氮化鋁陶瓷是一種以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷材料，再在氮化鋁陶瓷基片上面蝕刻金屬電路，就是氮化鋁陶瓷基板了。
1、氮化鋁陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。2、AIN晶體以（AIN4）四面體為結(jié)構(gòu)單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系。3、化學(xué)組成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。4、氮化鋁陶瓷為一種高溫耐熱材料，熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。5、多晶AIN熱導(dǎo)率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的高溫。6、氮化鋁陶瓷具有極好的耐侵蝕性。陶瓷電路板具有良好的高頻性能和電學(xué)性能，且具有熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性優(yōu)良等有機基板不具備的性能，是新一代大規(guī)模集成電路以及功率電子模塊的理想封裝材料。 找源頭加工氮化鋁陶瓷廠家---推薦鑫鼎陶瓷。定制異形氮化鋁陶瓷棒
氮化鋁的理論密度為3100±10kg/m3，實際測得α- Si3N4的真比重為3184 kg/m3，β- Si3N4的真比重為3187 kg/m3。氮化鋁陶瓷的體積密度因工藝而變化較大，一般為理論密度的80%以上，大約在2200～3200 kg/m3之間，氣孔率的高低是密度不同的主要原因，反應(yīng)燒結(jié)氮化鋁的氣孔率一般在20%左右，密度是2200～2600 kg/m3，而熱壓氮化鋁氣孔率在5%以下，密度達3000～3200 kg/m3，與用途相近的其他材料比較，不僅密度低于所有高溫合金，而且在高溫結(jié)構(gòu)陶瓷中也是密度較低的一種。蘇州機械零件氮化鋁陶瓷環(huán)找專業(yè)加工氮化鋁陶瓷零件。
反應(yīng)燒結(jié)也是氮化鋁陶瓷制備的工藝之一。
反應(yīng)燒結(jié)一般是通過坯體與氣相在燒結(jié)溫度下的化學(xué)反應(yīng)，使得坯體質(zhì)量增加,孔隙減少。一般反應(yīng)燒結(jié)過程中制備的陶瓷收縮率較小，或者保持原形。反應(yīng)了燒結(jié)氮化鋁陶瓷是利用鋁粉在氮氣中的氮化反應(yīng)形成氮化鋁粉末并在高溫下燒結(jié)在一起。反應(yīng)燒結(jié)氮化鋁陶瓷的反應(yīng)過程實質(zhì)上就是鋁粉直接氮化法制備氮化鋁粉，此反應(yīng)為放熱反應(yīng)并且非常劇烈。由于鋁在下已熔化，會影響反應(yīng)的進行，所以一般反應(yīng)燒結(jié)原料為氮化鋁和鋁的混合粉末。
氮化鋁陶瓷 (AlN) 具有高導(dǎo)熱性、高耐磨性和耐腐蝕性，是半導(dǎo)體和醫(yī)療行業(yè)比較理想的材料。典型應(yīng)用包括：加熱器、靜電卡盤、基座、夾環(huán)、蓋板和 MRI 設(shè)備。
氮化鋁陶瓷在半導(dǎo)體和醫(yī)療上可表現(xiàn)以下特性：1高導(dǎo)熱性與金屬鋁一樣高，比氧化鋁 (Al2O3) 高 7 倍；2與硅 (Si) 的熱膨脹系數(shù)相似；3高電絕緣性；4在氟基氣體氣氛下對等離子具有高度耐受性；4高密度和細粒結(jié)構(gòu)；5適用于不同用途的多種材料（高導(dǎo)熱型/高純度型）；6適用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的尺寸。 廠家供應(yīng)氮化鋁陶瓷結(jié)構(gòu)件。
氮化鋁陶瓷相較其他陶瓷材料，與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)，加上很好的熱導(dǎo)性，更有利于應(yīng)用于電子產(chǎn)業(yè)。根據(jù)《AlN陶瓷熱導(dǎo)率及抗彎強度影響因素研究的新進展》的研究中提到，AlN因其熱膨脹系數(shù)與Si匹配度高而被關(guān)注，而傳統(tǒng)的基板材料如Al2O3由于其熱導(dǎo)率低，其值約為AlN陶瓷的1/5且線膨脹系數(shù)與Si不匹配，已經(jīng)不能夠滿足實際需求。BeO與SiC陶瓷基板的熱導(dǎo)率也相對較高，但BeO毒性高，SiC絕緣性不好。而AlN作為一種新型高導(dǎo)熱陶瓷材料，具有熱膨脹系數(shù)與Si接近、散熱性能優(yōu)良、無毒等特性，有望成為替代電子工業(yè)用陶瓷基板Al2O3、SiC和BeO的較好材料。可供打樣氮化鋁陶瓷部件加工廠--鑫鼎精密陶瓷。北京高韌性絕緣氮化鋁陶瓷球
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