目前,常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距,使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需,引發(fā)相關(guān)部門調(diào)試重視。經(jīng)過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究,AlSiC取得了較大的產(chǎn)業(yè)化進展,相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復(fù)合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結(jié)合成AlSiC后,可克服目前金屬封裝材料的不足,獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導(dǎo)電性好的封裝材料。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于豐田發(fā)動機缸體。上海鋁碳化硅銷售電話
倒裝芯片封裝FCP技術(shù)優(yōu)勢在于能大幅度提高產(chǎn)品的電性能、散熱效能,適合高引腳數(shù)、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫?zé)Y(jié)陶瓷以及印刷電路板相匹配,同時還具有髙熱傳導(dǎo)率、**度和硬度,是倒裝焊蓋板的理想材料,為芯片提供高可靠保護。AlSiC可制作出復(fù)雜的外形,例如,AlSiC外殼產(chǎn)品有多個空腔,可容納多塊芯片,用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設(shè)計。AlSiC外形表面支持不同的標(biāo)識和表面處理方法,包括激光打印、油漆、油墨、絲網(wǎng)印刷、電鍍,完全滿足FCP工藝要求。安徽多功能鋁碳化硅生產(chǎn)廠家鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于機床-主軸、導(dǎo)軌。
(2)、增強體SiC與基體鋁浸潤性差的問題:增強材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關(guān)鍵技術(shù),基體對增強材料浸潤性差,有時根本不發(fā)生潤濕現(xiàn)象。該問題主要解決方法:①、加入合金元素,優(yōu)化基體組分,改善基體對增強體的浸潤性,常用的合金元素有:鎂、硅等;②、對增強材料SiC進行表面處理,涂敷一層可抑制界面反應(yīng)的涂層,可有效改善其浸潤性,表面涂層涂覆方法較多,如化學(xué)氣相沉積,物***相沉積,溶膠-凝膠和電鍍或化學(xué)鍍等。
(3)、高比模量:(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。(4)、高熱導(dǎo)率:(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導(dǎo)率可達(180~240)W/m·K,比Kovar合金提升了(8~9)倍,可有效地擴散熱控元件的熱量。(5)、主要應(yīng)用方向及**零件:可同時運用于***和民用領(lǐng)域的熱管理材料領(lǐng)域,**零件如***電子IGBT基板、印刷電路板(PCB)基板、封裝散熱底板、電子元件基座及外殼、功率放大模塊外殼及底座等,可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。杭州陶飛侖可根據(jù)客戶產(chǎn)品技術(shù)要求定制化制備滿足客戶要求的鋁碳化硅產(chǎn)品。
(2)、銑磨加工技術(shù):
目前,切削加工是AlSiC復(fù)合材料的主要加工方法,但在切削加工中存在刀具磨損嚴(yán)重和難以獲得良好加工表面質(zhì)量的問題。有研究提出了顆粒增強AlSiC復(fù)合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結(jié))在數(shù)控銑床上對工件進行切削加工,具有磨削加工中多刃切削的特點,又同時具有和銑加工相似的加工路線,可以用于曲面、孔、槽的加工,在獲得較高加工效率的同時,又能保證加工表面質(zhì)量。目前此種加工方法已經(jīng)在鋁碳化硅材料成型過程中廣泛應(yīng)用。 杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅熱膨脹系數(shù)較低,比剛度較高。河南優(yōu)勢鋁碳化硅銷售電話
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在長期使用中,許多封裝尺寸、外形都已標(biāo)準(zhǔn)化、系列化,存在的主要缺陷是無法適應(yīng)高性能芯片封裝要求。例如,Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金)的CTE低,與芯片材料相近,但其K值差、密度高、比剛度低,無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發(fā)的應(yīng)用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料,具有其綜合的優(yōu)勢性能。隨之發(fā)展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導(dǎo)方面優(yōu)于Kovar,但其密度大于Kovar,仍不適合用作航空航天所需輕質(zhì)的器件封裝材料。上海鋁碳化硅銷售電話
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