一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。若在晶片的兩側(cè)施加機械壓力，則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。蘇州1210石英晶體
壓電生物傳感器：（1）壓電免疫傳感器：壓電免疫傳感器的基本原理就是將抗體或抗原固定于石英晶體表面, 利用抗原與抗體的特異親合反應(yīng),當(dāng)待測的抗原或抗體與所固定的識別物相互作用而產(chǎn)生特異吸附時,就會導(dǎo)致晶體表面質(zhì)量負(fù)載的增加,所吸附的抗體或抗原的量可以通過傳感器的頻率變化加以監(jiān)測。（2）壓電基因傳感器：壓電傳感器測定DNA的基本原理是將單鏈DNA探針固定到晶體表面, 當(dāng)序列與之互補的待測DNA在晶片上雜交形成雙鏈DNA時, 晶體的質(zhì)量增加和產(chǎn)生表面粘彈性變化, 根據(jù)傳感器頻率變化和網(wǎng)絡(luò)分析加以測定。蘇州音叉石英晶體品牌晶振工作原理： 由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?/p>
晶振工作原理：若在石英晶體的兩個電極上加一電場，晶片就會產(chǎn)生機械變形。反之，若在晶片的兩側(cè)施加機械壓力，則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會產(chǎn)生機械振動，同時晶片的機械振動又會產(chǎn)生交變電場。在一般情況下，晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。
石英晶體ERP專業(yè)版特色：1、原材料特征碼管理：測角工藝對物料角度的分選，分選后對不符合角度的物料需要回倉管理；原材料需要有特征碼（如：角度參數(shù)）及特征分類庫存管理。 2、生產(chǎn)余料管理：倒邊工藝對滿足2000PCS/桶的要求，對不滿足2000PCS的余數(shù)需有庫存管理，便于預(yù)料的及時利用。 3、成品特征碼管理：成品入庫，對同一工單產(chǎn)品需區(qū)分不同產(chǎn)品特征碼（如：產(chǎn)品頻段）入庫，并對不同的特征分類庫存管理。4.物料品號多版本號管理：對于同一產(chǎn)品在隨產(chǎn)品升級的時候需要保持每個版本的基本信息，而且對每個版本的原有對應(yīng)的單據(jù)需要保持原有的記錄不便，如出貨單的名稱，規(guī)格等需要保持原有的信息不變，對舊版本預(yù)留的庫存需要分別顯示。電免疫傳感器的基本原理就是將抗體或抗原固定于石英晶體表面。
石英晶體的基本特性：石英晶體具有"壓電效應(yīng)"，即在晶片兩面加上電場，晶片就會產(chǎn)生形變。相反，若在晶片上施加機械壓力，則在晶片的相應(yīng)方向上會產(chǎn)生一定的電場。因此，當(dāng)晶片的兩極加上交變電壓時，晶片就會產(chǎn)生機械振動，同時晶片的機械振動又會產(chǎn)生交變電場。若從外電路來看，這就相當(dāng)于有一交變電流通過晶片。在一般情況下，晶體機械振動的振幅是非常微小的，只有在外加交變電壓的頻率等于晶片的固有振蕩頻率時，振動的振幅和交變電流才突然增至比較大，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，因此，石英晶體又稱為石英諧振器。若在石英晶體的兩個電極上加一電場，晶片就會產(chǎn)生機械變形。蘇州1210石英晶體
石英諧振器和負(fù)載電容串聯(lián)。諧振器為純阻性。蘇州1210石英晶體
石英晶體諧振器：1.負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為：電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。2.動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。3.負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示?！L＝R1（1+C0/CL）2 11、 激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等。蘇州1210石英晶體
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