甘肅質(zhì)量半導(dǎo)體器件設(shè)備排行榜

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-19

    圖10是示出微控制器300中的溫度傳感器120的示例性診斷操作的流程圖。在下文中,將參考圖10描述微控制器300的操作。圖10所示的診斷操作的過程例如在微控制器300啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行。由于微控制器300的自加熱在微控制器300啟動(dòng)時(shí)尚未開始,因此結(jié)溫低于微控制器300操作期間的任何時(shí)間的結(jié)溫。如上所述,如果結(jié)溫超過保證微控制器300的操作的溫度范圍的上限,則不能增加操作以進(jìn)行診斷操作的功耗電路130。診斷部分170可以通過在微控制器300啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行診斷來提高診斷操作的可行性。在步驟s300中,診斷部分170讀取診斷所需要的設(shè)定值。例如,診斷部分170讀取存儲(chǔ)在諸如微控制器300中提供的非易失性存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)電路中的設(shè)置值。設(shè)定值包括例如上述適當(dāng)量、診斷數(shù)n、等待時(shí)間tw和增加的數(shù)目i。增量數(shù)i是指示當(dāng)要操作的功耗電路130改變時(shí)要操作的功耗電路130的增加次數(shù)的設(shè)定值。在步驟s300中,診斷部分170重置計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)n,該計(jì)數(shù)n指示在一系列診斷操作中已經(jīng)診斷了計(jì)數(shù)器的次數(shù)。在步驟s300之后,處理進(jìn)入步驟s301。在步驟s301中,測量結(jié)溫。也就是說,診斷部分170獲取由溫度傳感器120測量的微控制器300的結(jié)溫。然后,診斷部分170將n的值遞增1。在步驟s301之后,處理進(jìn)入步驟s302。半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備,屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位至關(guān)重要。甘肅質(zhì)量半導(dǎo)體器件設(shè)備排行榜

    診斷部分170通過確定由溫度傳感器120測量的溫度是否根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化來診斷溫度傳感器120是否異常。如等式1所示,結(jié)溫tj取決于功耗電路130的驅(qū)動(dòng)電流iload。即,結(jié)溫tj應(yīng)當(dāng)根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化。因此,當(dāng)功耗電路130的操作條件改變時(shí),診斷部分170通過檢查改變之后的溫度傳感器120的輸出結(jié)果是否相對(duì)于改變之前的溫度傳感器120的輸出結(jié)果發(fā)生改變來檢測溫度傳感器120的異常。也就是說,盡管功耗電路130的操作條件改變,但是當(dāng)測量結(jié)果沒有改變時(shí),診斷部分170診斷出溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯(cuò)誤。每次通過控制器160執(zhí)行要操作的功耗電路130的數(shù)目的設(shè)置時(shí),診斷部分170診斷溫度傳感器120是否異常。在本實(shí)施例中,即使發(fā)生變化,如果變化量不是適當(dāng)?shù)牧?,則診斷部分170診斷出溫度傳感器120中發(fā)生了異常。如等式1所示,結(jié)溫tj根據(jù)功耗電路130的驅(qū)動(dòng)電流iload的大小而變化。因此,可以規(guī)定當(dāng)要操作的功耗電路130的數(shù)目改變時(shí)波動(dòng)的結(jié)溫的適當(dāng)量。因此,當(dāng)從測量結(jié)果獲取的變化量與預(yù)定適當(dāng)量之間的偏差超過預(yù)定閾值時(shí),診斷部分170確定溫度傳感器120異常。接下來,將描述微控制器300中的溫度傳感器120的診斷操作。廣西標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件設(shè)備24小時(shí)服務(wù)半導(dǎo)體器件通常,這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。

    當(dāng)來自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時(shí),電流流過電阻器131以產(chǎn)生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置,并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來,將描述與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的操作。圖3是示出與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的示例性操作的流程圖。在下文中,將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行,但是可以在其他預(yù)定定時(shí)執(zhí)行。在步驟s100中,設(shè)定測量結(jié)溫的測量周期和下限。如上所述,設(shè)定結(jié)溫的下限是邏輯塊110的下限溫度,即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如,這些設(shè)置通過讀取存儲(chǔ)在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)電路中的預(yù)定測量周期和預(yù)定下限溫度來執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導(dǎo)體工藝而預(yù)先定義的溫度。在步驟s100之后,處理進(jìn)入步驟s101。在步驟s101中,測量結(jié)溫。也就是說,控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結(jié)溫。然后,控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設(shè)置的下限溫度。

    可以降低保證微控制器100的操作的環(huán)境溫度的下限。此外,由于在使用半導(dǎo)體工藝制造的微控制器中的操作保證的溫度范圍的約束,該功能可以降低設(shè)計(jì)邏輯塊110的難度,其中邏輯速率(例如,邏輯塊110的操作頻率)在低溫下劣化。第二實(shí)施例接下來,將描述第二實(shí)施例。圖5是示出根據(jù)第二實(shí)施例的微控制器200的示例性配置的框圖。微控制器200與根據(jù)率先實(shí)施例的微控制器100的不同之處在于,提供多個(gè)功耗電路130并且控制器140被替換為控制器150??刂破?50與控制器140的不同之處在于,它控制多個(gè)功耗電路130的開關(guān)。在下文中,將描述與率先實(shí)施例的不同點(diǎn),并且將省略對(duì)與率先實(shí)施例相同的點(diǎn)的描述。根據(jù)本實(shí)施例的控制器150根據(jù)由溫度傳感器120測量的溫度與邏輯塊110的下限溫度之間的差值來控制功耗電路130消耗功率。具體地,當(dāng)由溫度傳感器120測量的當(dāng)前結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時(shí),控制器150接通更多的功耗電路130。即,例如,當(dāng)所測量的結(jié)溫小于下限溫度并且結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d1且小于d2時(shí),控制器150接通n1個(gè)功耗電路130,并且當(dāng)所測量的結(jié)溫小于下限溫度并且結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d2時(shí),控制器150接通n2個(gè)功耗電路130。設(shè)備功能:通過探針與半導(dǎo)體器件的pad接觸,進(jìn)行電學(xué)測試,檢測半導(dǎo)體的性能指標(biāo)是否符合設(shè)計(jì)性能要求。

    確保微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限可以是t,t是下限溫度。邏輯塊110是用于執(zhí)行邏輯操作的電路塊。例如,邏輯塊110可以是諸如中心處理單元等處理器。溫度傳感器120是用于測量微控制器100的結(jié)溫tj的傳感器。例如,溫度傳感器120被配置為包括電阻器,該電阻器的電阻根據(jù)溫度而變化。作為這樣的電阻元件,例如,使用雙極晶體管元件或二極管元件。溫度傳感器120通過根據(jù)溫度改變電阻元件的電阻值來輸出取決于溫度的電壓。功耗電路130是消耗預(yù)定功率的電路。當(dāng)通過來自控制器140的控制指示功耗時(shí),功耗電路130消耗預(yù)定功率并且相應(yīng)地產(chǎn)生熱量。更具體地,當(dāng)從控制器140輸入指示功耗的信號(hào)時(shí),功耗電路130通過引起預(yù)定的負(fù)載電流在功耗電路130中流動(dòng)來產(chǎn)生熱量。功耗電路130的配置的具體示例將參考圖2來描述??刂破?40是用于控制功耗電路130的功耗使得由溫度傳感器120測量的溫度不小于邏輯塊110的預(yù)定下限操作溫度的電路。具體地,控制器140獲取預(yù)定測量周期的結(jié)溫,并且當(dāng)所獲取的結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時(shí),輸出指示功耗電路130消耗功率的信號(hào)。即,當(dāng)所獲取的結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時(shí),控制器140接通功耗電路130。當(dāng)所獲取的結(jié)溫等于或大于預(yù)定閾值時(shí)。在半導(dǎo)體器件的具體的制備工藝中,通常是在半導(dǎo)體襯底的非原胞區(qū)域形成場氧,以場氧為掩膜對(duì)半導(dǎo)體。廣西標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件設(shè)備24小時(shí)服務(wù)

半導(dǎo)體器件設(shè)備為了與集成電路相區(qū)另,有時(shí)也稱為分立器件。甘肅質(zhì)量半導(dǎo)體器件設(shè)備排行榜

    在本實(shí)施例中,當(dāng)n=0時(shí),即,當(dāng)處理從步驟s300轉(zhuǎn)移到步驟s301時(shí),在關(guān)閉所有功耗電路130的情況下測量結(jié)溫。在步驟s302中,診斷部分170確定測量結(jié)果是否正常。如果測量結(jié)果異常,則處理進(jìn)入步驟s303,而如果測量結(jié)果正常,則處理進(jìn)入步驟s304。如果所有功耗電路130都關(guān)閉,則如果沒有從溫度傳感器120獲取測量結(jié)果,或者如果沒有獲取指示預(yù)定溫度范圍(例如,定義為操作保證范圍的環(huán)境溫度的溫度范圍)的測量結(jié)果,則診斷部分170確定測量結(jié)果異常。否則,診斷部分170確定測量結(jié)果正常。當(dāng)多個(gè)功耗電路130中的至少一個(gè)接通時(shí),檢查此時(shí)獲取的結(jié)溫與上一次在步驟s301中獲取的結(jié)溫之間的差值(即,結(jié)溫的變化δtj)和與預(yù)定適當(dāng)量的偏差量是否等于或小于預(yù)定閾值。當(dāng)偏差超過閾值時(shí),診斷部分170確定測量結(jié)果異常。另一方面,當(dāng)偏移量不超過閾值時(shí),診斷部分170確定測量結(jié)果正常。在步驟s303中,診斷部分170確定溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯(cuò)誤,并且結(jié)束診斷操作。在步驟s304中,診斷部分170確定計(jì)數(shù)值n是否大于診斷數(shù)n。當(dāng)計(jì)數(shù)值n大于診斷數(shù)n時(shí),處理進(jìn)入步驟s305。在步驟s305中,診斷部分170確定溫度傳感器120正常,并且結(jié)束診斷操作。如果計(jì)數(shù)值n等于或小于n,則在步驟s304之后。甘肅質(zhì)量半導(dǎo)體器件設(shè)備排行榜

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