支架。 用于平坦的樣品。WS-300用于小于 300mm 樣品的平移旋轉(zhuǎn)平臺(tái)??梢?jiàn)光可測(cè)試的深度,良好的厚樣以及多層樣品的局部應(yīng)力。

芯片膜厚儀出廠(chǎng)價(jià),膜厚儀

(光刻膠)polyerlayers(高分子聚合物層)polymide(聚酰亞胺)polysilicon(多晶硅)amorphoussilicon(非晶硅)基底實(shí)例:對(duì)于厚度測(cè)量,大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對(duì)于光學(xué)常數(shù)測(cè)量,需要一塊平整的鏡面反射基底;如果基底是透明的,基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。包括:silicon(硅)glass(玻璃)aluminum(鋁)gaas(砷化鎵)steel(鋼)polycarbonate(聚碳酸脂)polymerfilms(高分子聚合物膜)應(yīng)用半導(dǎo)體制造液晶顯示器光學(xué)鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動(dòng)來(lái)分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測(cè)試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測(cè)試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長(zhǎng)范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準(zhǔn)確度大于%或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測(cè)器類(lèi)型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素?zé)?。膜厚儀在材料科學(xué)、化學(xué)工程、電子工程等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用,用于質(zhì)量控制、研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中的膜厚測(cè)量。重慶膜厚儀可以試用嗎

F20-XT膜厚范圍:0.2μm - 450μm;波長(zhǎng):1440-1690nm。芯片膜厚儀出廠(chǎng)價(jià)

銦錫氧化物與透明導(dǎo)電氧化物液晶顯示器,有機(jī)發(fā)光二極管變異體,以及絕大多數(shù)平面顯示器技術(shù)都依靠透明導(dǎo)電氧化物(TCO)來(lái)傳輸電流,并作每個(gè)發(fā)光元素的陽(yáng)極。和任何薄膜工藝一樣,了解組成顯示器各層物質(zhì)的厚度至關(guān)重要。對(duì)于液晶顯示器而言,就需要有測(cè)量聚酰亞胺和液晶層厚度的方法,對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管而言,則需要測(cè)量發(fā)光、電注入和封裝層的厚度。在測(cè)量任何多個(gè)層次的時(shí)候,諸如光譜反射率和橢偏儀之類(lèi)的光學(xué)技術(shù)需要測(cè)量或建模估算每一個(gè)層次的厚度和光學(xué)常數(shù)(反射率和k值)。不幸的是,使得氧化銦錫和其他透明導(dǎo)電氧化物在顯示器有用的特性,同樣使這些薄膜層難以測(cè)量和建模,從而使測(cè)量在它們之上的任何物質(zhì)變得困難。Filmetrics的氧化銦錫解決方案Filmetrics已經(jīng)開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)便易行而經(jīng)濟(jì)有效的方法,利用光譜反射率精確測(cè)量氧化銦錫。將新型的氧化銦錫模式和F20-EXR,很寬的400-1700nm波長(zhǎng)相結(jié)合,從而實(shí)現(xiàn)氧化銦錫可靠的“一鍵”分析。氧化銦錫層的特性一旦得到確定,剩余顯示層分析的關(guān)鍵就解決了。芯片膜厚儀出廠(chǎng)價(jià)