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來源: 發(fā)布時間:2023-01-29

EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動,無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進行打孔,然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動,無應力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG®850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側(cè)保護襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護膜剝離 光學對準 加熱層壓EVG鍵合機晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多類型。SUSS鍵合機供應商家

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EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:?4.0mm材質(zhì):聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性材質(zhì):不銹鋼和藍寶石刷的參數(shù):材質(zhì):PVA可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)自動化晶圓處理系統(tǒng)掃描區(qū)域兼容晶圓處理機器人領(lǐng)域EVG320,使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作,達到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染??蛇x功能:ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644)天津微流控鍵合機晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能;200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。

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EVG®6200BA自動鍵合對準系統(tǒng) 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統(tǒng),用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺,帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面

EVG®850鍵合機 EVG®850鍵合機特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預鍵合 先進的遠程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預鍵合室 對準類型:平面到平面或凹口到凹口 對準精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1° 結(jié)合力:ZUI高5N 鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標準),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):ZUI高3000rpm(5s)自動晶圓鍵合機系統(tǒng)EVG?560,擁有多達4個鍵合室,能滿足各種鍵合操作;可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。

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針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,使用恒溫爐進行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應力匹配度高等優(yōu)點。EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500套。中國澳門低溫鍵合機

晶圓級涂層、封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。SUSS鍵合機供應商家

EVG&reg;501鍵合機特征:獨特的壓力和溫度均勻性;兼容EVG機械和光學對準器;靈活的研究設(shè)計和配置;從單芯片到晶圓;各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);可選的渦輪泵(<1E-5mbar);可升級用于陽極鍵合;開室設(shè)計,易于轉(zhuǎn)換和維護;兼容試生產(chǎn),適合于學校、研究所等;開室設(shè)計,易于轉(zhuǎn)換和維護;200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積:0.8平方米;程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG&reg;501鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準:0.1毫巴可選:1E-5mbarSUSS鍵合機供應商家

岱美儀器技術(shù)服務(上海)有限公司是以提供半導體工藝設(shè)備,半導體測量設(shè)備,光刻機 鍵合機,膜厚測量儀為主的其他有限責任公司,公司始建于2002-02-07,在全國各個地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。岱美中國致力于構(gòu)建儀器儀表自主創(chuàng)新的競爭力,多年來,已經(jīng)為我國儀器儀表行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟等的發(fā)展做出了重要貢獻。