南通鉭電容

電容允許偏差：這個(gè)上期我們講安規(guī)電容的作用時(shí)又提起過，顧名思義，這就是電容的較大允許偏差范圍。常用的容量誤差為：J表示允許偏差±5%,K表示允許偏差±10%,M表示允許偏差±20%。額定工作電壓：在電路中能長時(shí)間穩(wěn)定、可靠地工作，并能承受較大直流電壓，也叫耐壓。對(duì)結(jié)構(gòu)、容量一樣的電子器件，耐壓越高，體積越大。損耗：貼片陶瓷電容在電場(chǎng)的作用下，由于每單位時(shí)間產(chǎn)生熱量而消耗能量。這種損失主要來源于介質(zhì)損失和金屬損失。一般都是以損耗角正切值表示的。上述就是關(guān)于貼片陶瓷電容的一些基本常識(shí)，想要了解更多電容相關(guān)咨詢的，可關(guān)注江蘇芯聲微電子科技。MLCC即多層陶瓷電容器，也可簡稱為片式電容器、積層電容、疊層電容等，屬于陶瓷電容器的一種。南通鉭電容

陶瓷電容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi發(fā)明了陶瓷介質(zhì)電容器。20世紀(jì)30年代末，人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中加入鈦酸鹽可以使介電常數(shù)加倍，從而制造出更便宜的陶瓷介質(zhì)電容器。1940年左右，人們發(fā)現(xiàn)陶瓷電容器的主要原料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性，隨后陶瓷電容器開始用于尺寸小、精度要求高的電子設(shè)備中。陶瓷疊層電容器在1960年左右開始作為商品開發(fā)。到1970年，隨著混合集成電路、計(jì)算機(jī)和便攜式電子設(shè)備的發(fā)展，它迅速發(fā)展起來，成為電子設(shè)備中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介質(zhì)電容器的總數(shù)量約占電容器市場(chǎng)的70%。常州陶瓷片電容批發(fā)電容容量越大、信號(hào)頻率越大，電容呈現(xiàn)的交流阻抗越小。

頻率特性：電參量隨電場(chǎng)頻率一起變化的。高頻率工作的電容，其介電常數(shù)比低頻率時(shí)小，因此高頻電流比低頻率時(shí)低。頻率越高，損耗也越大。此外，在高頻率工作時(shí)，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、導(dǎo)線與極片之間的電阻等，都會(huì)對(duì)電容的性能產(chǎn)生影響。這一切，使電容器的使用頻率受到限制。絕緣電阻：表示漏電流大小。通常，容量較小的電容，絕緣電阻可達(dá)數(shù)百兆歐姆或數(shù)千兆歐姆。電解電容一般是絕緣電阻小。相對(duì)來說，絕緣電阻越大，漏電流越小。

在較低頻率下，較大的電容可以提供低電阻接地路徑。一旦這些電容達(dá)到自諧振頻率，它們的電容特性就消失了，它們變成了具有電感特性的元件。這就是并聯(lián)使用多個(gè)電容的主要原因，可以在很寬的頻率范圍內(nèi)保持較低的交流阻抗。芯片電源要求電源穩(wěn)定，但實(shí)際電源不穩(wěn)定，高頻低頻干擾混雜。實(shí)際電容與理想電容大相徑庭，具有RLC三重性質(zhì)。10uf的電容對(duì)低頻干擾的過濾效果很好，但對(duì)于高頻干擾，電容是感性的，阻抗太大無法有效濾除，所以組合一個(gè)0.1uf的電容濾除高頻成分。如果你的設(shè)計(jì)要求不高，沒必要完全遵守這個(gè)規(guī)則。常用陶瓷電容容量范圍：0.5pF~100uF。

由于固態(tài)電解電容采用導(dǎo)電聚合物作為電極層導(dǎo)體，相對(duì)與液態(tài)電解液它的導(dǎo)電性能更好，所以對(duì)應(yīng)的ESR（EquivalentSeriesResistance,串聯(lián)等效電阻）非常小，則對(duì)應(yīng)的電容損耗也小。通常情況下，這個(gè)特點(diǎn)并不突出，但在一些大功率高頻電路中，對(duì)于電源濾波電容則要求ESR越小越好。可以說，高頻下，固態(tài)電解電容的低ESR是其較大的優(yōu)點(diǎn)。在一屆大學(xué)生智能汽車競(jìng)賽中有一組節(jié)能信標(biāo)組，它可以為車模提供超過50W的充電功率。下圖顯示了信標(biāo)控制電路板上的兩個(gè)電解電容。在左邊的電路中使用的是普通液態(tài)電解電容，在電路滿功率輸出50W電能時(shí)，這兩個(gè)電容發(fā)熱嚴(yán)重。將它們替換成相同容量的固態(tài)電容之后，電容就不再發(fā)燙。想使電容容量大，有三種方法： ①使用介電常數(shù)高的介質(zhì) ②增大極板間的面積 ③減小極板間的距離。浙江固態(tài)電容器廠家直銷

MLCC電容特點(diǎn)：熱脆性：MLCC內(nèi)部應(yīng)力很復(fù)雜，所以耐溫度沖擊的能力很有限。南通鉭電容

MLCC電容生產(chǎn)工藝流程包含倒角：將燒結(jié)好的瓷介電容器、水和研磨介質(zhì)裝入倒角槽中，通過球磨和行星研磨的方式移動(dòng)，形成光滑的表面，保證產(chǎn)品內(nèi)部電極充分暴露，內(nèi)外電極連接。端接：在倒角芯片露出的內(nèi)電極兩端涂上端糊，同側(cè)的內(nèi)電極連接形成外電極。老化：只有在低溫?zé)Y(jié)終止產(chǎn)品后，才能確保內(nèi)外電極之間的連接。并使端頭與瓷有一定的粘結(jié)強(qiáng)度。末端處理：表面處理過程是電沉積過程，是指電解液中的金屬離子(或絡(luò)合離子)在直流電的作用下，在陰極表面還原成金屬(或合金)的過程。電容器通常在端子(銀端子或銅端子)上鍍一層鎳，然后鍍錫。外觀選擇：借助放大鏡或顯微鏡選擇有表面缺陷的產(chǎn)品。測(cè)試：電容器產(chǎn)品電性能分類：容量、損耗、絕緣、電阻、耐壓100%測(cè)量分級(jí)，排除不良品。捆扎：根據(jù)尺寸和數(shù)量要求，用紙帶或塑料袋包裝電容器。南通鉭電容

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