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晶閘管模塊電流規(guī)格的選取

1、根據(jù)負載性質(zhì)及負載額定電流進行選取

（1）電阻負載的較大電流應是負載額定電流的2倍。

（2）感性負載的較大電流應為額定負載電流的3倍。

（3）負載電流變化較大時，電流倍數(shù)適當增大。

（4）在運行過程中，負載的實際工作電流不應超過模塊的較大電流。

2、散熱器風機的選用

模塊正常工作時必須配備散熱器和風機，推薦采用廠家配套的散熱器和風機。如果用戶是自己提供的，則使用以下原則來選擇：

（1）模塊正常工作時，必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃；

（2）當模塊負載較輕時，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻；

（3） 有水冷條件的，應優(yōu)先水冷散熱 。

3、使用要求

（1）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃；

（2）模塊周圍需要干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。

（3）模塊電極上的銅線嚴禁不用端子直接壓接，以免接觸不良引起附加發(fā)熱。

（4）應經(jīng)常測量固體繼電器導熱襯底側(cè)或固態(tài)繼電器附近散熱器的表面溫度，測點溫度應小于80℃。 正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術(shù)改造。內(nèi)蒙古單相整流調(diào)壓模塊報價

晶閘管模塊也被稱為晶體閘流管，也被稱為可控硅模塊：它是一種功率半導體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用壽命長、體積小等優(yōu)點。它是弱電控制與受控強電之間的橋梁。從節(jié)能的角度看，電力電子技術(shù)被稱為新的電氣技術(shù)。我國能源利用率相對較低。按國民生產(chǎn)單位產(chǎn)值能耗計算。因此，所以晶閘管為**的電控裝置是我國有效節(jié)能的重要措施。

晶閘管模塊是過去市場上常用的一種集成模塊。根據(jù)不同的電流規(guī)格，它可以形成各種形式和電流規(guī)格的電路。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據(jù)芯片電流規(guī)格，它可以形成三個不同功率的（單）交（整）流電路。 內(nèi)蒙古單相整流調(diào)壓模塊組件正高電氣尊崇團結(jié)、信譽、勤奮。

    晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下。從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點流放大系數(shù)a2。

    并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片依次設置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導電片、第二導電片、瓷板進行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導電片、鉬片、銀片、鋁片進行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述壓塊和第二壓塊上還設置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述外殼上還設置有門極銅排安裝座。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運行。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地。正高電氣竭誠為您服務，期待與您的合作，歡迎大家前來！

晶閘管模塊的散熱方法

晶閘管模塊的功耗主要由導通損耗、開關損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應用是傳導損耗。為了保證器件的長期可靠運行，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導體模塊設計中電流、電壓額定值的選擇同等重要，不容忽視！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷、強制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等?？紤]散熱的一般原則是，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度。

選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素：

1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。

2、晶閘管模塊的使用環(huán)境。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來確定何種冷卻方式，包括自然冷卻、強制風冷和水冷。

3、設備的形狀和體積，為散熱預留空間的大小，根據(jù)這種情況來確定散熱器的形狀。 正高電氣為消費者帶來更***的生活空間。內(nèi)蒙古可控硅集成調(diào)壓模塊供應商

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    VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項：l電力半導體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來回滾動涂抹）導熱硅脂，導熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個區(qū)域是否完全沾潤。l手冊中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強通風冷(風速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負載)額定電流就會下降。l散熱器與模塊接觸面應平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導，電極與銅排連接時。內(nèi)蒙古單相整流調(diào)壓模塊報價

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