晶片鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-02-05

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前,通過在每個(gè)電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢,該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,稱為晶圓,這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后,將它們封裝成單獨(dú)的組件,然后將焊料引線施加到封裝上。EVG鍵合機(jī)選擇上海岱美儀器。晶片鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

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根據(jù)型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),并且可以通過簡單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)力溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。免稅價(jià)格鍵合機(jī)有哪些品牌EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,這對當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。

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用晶圓級封裝制造的組件被guangfan用于手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中。這主要是由于市場對更小,更輕的電子設(shè)備的需求,這些電子設(shè)備可以以越來越復(fù)雜的方式使用。例如,除了簡單的通話外,許多手機(jī)還具有多種功能,例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應(yīng)用中。例如,它們用于汽車輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng),可植入醫(yī)療設(shè)備,軍SHI數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更guangfan的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。

EVG®850SOI的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此,EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。自動晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)EVG?560,擁有多達(dá)4個(gè)鍵合室,能滿足各種鍵合操作;可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。

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EVG®520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng),用于小批量生產(chǎn)。EVG520IS單腔單元可半自動操作ZUI大200mm的晶圓,適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì),具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計(jì)。諸如獨(dú)LI的頂側(cè)和底側(cè)加熱器,高壓鍵合能力以及與手動系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢,為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn)。特征:全自動處理,手動裝卸,包括外部冷卻站兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器單室或雙室自動化系統(tǒng)全自動的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量選項(xiàng):高真空能力(1E-6毫巴)可編程質(zhì)量流量控制器集成冷卻技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力10、20、60、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn):1E-5mbar可選:1E-6mbarEVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過遠(yuǎn)程通信的。免稅價(jià)格鍵合機(jī)值得買

晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究。晶片鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

GEMINI®FB特征:新的SmartView®NT3面-面結(jié)合對準(zhǔn)具有亞50納米晶片到晶片的對準(zhǔn)精度多達(dá)六個(gè)預(yù)處理模塊,例如:清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對準(zhǔn)驗(yàn)證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實(shí)現(xiàn)ZUI高吞吐量可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)200、300毫米蕞高處理模塊數(shù):6+的SmartView®NT可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對準(zhǔn)和涂敷精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)采用了新的SmartViewNT3鍵合對準(zhǔn)器,該鍵合對準(zhǔn)器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的。晶片鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣