當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時，電流流過電阻器131以產生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來，將描述與微控制器100中的結溫控制相關的操作。圖3是示出與微控制器100中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執(zhí)行，但是可以在其他預定定時執(zhí)行。在步驟s100中，設定測量結溫的測量周期和下限。如上所述，設定結溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進入步驟s101。在步驟s101中，測量結溫。也就是說，控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設置的下限溫度。半導體器件專門設備應用寬廣LED封裝,光通訊,半導體封裝,支持1對1定制化生產設計.河南質量半導體器件設備收費
可以降低保證微控制器100的操作的環(huán)境溫度的下限。此外，由于在使用半導體工藝制造的微控制器中的操作保證的溫度范圍的約束，該功能可以降低設計邏輯塊110的難度，其中邏輯速率(例如，邏輯塊110的操作頻率)在低溫下劣化。第二實施例接下來，將描述第二實施例。圖5是示出根據(jù)第二實施例的微控制器200的示例性配置的框圖。微控制器200與根據(jù)率先實施例的微控制器100的不同之處在于，提供多個功耗電路130并且控制器140被替換為控制器150。控制器150與控制器140的不同之處在于，它控制多個功耗電路130的開關。在下文中，將描述與率先實施例的不同點，并且將省略對與率先實施例相同的點的描述。根據(jù)本實施例的控制器150根據(jù)由溫度傳感器120測量的溫度與邏輯塊110的下限溫度之間的差值來控制功耗電路130消耗功率。具體地，當由溫度傳感器120測量的當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，控制器150接通更多的功耗電路130。即，例如，當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d1且小于d2時，控制器150接通n1個功耗電路130，并且當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d2時，控制器150接通n2個功耗電路130。江西哪里有半導體器件設備管理半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉換等。
控制器140輸出指示功耗電路130停止消耗功率的信號。也就是說，當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時，控制器140關閉功耗電路130。當結溫等于或大于邏輯塊110的下限溫度并且小于預定閾值時，控制器140可以接通功耗電路130。預定閾值可以是等于或大于邏輯塊110的下限溫度的溫度。因此，預定閾值可以是邏輯塊110的下限溫度，或者預定閾值可以是通過向下限溫度添加裕度而獲取的溫度?？刂破?40包括用于對測量周期進行計數(shù)的計數(shù)器電路，并且當計數(shù)器電路指示的計數(shù)器值超過測量周期時，再次執(zhí)行功耗電路130的開/關控制。當控制器140使用功耗電路130接收指示終止溫度控制的信號時，該信號使用功耗電路130終止溫度控制。這些信號可以從例如已經開始操作的邏輯塊110輸出。圖2是示出功耗電路130的示例性配置的電路圖。如圖2所示，功耗電路130包括電阻器131、n溝道m(xù)os晶體管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)132和反相器133。電源電壓vdd被施加到功耗電路130，并且電流流過電阻器131的率先狀態(tài)和沒有電流流過電阻器131的第二狀態(tài)響應于來自控制器140的控制信號c而被切換?？刂菩盘朿對應于用于指示上述功耗的信號。
可以執(zhí)行對由第三實施例中描述的控制器160和診斷部分170進行的診斷的控制。上面已經描述了第四實施例。在本實施例中，耗電路130用于多個目的。也就是說，共享功耗電路130以實現(xiàn)多個目標。因此，與為每個目的提供功耗電路130的情況相比，可以減小芯片面積。由于與為每個目的設置功耗電路130的情況相比，可以減少功耗電路130的電路數(shù)目，因此還可以抑制漏電流的總量。在本實施例中，耗電路130用于抑制電源電壓的波動，但是不用說，功耗電路130可以共同用于其他目的。另外，盡管已經將本實施例的模式描述為第三實施例的模式改變的模式，但是在率先實施例模式或第二實施例模式中描述的配置中，耗電路130可以用于其他目的。盡管已經基于實施例具體描述了由發(fā)明人做出的發(fā)明，但是本發(fā)明不限于已經描述的實施例，并且不用說，在不脫離其主旨的情況下可以進行各種修改。例如，控制器140、150、160和診斷部分170可以是軟件而不是硬件電路。也就是說，例如，控制器140、150、160和診斷部分170的處理可以由微控制器中提供的處理器與執(zhí)行存儲在微控制器中提供的存儲器中的程序的邏輯塊110分開執(zhí)行(更具體地，包括一個或多個指令的程序)。推薦地。功率半導體器件通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上。
如果所獲取的溫度小于下限溫度，則處理進行到步驟s102，而如果所獲取的溫度等于或大于下限溫度，則處理進行到步驟s103。在步驟s102中，控制器140接通功耗電路130。結果，功耗電路130產生熱量?？刂破?40重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s103中，控制器140關閉功耗電路130。控制器140重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s104中，控制器140確定在步驟s100中設置的測量周期是否已經過去。也就是說，控制器140確定計數(shù)值t是否超過測量周期。當測量周期已經過去時(步驟s104中的“是”)，處理進入步驟s105。在步驟s105中，控制器140確定是否已經接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止，而當未接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s101。圖4是作為環(huán)境溫度的函數(shù)的微控制器100的狀態(tài)的圖形表示。在圖4中，上圖是示出環(huán)境溫度ta與功耗電路130的驅動電流之間的關系的曲線圖。在圖4中，下部所示的曲線圖是示出環(huán)境溫度ta與結溫tj之間的關系的曲線圖。在圖4中，環(huán)境溫度ta過低并且因此需要功耗電路130進行結溫升高的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s1。另一方面。對半導體層進行摻雜而在非原胞區(qū)上形成保護結構，以及在阱區(qū)進行摻雜而在原胞區(qū)內形成工作結構。北京低碳半導體器件設備治理
半導體是指一種導電性可控,范圍從絕緣體到導體之間的材料。河南質量半導體器件設備收費
第三實施例接下來，將描述第三實施例。圖9是示出根據(jù)第三實施例的微控制器300的示例性配置的框圖。微控制器300與根據(jù)第二實施例的微控制器200的不同之處在于，控制器150被替換為控制器160，并且添加了診斷部分170。在下文中，將描述與第二實施例的不同點，并且將省略對與第二實施例相同的點的描述?？刂破?60與控制器150的不同之處在于，除了控制器150的控制功能之外，控制器160還具有用于診斷溫度傳感器120的控制功能。下面，將描述用于診斷溫度傳感器120的控制器160的控制功能。在診斷部分170執(zhí)行診斷操作的同時，控制器160控制消耗功率的功耗電路的數(shù)目(即，操作的功耗電路130的數(shù)目)。具體地，在診斷部分170隨著功耗電路130的數(shù)目的變化而執(zhí)行診斷操作的同時，控制器160設置消耗功率一次或多次的功耗電路130的數(shù)目。例如，控制器160具有要操作的一個功耗電路130和在預定的等待時間過去之后要操作的兩個功耗電路130。在本實施例中，控制器160在每個預定等待時間由診斷部分170執(zhí)行診斷的同時改變數(shù)目以增加要操作的功耗電路130的數(shù)目。具體地，當診斷部分170執(zhí)行診斷操作時，控制器160首先將要操作的功耗電路130設置為0，然后將要操作的功耗電路130設置為1。此后。河南質量半導體器件設備收費
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