EVG820鍵合機用于生物芯片

GEMINI ® FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準和熔融 特色 技術數(shù)據(jù) 半導體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準，并結合了更高的生產(chǎn)率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進行晶圓對準。EVG820鍵合機用于生物芯片

EVGroup開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術，通過消除與掩模相關的困難和成本，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設計，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。天津EVG520鍵合機EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。

EVG®850DB自動解鍵合機系統(tǒng) 全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術數(shù)據(jù) 在全自動解鍵合機中，經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實時監(jiān)控和記錄所有相關過程參數(shù) 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 高達12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。我們的服務包括通過安全的連接，電話或電子郵件，對包括現(xiàn)場驗證，進行實時遠程診斷和設備/工藝排除故障。

EVG®620BA自動鍵合對準系統(tǒng)：用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統(tǒng)，用于研究和試生產(chǎn)。EVG620鍵合對準系統(tǒng)以其高度的自動化和可靠性而聞名，專為蕞大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)具有蕞高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。特征：蕞適合EVG®501，EVG®510和EVG®520是鍵合系統(tǒng)。支持蕞大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準。手動或電動對準臺。全電動高份辨率底面顯微鏡。基于Windows的用戶界面。在不同晶圓尺寸和不同鍵合應用之間快速更換工具。 晶圓級涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。云南鍵合機價格怎么樣

EVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置，可以簡化用戶常規(guī)操作。EVG820鍵合機用于生物芯片

半導體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項目總監(jiān)兼EricBeyne表示：“在imec，我們相信3D技術的力量將為半導體行業(yè)創(chuàng)造新的機遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標準間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！盓VG820鍵合機用于生物芯片

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