海南光學(xué)鍍膜設(shè)備陽臺

來源: 發(fā)布時間:2021-02-02

【磁控濺射鍍光學(xué)膜的技術(shù)路線】 (a)陶瓷靶濺射:靶材采用金屬化合物靶材,可以直接沉積各種氧化物或者氮化物,有時候為了得到更高的膜層純度,也需要通入一定量反應(yīng)氣體); (b)反應(yīng)濺射:靶材采用金屬或非金屬靶,通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體,進(jìn)行濺射沉積各種化合物膜層。 (c)離子輔助沉積:先沉積一層很薄的金屬或非金屬層,然后再引入反應(yīng)氣體離子源,將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術(shù)方案,在濺射沉積光學(xué)膜時,都會存在靶中毒現(xiàn)象,從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢,對于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來說,膜層厚度較厚,膜層總厚度可達(dá)數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本,從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。 光學(xué)鍍膜設(shè)備國內(nèi)有哪些產(chǎn)商?海南光學(xué)鍍膜設(shè)備陽臺

【磁控濺射鍍膜設(shè)備工作原理】磁控濺射鍍膜設(shè)備的磁控濺射靶是采用靜止電磁場,而磁場是曲線型的,對數(shù)電場用于同軸圓柱形靶;均勻電場用于平面靶;S-qiang靶則位于兩者間.各部分的原理是一樣的. 電子受電場影響而加速飛向基材,在此過程中跟氬原子觸發(fā)碰撞.如果電子本身足夠30eV的能量的話,則電離出Ar?同時產(chǎn)生電子.電子依舊飛向基材,而Ar?受電場影響會移動到陰極(也就是濺射靶),同時用一種高能量轟擊靶的表面,也就是讓靶材發(fā)生濺射. 在這些濺射粒子中,中性的靶分子或原子會沉積在基片上而成膜;而二次電子在加速飛向基材時,在磁場的洛侖茲力影響之下,呈現(xiàn)螺旋線狀與擺線的復(fù)合形式在靶表面作一系列圓周運(yùn)動.該電子不但運(yùn)動路徑長,還是被電磁場理論束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域范圍內(nèi).于此區(qū)內(nèi)電離出大量的Ar?對靶材進(jìn)行轟擊,所以說磁控濺射鍍膜設(shè)備的沉積速率高. 河北光學(xué)鍍膜設(shè)備發(fā)展光學(xué)鍍膜設(shè)備抽真空步驟。

【炫彩的搬運(yùn)工——UV轉(zhuǎn)印技術(shù)】 在完成母模制作的基礎(chǔ)之上,在較硬承載板材聚碳酸酯PC、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA上制作出可放入轉(zhuǎn)印設(shè)備上的復(fù)制模具,即可開始炫彩紋理的轉(zhuǎn)印工序。 工序流程如下: ---機(jī)臺上以玻璃或大理石材料為模座,模座上根據(jù)不同復(fù)制模具尺寸固定安裝模具(模具上有排列方式和紋路效果); ---轉(zhuǎn)印設(shè)備的自動滴膠噴嘴會根據(jù)產(chǎn)品的用膠量預(yù)設(shè)好噴在模具上的光刻膠,膠層上面覆蓋菲林片(膜片); ---機(jī)臺在完成覆蓋膜片工序后由人為確認(rèn)擺放位置,然后進(jìn)入到滾壓區(qū),把膜片和膠水進(jìn)行滾壓; ---機(jī)臺進(jìn)入到固化區(qū),由產(chǎn)品所需光固能量照射進(jìn)行固化; ---機(jī)臺旋轉(zhuǎn)到剝離區(qū),把膜片進(jìn)行剝離; ---剝離的膜片上有轉(zhuǎn)印出模具效果(紋路、排列等); ---使用尺寸合適的保護(hù)膜(PE/PET),利用覆膜機(jī)進(jìn)行隔離保護(hù)并等待后工序。

【磁控濺射光學(xué)鍍膜設(shè)備及鍍膜方法】設(shè)備包含真空鍍膜室、磁控濺射靶組件、立式旋轉(zhuǎn)鼓,真空鍍膜室為立式圓筒形結(jié)構(gòu),立式旋轉(zhuǎn)鼓位于真空鍍膜室內(nèi),繞垂直軸線旋轉(zhuǎn),立式旋轉(zhuǎn)鼓中心設(shè)置有旋轉(zhuǎn)密封箱,旋轉(zhuǎn)密封箱內(nèi)設(shè)置有膜厚測量儀表,旋轉(zhuǎn)密封箱的上部連接有旋轉(zhuǎn)軸,旋轉(zhuǎn)密封箱內(nèi)的氣氛與真空鍍膜室隔離。多組磁控濺射靶組件設(shè)置在立式旋轉(zhuǎn)鼓wai圍的真空鍍膜室的側(cè)壁上。鍍膜方法包括將需要鍍膜的工件裝卡到鍍膜設(shè)備的立式旋轉(zhuǎn)鼓的側(cè)面,對鍍膜設(shè)備抽真空;轉(zhuǎn)動立式旋轉(zhuǎn)鼓達(dá)到設(shè)定的轉(zhuǎn)速;啟動射頻離子源;交替啟動第一種材料的磁控靶靶和第二種材料的磁控靶,按工藝要求鍍制膜層。 光學(xué)鍍膜設(shè)備類型推薦。

【光學(xué)鍍膜的目的】: &反射率的提高或透射率的降低 &反射率的降低或透射率的提高 &分光作用:中性分光、變se分光、偏極光分光 &光譜帶通、帶止及長波通或短波通之濾光作用 &相位改變 &液晶顯示功能之影顯 &se光顯示、se光反射、偽chao及有價證券之防止 &光波的引導(dǎo)、光開關(guān)及集體光路 a. 在膜層中,波的干涉結(jié)果,如R%, T%都是與膜質(zhì)本身和兩邊界邊的折射率率有關(guān)系,相位變化也是如此。 b. 由于干涉作用造成的反射率有時升高,有時反而降低,都要視磨蹭的折射率高于或低于基板折射率而定。若Nf>Ns,則反射率會提高(Ns為基底),若Nf

光學(xué)光學(xué)鍍膜設(shè)備制造商。海南光學(xué)鍍膜設(shè)備陽臺

【光學(xué)鏡片鍍膜的膜形核過程之單層生長模式(層狀生長)】單層生長模式(Frank一VanderMerwe型),又稱之為弗蘭克一范德摩夫型,是層狀生長模式。該類型的生長便是業(yè)內(nèi)說的理想的外延生長,作為同質(zhì)外延,如若是異質(zhì)外延,在引入失配位錯之后,便形成外延生長。而在晶體失配位錯發(fā)生前,那些沉積的原子是根據(jù)基片的晶體同期來排列的。通常把這種結(jié)構(gòu)稱作“膺結(jié)構(gòu)”。這種膜生長一般是在光學(xué)鏡片鍍膜時,沉積的原子和基底原子之間的相互作用力很da,da過沉積的原子之間的聚合力的情況下,沉積的原子會構(gòu)成一種二維的簿層堆積,堆積成層狀的鍍膜生長模式。海南光學(xué)鍍膜設(shè)備陽臺

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