EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發(fā)機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM(量產)工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉移,這樣可以輕松擴大生產量。 EVG鍵合機可配置為黏合劑、陽極、直接/熔融、玻璃料、焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散、熱壓縮工藝。半導體鍵合機美元報價
EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術支持。 半導體鍵合機美元報價EMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。
對準晶圓鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底zhizao,晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上硅)。 主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。同時,EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。
ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS” 器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。EVG鍵合機頂部和底部晶片的duli溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),實現(xiàn)無應力鍵合和出色的溫度均勻性。
根據(jù)型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發(fā),并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨力溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。 EVG鍵合機晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。高校鍵合機質量怎么樣
EVG501 晶圓鍵合機系統(tǒng):真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng),可實現(xiàn)ZUI高產量;研發(fā)和試生產的醉低購置成本。半導體鍵合機美元報價
從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設備上執(zhí)行引線鍵合過程,但是由于項目的精致性,由于它們的導電性和相對鍵合溫度,通常jin應用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術,可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當,很容易損壞微芯片或相應的焊盤,因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習,然后再嘗試進行引線鍵合。 半導體鍵合機美元報價