石英晶體應(yīng)用過程中應(yīng)注意的問題：1、規(guī)定工作溫度范圍以及頻率允許偏差：工程師可能只規(guī)定室溫下的頻差。對(duì)于在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)要求給定頻差的應(yīng)用，還應(yīng)該規(guī)定整個(gè)工作溫度范圍的頻差，規(guī)定這種頻差時(shí)，應(yīng)該考慮設(shè)備引起溫升的容限。2、負(fù)載電容和頻率牽引：在許多應(yīng)用中，都是用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的。這對(duì)于調(diào)整**公差、在鎖相環(huán)回路中以及調(diào)頻應(yīng)用中可能是必要的。3.應(yīng)用電路中對(duì)晶體負(fù)載電容的估算：在實(shí)際應(yīng)用中，晶體負(fù)載電容與電路中負(fù)載電抗的匹配非常重要。如晶體負(fù)載電容與電路負(fù)載電抗不相匹配，要得到準(zhǔn)確的輸出頻率是很困難的，除非電路中存在一個(gè)變?nèi)萘亢艽蟮目烧{(diào)電容器。在設(shè)計(jì)時(shí)，粗略估算晶體負(fù)載電容是必要的。石英晶體振蕩器，石英諧振器簡(jiǎn)稱為晶振，它是利用具有壓電效應(yīng)的石英晶體片制成的。壓電石英晶體供應(yīng)商
晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?，在這個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。上海3225石英晶體廠家石英晶體諧振器：靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
晶振工作原理：如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)晶片的機(jī)械振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)。在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí)，可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個(gè)皮法到幾十皮法。當(dāng)晶體振蕩時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來等效。
什么是晶振ppm：晶振全稱是晶體振蕩器，是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(簡(jiǎn)稱為晶片)，石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振;而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。電子元件是電路設(shè)計(jì)中一個(gè)很關(guān)鍵的所在，電路的很準(zhǔn)直接關(guān)乎使用這顆晶振的產(chǎn)品的質(zhì)量問題，但是比較重要的體現(xiàn)在于一個(gè)小參數(shù)那就是晶振的ppm值，即精度電容值。精度值越低表明這顆電子元件越精度越精確，使用起來越耐用和反應(yīng)出來的效果就越好。電免疫傳感器的基本原理就是將抗體或抗原固定于石英晶體表面。
石英晶體諧振器：1、 標(biāo)稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。2、 工作頻率：晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。石英晶體諧振器：以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。合肥2016石英晶體直銷
若在晶片的兩側(cè)施加機(jī)械壓力，則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場(chǎng)，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。壓電石英晶體供應(yīng)商
石英晶體諧振器：1.負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為：電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。2.動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。3.負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示?！L＝R1（1+C0/CL）2 11、 激勵(lì)電平：晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等。壓電石英晶體供應(yīng)商
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