半導體鍵合機保修期多久

EVG®301技術數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉時整個晶片的輻射均勻性材質：不銹鋼和藍寶石刷子材質：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調參數(shù)（刷壓縮，介質分配）EVG的服務：高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。半導體鍵合機保修期多久

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠程通信。因此，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的，實時遠程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持，這得益于我們分布于全球的支持結構，包括三大洲的潔凈室空間：歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).氮化鎵鍵合機摩擦學應用清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB，使用去離子水和溫和的化學清潔劑去除顆粒。

業(yè)內主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工，同時，GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。根據(jù)型號和加熱器尺寸，EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產(chǎn)，因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。

EVG®520IS晶圓鍵合機系統(tǒng)：單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng)，用于小批量生產(chǎn)。EVG520IS單腔單元可半自動操作ZUI大200mm的晶圓，適用于小批量生產(chǎn)應用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術創(chuàng)新進行了重新設計，具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設計。諸如獨LI的頂側和底側加熱器，高壓鍵合能力以及與手動系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。特征：全自動處理，手動裝卸，包括外部冷卻站兼容EVG機械和光學對準器單室或雙室自動化系統(tǒng)全自動的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動集成式冷卻站可實現(xiàn)高產(chǎn)量選項：高真空能力（1E-6毫巴）可編程質量流量控制器集成冷卻技術數(shù)據(jù)ZUI大接觸力10、20、60、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準：1E-5mbar可選：1E-6mbar晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501適用于學術界和工業(yè)研究。

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。針對高級封裝，MEMS，3D集成等不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準的多個鍵合模塊。高校鍵合機有誰在用

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Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結構，但不涉及對準問題，實際應用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］，其鍵合強度可以達到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結構的硅—硅直接鍵合進行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。半導體鍵合機保修期多久