南京低頻晶體振蕩器價(jià)格

解讀：晶振頻率穩(wěn)定性，頻率穩(wěn)定度表示晶振的輸出頻率因溫度變化、電壓變化、輸出負(fù)載變化和頻率老化等外部條件而發(fā)生的變化。頻率穩(wěn)定性通常以百萬分之幾 (ppm)或十億分之幾 (ppb) 表示，它們可以以頻率的形式(通常以赫茲為單位)表示。所有的晶振就具備一定的輸出頻率。結(jié)合定義來說，振蕩器是接受輸入電壓，一般是直流電壓，并在某一頻率下產(chǎn)生重復(fù)交流輸出的器件。所需的頻率取決于系統(tǒng)類型和如何使用該振蕩器。晶振的穩(wěn)定是和頻率密切相關(guān)的，也能夠比較簡(jiǎn)單地看成因?yàn)槟承┰蛞鸬念l率變化除以中心頻率。利用公式來說就是穩(wěn)定性=頻率變化÷中心頻率。選擇晶體振蕩器的要求：LVPECL，LVDS常用差分輸出類型。南京低頻晶體振蕩器價(jià)格

晶體老化是描述晶體頻率在晶體壽命期間如何變化的規(guī)范。 晶體老化是晶體振蕩器內(nèi)雜質(zhì)的結(jié)果 。老化也用PPB來衡量。SC切割對(duì)某些老化效應(yīng)不太敏感，例如晶體安裝應(yīng)力、晶體毛坯電鍍應(yīng)力、電子設(shè)備性能的變化。石英晶振作為電子產(chǎn)品中必需品，日常使用過程中也會(huì)出現(xiàn)各種各樣的問題，比如晶振振蕩頻率異常、無頻率信號(hào)輸出和實(shí)際與標(biāo)稱頻率存在差異等問題，如何解決這些問題呢?石英晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平超過其指定的較大值，過高的驅(qū)動(dòng)電平可能導(dǎo)致更高的振蕩頻率或更大的R1，如果要將驅(qū)動(dòng)器級(jí)別調(diào)低，需采取以下措施：要改變阻尼阻力大。通過改變阻尼電阻，反相放大器的輸出幅度衰減，實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平變低。通過這種變化，振蕩幅度將下降，因此，較好檢查振蕩裕度是否超過5倍。另外，需要注意振蕩幅度不要變得過小。寧波溫補(bǔ)晶體振蕩器生產(chǎn)廠家晶體振蕩器原理：將電壓施加到所述石英晶體的壓電元件（電場(chǎng)的應(yīng)用到），變形發(fā)生在壓電體。

有源晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中?較低的頻率是串聯(lián)諧振，較高的頻率是并聯(lián)諧振。用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò)，輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過濾信號(hào)即可)，不需要復(fù)雜的配置電路。有源晶振通常的用處：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。有源晶振是由石英晶體構(gòu)成的，石英晶片之以是能當(dāng)為振蕩器施用，是基于它的壓電效應(yīng);在晶片的兩個(gè)極上加一電場(chǎng),會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)機(jī)械變形振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)，雖然這種交變電場(chǎng)的電壓極其微弱，但其振動(dòng)頻率是十分不變的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸以及外形決定)相等時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的幅度將急速增加，這種征象稱為"壓電諧振"。

如何測(cè)量晶體振蕩器的老化?衡量老化并不是一件容易的事。加速老化用于通過將設(shè)備置于較高溫度并定期測(cè)量頻率來測(cè)量設(shè)備的真正老化。例如，將設(shè)備在 85°C 下放置 30 天，在 105°C 下放置 168 小時(shí)，相當(dāng)于在室溫(即 25°C)下放置一年。如何減小晶振的老化?在生產(chǎn)晶振防老化處理，那么在晶振使用中，是否也要防老化的一些相應(yīng)措施呢?對(duì)于電子元器件大家都知道，不能裸手觸碰，戴靜電手套防靜電，生產(chǎn)車間中還有穿靜電服和靜電鞋等措施。在使用晶振時(shí)，對(duì)于晶振的頻率、溫度等參數(shù)，不要高于或者約等于晶振的極限值，這樣都會(huì)超出晶振的使用范圍，對(duì)晶振的破壞和老化有很大的影響。石英晶體振蕩器是利用石英晶體（二氧化硅的結(jié)晶體）的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件。

石英晶體振蕩器技術(shù)指標(biāo)：1、頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的較小峰值改變量。說明：基準(zhǔn)電壓為+2.5V，規(guī)定終點(diǎn)電壓為+0.5V和+4.5V，壓控晶體振蕩器在+0.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-110ppm，在+4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為+130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm（2.5V±2V）。2、壓控頻率響應(yīng)范圍：當(dāng)調(diào)制頻率變化時(shí)，峰值頻偏與調(diào)制頻率之間的關(guān)系。通常用規(guī)定的調(diào)制頻率比規(guī)定的調(diào)制基準(zhǔn)頻率低若干dB表示。說明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應(yīng)為0～10kHz。石英晶體振蕩器：它由以特定方位角切割的薄片制成，然后在晶片的相應(yīng)表面上涂有銀。溫州2520晶體振蕩器

選擇晶體振蕩器的要求：頻率。南京低頻晶體振蕩器價(jià)格

晶體振蕩器的種類：恒溫控制式晶體振蕩(OCXO)。這類型晶振對(duì)溫度穩(wěn)定性的解決方案采用了恒溫槽技術(shù)。它是利用恒溫槽精密控溫，使晶體振蕩器或石英晶體振子工作在晶體的零溫度系數(shù)點(diǎn)溫度上，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到較小的晶體振蕩器。OCXO的主要優(yōu)點(diǎn)是，由于采用了恒溫槽技術(shù)，頻率溫度特性在所有類型晶振中是較好的，由于電路設(shè)計(jì)精密，其短穩(wěn)和相位噪聲都較好;主要缺點(diǎn)是功耗大、體積大，需要5分鐘左右的加熱時(shí)間才能正常工作等。中精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度為1E-7～1E-8量級(jí)，高精度產(chǎn)品頻率穩(wěn)定度在1E-9量級(jí)以上，OCXO主要用于移動(dòng)通信基地站、**、導(dǎo)航、頻率計(jì)數(shù)器、頻譜和網(wǎng)絡(luò)分析儀等設(shè)備和儀表中。南京低頻晶體振蕩器價(jià)格

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