PN結(jié)加正向電壓時(shí)，產(chǎn)生多子電流，與光生電流方向相反，并且電流比光生電流大得多，此時(shí)無法作為光探測(cè)器。PN結(jié)處于反向偏壓狀態(tài)時(shí)，產(chǎn)生的光電子會(huì)被反向偏壓迅速通過電場(chǎng)與電極收集，產(chǎn)生反向光電流，通過檢測(cè)光電流大小即可得到光功率強(qiáng)度。處于零偏壓的PN結(jié)可作為光電池使用。一個(gè)大面積的PN結(jié)，做好上下極的接觸引線便構(gòu)成一個(gè)光電池。一般光敏面做成梳齒狀，可以減小光生載流子的復(fù)合以提高能量轉(zhuǎn)換效率，減小串聯(lián)電阻。對(duì)于光電池，負(fù)載電阻較大時(shí)，輸出線性較差，可獲得較大的輸出電壓，對(duì)于不同的入射光強(qiáng)，也會(huì)具有不同的最大輸入功率，往往采用多個(gè)光電池的串-并聯(lián)組合運(yùn)用。在光線作用下，物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象稱為外光電效應(yīng)。廣東PIN光電探測(cè)器訂制價(jià)格
固體光電探測(cè)器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動(dòng)曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件，它除用做探測(cè)器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應(yīng)快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應(yīng)用。硅雪崩管由于增益高、響應(yīng)快、噪聲小，因而在激光測(cè)距與光纖通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種光探測(cè)器件。所謂光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導(dǎo)探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有較廣用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。廣東PIN光電探測(cè)器訂制價(jià)格暗電流可以定義為沒有光入射的情況下探測(cè)器存在的漏電流。
當(dāng)光線照在物體上，使物體的電導(dǎo)率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應(yīng)。利用這種現(xiàn)象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導(dǎo)體材料的價(jià)帶與導(dǎo)帶間有一個(gè)帶隙，其能量間隔為Eg。一般情況下，價(jià)帶中的電子不會(huì)自發(fā)地躍遷到導(dǎo)帶，所以半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性遠(yuǎn)不如導(dǎo)體。但如果通過某種方式給價(jià)帶中的電子提供能量，就可以將其激發(fā)到導(dǎo)帶中，形成載流子，增加導(dǎo)電性。光照就是一種激勵(lì)方式。當(dāng)入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時(shí)，價(jià)帶中的電子就會(huì)吸收光子的能量，躍遷到導(dǎo)帶，而在價(jià)帶中下一個(gè)空穴，形成一對(duì)可以導(dǎo)電的電子——空穴對(duì)。這里的電子并未逸出形成光電子，但顯然存在著由于光照而產(chǎn)生的電效應(yīng)。因此,這種光電效應(yīng)就是一種內(nèi)光電效應(yīng)。從理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析,要使價(jià)帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶,也存在一個(gè)入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個(gè)關(guān)系也可以用長(zhǎng)波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長(zhǎng)小于λ0時(shí),才會(huì)發(fā)生電子的帶間躍遷。當(dāng)入射光能量較小,不能使電子由價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶時(shí),有可能使電子吸收光能后,在一個(gè)能帶內(nèi)的亞能級(jí)結(jié)構(gòu)間躍遷。
為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號(hào)，光電探測(cè)器不僅要和被測(cè)信號(hào)、光學(xué)系統(tǒng)相匹配，而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配，使每個(gè)相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)?，F(xiàn)將光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇要點(diǎn)歸納如下：光電探測(cè)器必須和輻射信號(hào)源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測(cè)量波長(zhǎng)是紫外波段，則選用光電倍增管或?qū)ｉT的紫外光電半導(dǎo)體器件；如果信號(hào)是可見光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號(hào)，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管；光電流在外部電路作用下形成電信號(hào)并輸出。
光電探測(cè)器，屬于光線傳感器的一種，它常用于攝像頭和其他成像設(shè)備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案，并通過這些圖案創(chuàng)造出圖像。不同的光電探測(cè)器用于感知光譜的不同部分。例如，夜視眼鏡中使用的光電探測(cè)器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測(cè)器應(yīng)用于攝像頭，這些攝像頭通過環(huán)境中化學(xué)物質(zhì)反射光線的方式來辨別它們。光電探測(cè)器的多功能程度主要取決于三個(gè)因素：運(yùn)行速度、感知低強(qiáng)度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來說，如果工程師們改善了這三個(gè)因素中的某一個(gè)，那么另外兩個(gè)因素中就會(huì)至少有一個(gè)變得惡化。光電探測(cè)器可分為兩大類：一類是光子探測(cè)器；另一類是熱探測(cè)器。廣東雙通道平衡光電探測(cè)器價(jià)格比較
光電探測(cè)器在國(guó)際和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有很多用途。廣東PIN光電探測(cè)器訂制價(jià)格
1873年，英國(guó)W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng)，但是這種效應(yīng)長(zhǎng)期處于探索研究階段，未獲實(shí)際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測(cè)器都已投入使用。60年代初，中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測(cè)器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導(dǎo)探測(cè)器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。工作原理和特性光電導(dǎo)效應(yīng)是內(nèi)光電效應(yīng)的一種。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時(shí)，光子能夠?qū)r(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對(duì),這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長(zhǎng)波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導(dǎo)材料的長(zhǎng)波限受禁帶寬度的限制。廣東PIN光電探測(cè)器訂制價(jià)格
深圳市飛博光電科技有限公司致力于通信產(chǎn)品，以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量管理的追求。深圳市飛博光電作為通信產(chǎn)品的企業(yè)之一，為客戶提供良好的激光光源，光放大器，射頻放大器，光電探測(cè)器。深圳市飛博光電繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng)，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。深圳市飛博光電始終關(guān)注通信產(chǎn)品行業(yè)。滿足市場(chǎng)需求，提高產(chǎn)品價(jià)值，是我們前行的力量。