晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。石英晶體振蕩器的基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片。無錫高精度晶體振蕩器生產(chǎn)廠家
晶振的工作原理：是一種能把電能和機(jī)械能相互轉(zhuǎn)化的晶體在共振的狀態(tài)下工作，以提供穩(wěn)定，精確的單頻振蕩。在通常工作條件下，普通的晶振頻率精度可達(dá)百萬分之五十。高級(jí)的精度更高。有些晶振還可以由外加電壓在一定范圍內(nèi)調(diào)整頻率，稱為壓控振蕩器(VCO)。晶振在數(shù)字電路的基本作用是提供一個(gè)時(shí)序控制的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)刻。數(shù)字電路的工作是根據(jù)電路設(shè)計(jì)，在某個(gè)時(shí)刻專門完成特定的任務(wù)，如果沒有一個(gè)時(shí)序控制的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)刻，整個(gè)數(shù)字電路就會(huì)成為“聾子”，不知道什么時(shí)刻該做什么事情了。晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時(shí)鐘信號(hào)。通常一個(gè)系統(tǒng)共用一個(gè)晶振，便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調(diào)整頻率的方法保持同步。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用，以提供系統(tǒng)所需的時(shí)鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要不同頻率的時(shí)鐘信號(hào)，可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來提供。電路中，為了得到交流信號(hào)，可以用RC、LC諧振電路取得，但這些電路的振蕩頻率并不穩(wěn)定。無錫2016晶體振蕩器廠家電話晶體諧振器比較簡(jiǎn)單，晶體振蕩器在加電壓的情況下，需要觀察測(cè)試記錄，故而耗時(shí)更久。
在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí)，可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個(gè)皮法到幾十皮法。當(dāng)晶體振蕩時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。
晶體振蕩器的主要參數(shù)：負(fù)載電容。負(fù)載電容是指晶體振蕩器的兩條引線連接的集成電路（IC）內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶體振蕩器片在電路中串接電容。負(fù)載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。但標(biāo)稱頻率相同的晶體振蕩器，負(fù)載電容不一定相同。一般來說，有低負(fù)載電容（串聯(lián)諧振晶體）和高負(fù)載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。因此，標(biāo)稱頻率相同的晶體互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能輕易互換，否則會(huì)造成電路工作不正常。頻率準(zhǔn)確度。頻率準(zhǔn)確度是指在標(biāo)稱電源電壓、標(biāo)稱負(fù)載阻抗、基準(zhǔn)溫度（25℃）以及其他條件保持不變時(shí)，晶體振蕩器的頻率相對(duì)于其規(guī)定標(biāo)稱值的較大允許偏差。要知道晶體振蕩器的全稱為“石英晶體振蕩器”，一般稱“晶體振蕩器”。
基于晶振與陶瓷諧振槽路(機(jī)械式)的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。相對(duì)而言，RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會(huì)在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇以及振蕩器電路布局的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器的選擇并不敏感，但在過驅(qū)動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移(甚至可能損壞)。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾(EMI)、機(jī)械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。這些因素會(huì)增大輸出頻率的變化，增加不穩(wěn)定性，并且在有些情況下，還會(huì)造成振蕩器停振。從石英晶體諧振器的等效電路可知，它有兩個(gè)諧振頻率。合肥高頻晶體振蕩器哪家好
要知道石英晶體有兩個(gè)諧振頻率分別是fs和fp。無錫高精度晶體振蕩器生產(chǎn)廠家
晶體振蕩器的指標(biāo)，靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的較大允許頻偏。ft：頻率溫度穩(wěn)定度（不帶隱含基準(zhǔn)度）；ftref：頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準(zhǔn)溫）；fmax：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較高頻率；fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較低頻率；fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率。說明：采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器，故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。振蕩器比諧振器多了一個(gè)重要技術(shù)參數(shù)為：諧振電阻（RR），諧振器沒有電阻要求。RR的大小直接影響電路的性能，也是各商家競(jìng)爭(zhēng)的一個(gè)重要參數(shù)。無錫高精度晶體振蕩器生產(chǎn)廠家