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來源: 發(fā)布時間:2023-02-17

    圖10是示出微控制器300中的溫度傳感器120的示例性診斷操作的流程圖。在下文中,將參考圖10描述微控制器300的操作。圖10所示的診斷操作的過程例如在微控制器300啟動時執(zhí)行。由于微控制器300的自加熱在微控制器300啟動時尚未開始,因此結(jié)溫低于微控制器300操作期間的任何時間的結(jié)溫。如上所述,如果結(jié)溫超過保證微控制器300的操作的溫度范圍的上限,則不能增加操作以進行診斷操作的功耗電路130。診斷部分170可以通過在微控制器300啟動時執(zhí)行診斷來提高診斷操作的可行性。在步驟s300中,診斷部分170讀取診斷所需要的設定值。例如,診斷部分170讀取存儲在諸如微控制器300中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的設置值。設定值包括例如上述適當量、診斷數(shù)n、等待時間tw和增加的數(shù)目i。增量數(shù)i是指示當要操作的功耗電路130改變時要操作的功耗電路130的增加次數(shù)的設定值。在步驟s300中,診斷部分170重置計數(shù)器的計數(shù)n,該計數(shù)n指示在一系列診斷操作中已經(jīng)診斷了計數(shù)器的次數(shù)。在步驟s300之后,處理進入步驟s301。在步驟s301中,測量結(jié)溫。也就是說,診斷部分170獲取由溫度傳感器120測量的微控制器300的結(jié)溫。然后,診斷部分170將n的值遞增1。在步驟s301之后,處理進入步驟s302。半導體行業(yè)技術(shù)高、進步快,一代產(chǎn)品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設備。寧夏哪里有半導體器件設備排行榜

    確保微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限可以是t,t是下限溫度。邏輯塊110是用于執(zhí)行邏輯操作的電路塊。例如,邏輯塊110可以是諸如中心處理單元等處理器。溫度傳感器120是用于測量微控制器100的結(jié)溫tj的傳感器。例如,溫度傳感器120被配置為包括電阻器,該電阻器的電阻根據(jù)溫度而變化。作為這樣的電阻元件,例如,使用雙極晶體管元件或二極管元件。溫度傳感器120通過根據(jù)溫度改變電阻元件的電阻值來輸出取決于溫度的電壓。功耗電路130是消耗預定功率的電路。當通過來自控制器140的控制指示功耗時,功耗電路130消耗預定功率并且相應地產(chǎn)生熱量。更具體地,當從控制器140輸入指示功耗的信號時,功耗電路130通過引起預定的負載電流在功耗電路130中流動來產(chǎn)生熱量。功耗電路130的配置的具體示例將參考圖2來描述??刂破?40是用于控制功耗電路130的功耗使得由溫度傳感器120測量的溫度不小于邏輯塊110的預定下限操作溫度的電路。具體地,控制器140獲取預定測量周期的結(jié)溫,并且當所獲取的結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時,輸出指示功耗電路130消耗功率的信號。即,當所獲取的結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時,控制器140接通功耗電路130。當所獲取的結(jié)溫等于或大于預定閾值時。浙江工程半導體器件設備批量定制半導體器件通常包括工作結(jié)構(gòu)和對工作結(jié)構(gòu)進行保護的保護結(jié)構(gòu),如金屬-氧化物-半導體場效應管。

    不需要功耗電路130升高結(jié)溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中,耗電路130接通,并且驅(qū)動電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說,驅(qū)動電流iload流過電阻器131。在溫度區(qū)域s1中,控制器140控制功耗電路130的接通/斷開,使得結(jié)溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結(jié)果,在溫度區(qū)域s1中,結(jié)溫tj如圖4的下圖所示。因此,可以擴展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍。另一方面,在溫度區(qū)域s2中,由于環(huán)境溫度ta足夠高,所以結(jié)溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb,這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高,并且因此功耗電路130繼續(xù)關(guān)閉。結(jié)溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj=ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻,idd是微控制器100的操作電流,即邏輯塊110的操作電流,并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經(jīng)描述了率先實施例。在微控制器100中,當結(jié)溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時,功耗電路130接通,從而微控制器100根據(jù)消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產(chǎn)生熱量。因此,結(jié)溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結(jié)果,與不提供上述配置時相比。

    目錄第1章太陽能發(fā)電概述1太陽能電池和太陽能發(fā)電1太陽能1太陽能變?yōu)殡娔?利用太陽能進行分散型發(fā)電和供電2小結(jié)2太陽能發(fā)電發(fā)展史3太陽能電池開發(fā)史3產(chǎn)量和價格的變化4太陽能發(fā)電系統(tǒng)和太陽能電池的價格5太陽能發(fā)電和環(huán)保的關(guān)系63E的概念6各種發(fā)電設備價格、性能的比較6太陽能發(fā)電的過去、現(xiàn)在和未來8國內(nèi)外太陽能發(fā)電的現(xiàn)狀與趨勢16美國光伏發(fā)電的“百萬屋頂計劃”17日本的“陽光計劃”18德國的“10萬屋頂發(fā)電計劃”20中國的“光明工程”計劃20我國港澳地區(qū)太陽能發(fā)電項目簡介25第2章太陽能電池的發(fā)電原理和特性29太陽光的性質(zhì)2太陽光性質(zhì)的物理量29直射光和散射光30太陽光強度與波長的關(guān)系32太陽能電池的發(fā)電原理和變換效率33光電變換33二極管和光伏器件34太陽能電池光伏變換效率38太陽能電池的等值電路和伏安特性40太陽能電池特性的測量42太陽能電池組件42室外測量注意事項42帶負荷測量電壓、電流42四端測量法43第3章太陽能電池的種類及其特點45太陽能電池的分類45幾種常用太陽能電池的特點46建材一體型太陽能電池49第4章太陽能發(fā)電系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和設計51太陽能發(fā)電系統(tǒng)概述51太陽能電池陣列52系統(tǒng)設計原則54功率。在半導體器件的具體的制備工藝中,通常是在半導體襯底的非原胞區(qū)域形成場氧,以場氧為掩膜對半導體。

    圖12是示出根據(jù)第四實施例的微控制器400的示例性配置的框圖。微控制器400與根據(jù)第三實施例的微控制器300的不同之處在于,增加了電流變化控制電路180。在以下描述中,將描述與第三實施例的不同點,并且將省略對與第三實施例相同的點的描述。電流變化控制電路180控制功耗電路130消耗預定功率,同時暫時停止邏輯塊110中包括的電路的操作。由于邏輯塊110中的暫時停止導致的電流的明顯減小可能導致電源電壓的變化。例如,如果由于流水線停頓而暫時停止執(zhí)行邏輯塊110中的cpu的操作的指令,則在該時間期間電流量急劇減少,結(jié)果,電源電壓波動。因此,電流變化控制電路180通過引起負載電流流過功耗電路130來抑制微控制器400中的負載電流的變化,例如,在邏輯塊110的操作停止時。結(jié)果,電流變化控制電路180抑制電源電壓的變化。也就是說,在本實施例中,耗電路130用于強制升高結(jié)溫,并且用于抑制邏輯塊110消耗的功率的變化。在本實施例中,如在第二實施例中,控制器160在微控制器400被開啟時控制功耗電路130。當結(jié)溫達到邏輯塊110的下限溫度并且邏輯塊110開始操作時,在電流變化控制電路180的控制下控制功耗電路130接通和斷開。在啟動時。半導體器件由(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號有第三、四、五部分)組成。浙江工程半導體器件設備批量定制

設備功能:通過探針與半導體器件的pad接觸,進行電學測試,檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。寧夏哪里有半導體器件設備排行榜

    當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時,電流流過電阻器131以產(chǎn)生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置,并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來,將描述與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的操作。圖3是示出與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的示例性操作的流程圖。在下文中,將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執(zhí)行,但是可以在其他預定定時執(zhí)行。在步驟s100中,設定測量結(jié)溫的測量周期和下限。如上所述,設定結(jié)溫的下限是邏輯塊110的下限溫度,即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如,這些設置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后,處理進入步驟s101。在步驟s101中,測量結(jié)溫。也就是說,控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結(jié)溫。然后,控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設置的下限溫度。寧夏哪里有半導體器件設備排行榜

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