熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得實(shí)用性發(fā)展。后者是將Al合金錠放置在SiC預(yù)制件上，在合金熔點(diǎn)以上保溫，Al合金液依托毛細(xì)管力的作用自發(fā)滲入預(yù)制件中，所需設(shè)備簡單，易于低成本制備，但產(chǎn)品的機(jī)械性能與熱性能略低，對基體合金的成分有較為嚴(yán)格的要求，浸透需要在保護(hù)氣氛中進(jìn)行。粉末冶金法對SiC體積分?jǐn)?shù)可在15% ~ 75%之間調(diào)節(jié)，SiC承載量大，但較難實(shí)現(xiàn)材料的一次成形。高體分鋁碳化硅生產(chǎn)工藝流程多采用真空壓力浸滲法。浙江鋁碳化硅的效果
（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導(dǎo)率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導(dǎo)率可達(dá)（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地?cái)U(kuò)散熱控元件的熱量。（5）、主要應(yīng)用方向及**零件：可同時(shí)運(yùn)用于***和民用領(lǐng)域的熱管理材料領(lǐng)域，**零件如***電子IGBT基板、印刷電路板（PCB）基板、封裝散熱底板、電子元件基座及外殼、功率放大模塊外殼及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。安徽優(yōu)勢鋁碳化硅技術(shù)規(guī)范鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于直升機(jī)模鍛件。
AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時(shí)AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試驗(yàn)證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經(jīng)過上萬次熱循環(huán)，模塊工作良好如初，焊層完好。
AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強(qiáng)度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)***，超過銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨(dú)特的高熱導(dǎo)、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度的結(jié)合優(yōu)勢成為不可替代的材質(zhì)。
目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時(shí)多采用熔滲法，其實(shí)質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強(qiáng)度的多孔碳化硅基體預(yù)制件，再滲以熔點(diǎn)比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤濕多孔基體時(shí)，在毛細(xì)管力作用下，金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預(yù)制作孔隙，脫模無需機(jī)械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。鋁碳化硅以其優(yōu)越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料，廣泛應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域。
SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競爭力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點(diǎn)，其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化?；w是強(qiáng)度的主要承載體，一般選用6061、 6063、2124、A356等**度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結(jié)合成AlSiC，解決SiC與Al潤濕性差，高SiC含量難于機(jī)加工成形等問題，成為理想的封裝材料。高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于雷達(dá)的T/R組件中。多功能鋁碳化硅量大從優(yōu)
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AESA由數(shù)以千計(jì)的T/R模塊（有的高達(dá)9 000 個(gè)左右）構(gòu)成，在每個(gè)T/R模塊內(nèi)部都有用GaAs 技術(shù)制作的功率發(fā)射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關(guān)、多功能增益/相位控制等電路芯片，**終生產(chǎn)關(guān)鍵在其封裝技術(shù)上，因機(jī)載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導(dǎo)熱、輕質(zhì)于一體，采用AlSiC外殼封裝T/R模塊，包括S、C、X、Ku波段產(chǎn)品，可滿足實(shí)用需求。雷達(dá)APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達(dá)，其AESA直 徑約1m，用2 000個(gè)T/R模塊構(gòu)成，每個(gè)T/R模塊 輸出功率10W，移相器6位，接收噪聲系數(shù)2.9dB，體積6.4cm3，重14.88g,平均故障間隔MTBF20萬h，其發(fā)射功率比初期產(chǎn)品增加16倍，接收噪聲系數(shù)降低1倍，體積重量減少83%,成本下降82%。以1000個(gè)T/R模塊構(gòu)成機(jī)載AESA雷達(dá)為例，用 AlSiC替代Kovar，雷達(dá)重量可減輕34kg，而熱導(dǎo)率比Kovar提高10余倍，且提高整機(jī)可靠性MTBF達(dá)2000h以上。試驗(yàn)表明，即使AESA中10%的T/R模塊產(chǎn)生故障，對系統(tǒng)無***影響，30%失效時(shí)，仍可維持基本工作性能，具有所謂的“完美降級” 能力。浙江鋁碳化硅的效果
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