FSM413MOT紅外干涉測量設備:適用于所有可讓紅外線通過的材料:硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導體材料的厚度環(huán)氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側(cè)壁角度...如果您想了解更多關(guān)于FSM膜厚儀的技術(shù)問題,請聯(lián)系我們岱美儀器。F30-UV測厚范圍:3nm-40μm;波長:190-1100nm。半導體膜厚儀技術(shù)原理
不管是參與對顯示器的基礎(chǔ)研究還是制造,Thetametrisis都能夠提供您所需要的...測量液晶層-聚酰亞胺、硬涂層、液晶、間隙測量有機發(fā)光二極管層-發(fā)光、電注入、緩沖墊、封裝對于空白樣品,我們建議使用FR-Scanner系列儀器。對于圖案片,Thetametrisis的FR-Scanner用于測量薄膜厚度已經(jīng)找到了顯示器應用廣范使用。測量范例此案例中,我們成功地測量了藍寶石和硼硅玻璃基底上銦錫氧化物薄膜厚度,可以很容易地在380納米到1700納米內(nèi)同時測量透射率和反射率以確定厚度,折射率,消光系數(shù)。由于ITO薄膜在各種基底上不同尋常的的擴散,這個擴展的波長范圍是必要的。Profilm3D膜厚儀試用F3-sX 系列測厚范圍:10μm - 3mm;波長:960-1580nm。
FSM8018VITE測試系列設備VITE技術(shù)介紹:VITE是傅里葉頻域技術(shù),利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)(Phasesheartechnology)設備介紹適用于所有可讓近紅外線通過的材料:硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導體材料的厚度環(huán)氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側(cè)壁角度...
電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學,半導體,以及其它數(shù)十個行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – ZUI簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0), 而且非常接近化學計量 (就是說,硅:氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應規(guī)范,通常被用來做厚度和折射率標準。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質(zhì)困難,因為硅:氮比率通常不是3:4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是,氧常常滲入薄膜,生成一定程度的氮氧化硅,增大測量難度。 但是幸運的是,我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!可見光可測試的深度,良好的厚樣以及多層樣品的局部應力。
厚度測量產(chǎn)品:我們的膜厚測量產(chǎn)品可適用于各種應用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網(wǎng)頁產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協(xié)助。單點厚度測量:一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層薄膜堆。大多數(shù)產(chǎn)品都有庫存而且可立即出貨。F20全世界銷量蕞hao的薄膜測量系統(tǒng)。有各種不同附件和波長覆蓋范圍。微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當測量斑點只有1微米(μm)時,需要用您自己的顯微鏡或者用岱美儀器提供的整個系統(tǒng)。膜厚儀通過不同的測量原理來實現(xiàn)對膜厚的精確測量。半導體膜厚儀技術(shù)原理
幾乎任何形狀的樣品厚度和折射率的自動測繪。人工加載或機器人加載均可。半導體膜厚儀技術(shù)原理
FSM360拉曼光譜系統(tǒng)FSM紫外光和可見光拉曼系統(tǒng),型號360FSM拉曼的應用l局部應力;l局部化學成分l局部損傷紫外光可測試的深度優(yōu)袖的薄膜(SOI或Si-SiGe)或者厚樣的近表面局部應力可見光可測試的深度良好的厚樣以及多層樣品的局部應力系統(tǒng)測試應力的精度小于15mpa(0.03cm-1)全自動的200mm和300mm硅片檢查自動檢驗和聚焦的能力。以上的信息比較有限,如果您有更加詳細的技術(shù)問題,請聯(lián)系我們的技術(shù)人員為您解答。或者訪問我們的官網(wǎng)了解更多信息。半導體膜厚儀技術(shù)原理