2025年3月10日-12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)會(huì)議

陶瓷注射成型技術(shù)作為一種新興的精密制造技術(shù)，有著其不可比擬的獨(dú)特優(yōu)勢。成為國內(nèi)外精密陶瓷零部件中具有優(yōu)勢的先進(jìn)制備技術(shù)?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會(huì)（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！匯中外優(yōu)秀企業(yè)，展前沿技術(shù)產(chǎn)品，“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日將于上海世博展覽館開幕。2025年3月10日-12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)會(huì)議

相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)頻率等方面具有較好的優(yōu)勢。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時(shí)仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開關(guān)頻率超過1kHz時(shí)，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開關(guān)損耗相比可降低多達(dá)80%，整體功率損耗降低66%。導(dǎo)通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導(dǎo)通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數(shù)量和占位面積。SiC MOSFET的工作結(jié)溫和熱穩(wěn)定性更高，可達(dá)200℃或更高，適用于汽車市場，其高耐溫性可降低系統(tǒng)散熱要求和導(dǎo)通電阻偏移?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！3月10日-12日中國上海國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)展覽會(huì)提高材料性能，創(chuàng)新技術(shù)工藝，“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：展會(huì)將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕。

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中，實(shí)現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓?fù)浞绞?，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度，而后者會(huì)降低熱循環(huán)能力。對于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用（例如混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇。基板（陶瓷）和導(dǎo)體（銅）的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，會(huì)在熱循環(huán)期間對鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力，進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長，設(shè)計(jì)者找到了新方法來確保這些推動(dòng)極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶瓷長10倍或者更高，所以氮化硅基板能夠提供對于達(dá)到必要的可靠性要求至關(guān)重要的機(jī)械強(qiáng)度。陶瓷基板的壽命是由在不出現(xiàn)剝離和其它影響電路功能與安全的故障的情況下，基板可以承受的熱循環(huán)重復(fù)次數(shù)來衡量的。該測試通常是通過從-55°C到125°C或者150°C對樣品進(jìn)行循環(huán)運(yùn)行來完成的?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！如何開拓更有價(jià)值的新領(lǐng)域？如何延伸萬億市場應(yīng)用空間？敬請關(guān)注2025年3月10日中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽！

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！提高材料性能，創(chuàng)新技術(shù)工藝，“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日上海世博展覽館！2025年3月10日-12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)會(huì)議

行業(yè)精英齊聚一堂，為行業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。2025年3月10-12日中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)！誠邀您蒞臨！2025年3月10日-12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)會(huì)議

“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！陶瓷基板產(chǎn)品問世，開啟散熱應(yīng)用行業(yè)的發(fā)展，由于陶瓷基板散熱特色，加上陶瓷基板具有高散熱、低熱阻、壽命長、耐電壓等優(yōu)點(diǎn)，隨著生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備的改良，產(chǎn)品價(jià)格加速合理化，進(jìn)而擴(kuò)大LED產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用領(lǐng)域，如家電產(chǎn)品的指示燈、汽車車燈、路燈及戶外大型看板等。陶瓷基板的開發(fā)成功，更將成為室內(nèi)照明和戶外亮化產(chǎn)品提供服務(wù)，使LED產(chǎn)業(yè)未來的市場領(lǐng)域更寬廣。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日-12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷技術(shù)會(huì)議