廣東低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備知識(shí)宣傳

    不需要功耗電路130升高結(jié)溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中，耗電路130接通，并且驅(qū)動(dòng)電流iload流過(guò)功耗電路130(參見(jiàn)圖4頂部的曲線圖)。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)電流iload流過(guò)電阻器131。在溫度區(qū)域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開(kāi)，使得結(jié)溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結(jié)果，在溫度區(qū)域s1中，結(jié)溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴(kuò)展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區(qū)域s2中，由于環(huán)境溫度ta足夠高，所以結(jié)溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb，這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續(xù)關(guān)閉。結(jié)溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經(jīng)描述了率先實(shí)施例。在微控制器100中，當(dāng)結(jié)溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時(shí)，功耗電路130接通，從而微控制器100根據(jù)消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產(chǎn)生熱量。因此，結(jié)溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結(jié)果，與不提供上述配置時(shí)相比。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可控,范圍從絕緣體到導(dǎo)體之間的材料。廣東低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備知識(shí)宣傳

    本發(fā)明涉及用于控制半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件，例如，本發(fā)明涉及用于確保半導(dǎo)體器件操作的技術(shù)。近年來(lái)，對(duì)更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加，特別是在汽車工業(yè)中。因此，在半導(dǎo)體器件中，還需要擴(kuò)大半導(dǎo)體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)，其能夠通過(guò)使用包括功率晶體管的線性調(diào)節(jié)器電路來(lái)控制對(duì)發(fā)光二極管的供電，并且能夠防止功率晶體管的過(guò)度發(fā)熱。作為相關(guān)技術(shù)，日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)。日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)，其用于容易地抑制由與時(shí)鐘周期同步的電路引起的功耗狀態(tài)的差異引起的電源電壓的變化。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)，但是不能防止過(guò)低的結(jié)溫。如果由于環(huán)境溫度低而導(dǎo)致結(jié)溫過(guò)低，則可能無(wú)法確保半導(dǎo)體器件中的邏輯塊的正常操作。因此，本領(lǐng)域需要一種能夠限定半導(dǎo)體器件可以正常操作的低環(huán)境溫度的技術(shù)。根據(jù)本說(shuō)明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測(cè)量的結(jié)溫不小于邏輯塊的預(yù)定下限操作溫度的控制器。根據(jù)率先實(shí)施例，可以將半導(dǎo)體器件可以正常操作的環(huán)境溫度定義為低于不使用根據(jù)率先實(shí)施例的技術(shù)時(shí)的環(huán)境溫度。安徽哪里有半導(dǎo)體器件設(shè)備治理電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。

    可以執(zhí)行對(duì)由第三實(shí)施例中描述的控制器160和診斷部分170進(jìn)行的診斷的控制。上面已經(jīng)描述了第四實(shí)施例。在本實(shí)施例中，耗電路130用于多個(gè)目的。也就是說(shuō)，共享功耗電路130以實(shí)現(xiàn)多個(gè)目標(biāo)。因此，與為每個(gè)目的提供功耗電路130的情況相比，可以減小芯片面積。由于與為每個(gè)目的設(shè)置功耗電路130的情況相比，可以減少功耗電路130的電路數(shù)目，因此還可以抑制漏電流的總量。在本實(shí)施例中，耗電路130用于抑制電源電壓的波動(dòng)，但是不用說(shuō)，功耗電路130可以共同用于其他目的。另外，盡管已經(jīng)將本實(shí)施例的模式描述為第三實(shí)施例的模式改變的模式，但是在率先實(shí)施例模式或第二實(shí)施例模式中描述的配置中，耗電路130可以用于其他目的。盡管已經(jīng)基于實(shí)施例具體描述了由發(fā)明人做出的發(fā)明，但是本發(fā)明不限于已經(jīng)描述的實(shí)施例，并且不用說(shuō)，在不脫離其主旨的情況下可以進(jìn)行各種修改。例如，控制器140、150、160和診斷部分170可以是軟件而不是硬件電路。也就是說(shuō)，例如，控制器140、150、160和診斷部分170的處理可以由微控制器中提供的處理器與執(zhí)行存儲(chǔ)在微控制器中提供的存儲(chǔ)器中的程序的邏輯塊110分開(kāi)執(zhí)行(更具體地，包括一個(gè)或多個(gè)指令的程序)。推薦地。

    圖10是示出微控制器300中的溫度傳感器120的示例性診斷操作的流程圖。在下文中，將參考圖10描述微控制器300的操作。圖10所示的診斷操作的過(guò)程例如在微控制器300啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行。由于微控制器300的自加熱在微控制器300啟動(dòng)時(shí)尚未開(kāi)始，因此結(jié)溫低于微控制器300操作期間的任何時(shí)間的結(jié)溫。如上所述，如果結(jié)溫超過(guò)保證微控制器300的操作的溫度范圍的上限，則不能增加操作以進(jìn)行診斷操作的功耗電路130。診斷部分170可以通過(guò)在微控制器300啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行診斷來(lái)提高診斷操作的可行性。在步驟s300中，診斷部分170讀取診斷所需要的設(shè)定值。例如，診斷部分170讀取存儲(chǔ)在諸如微控制器300中提供的非易失性存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)電路中的設(shè)置值。設(shè)定值包括例如上述適當(dāng)量、診斷數(shù)n、等待時(shí)間tw和增加的數(shù)目i。增量數(shù)i是指示當(dāng)要操作的功耗電路130改變時(shí)要操作的功耗電路130的增加次數(shù)的設(shè)定值。在步驟s300中，診斷部分170重置計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)n，該計(jì)數(shù)n指示在一系列診斷操作中已經(jīng)診斷了計(jì)數(shù)器的次數(shù)。在步驟s300之后，處理進(jìn)入步驟s301。在步驟s301中，測(cè)量結(jié)溫。也就是說(shuō)，診斷部分170獲取由溫度傳感器120測(cè)量的微控制器300的結(jié)溫。然后，診斷部分170將n的值遞增1。在步驟s301之后，處理進(jìn)入步驟s302。半導(dǎo)體器件通常包括工作結(jié)構(gòu)和對(duì)工作結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)結(jié)構(gòu)，如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。

    圖12是示出根據(jù)第四實(shí)施例的微控制器400的示例性配置的框圖。微控制器400與根據(jù)第三實(shí)施例的微控制器300的不同之處在于，增加了電流變化控制電路180。在以下描述中，將描述與第三實(shí)施例的不同點(diǎn)，并且將省略對(duì)與第三實(shí)施例相同的點(diǎn)的描述。電流變化控制電路180控制功耗電路130消耗預(yù)定功率，同時(shí)暫時(shí)停止邏輯塊110中包括的電路的操作。由于邏輯塊110中的暫時(shí)停止導(dǎo)致的電流的明顯減小可能導(dǎo)致電源電壓的變化。例如，如果由于流水線停頓而暫時(shí)停止執(zhí)行邏輯塊110中的cpu的操作的指令，則在該時(shí)間期間電流量急劇減少，結(jié)果，電源電壓波動(dòng)。因此，電流變化控制電路180通過(guò)引起負(fù)載電流流過(guò)功耗電路130來(lái)抑制微控制器400中的負(fù)載電流的變化，例如，在邏輯塊110的操作停止時(shí)。結(jié)果，電流變化控制電路180抑制電源電壓的變化。也就是說(shuō)，在本實(shí)施例中，耗電路130用于強(qiáng)制升高結(jié)溫，并且用于抑制邏輯塊110消耗的功率的變化。在本實(shí)施例中，如在第二實(shí)施例中，控制器160在微控制器400被開(kāi)啟時(shí)控制功耗電路130。當(dāng)結(jié)溫達(dá)到邏輯塊110的下限溫度并且邏輯塊110開(kāi)始操作時(shí)，在電流變化控制電路180的控制下控制功耗電路130接通和斷開(kāi)。在啟動(dòng)時(shí)。半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備,屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位至關(guān)重要。青海建設(shè)項(xiàng)目半導(dǎo)體器件設(shè)備24小時(shí)服務(wù)

半導(dǎo)體器件專門設(shè)備應(yīng)用寬廣LED封裝,光通訊,半導(dǎo)體封裝,支持1對(duì)1定制化生產(chǎn)設(shè)計(jì).廣東低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備知識(shí)宣傳

    當(dāng)來(lái)自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時(shí)，電流流過(guò)電阻器131以產(chǎn)生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過(guò)包括諸如電阻器等加熱元件來(lái)消耗功率的電路。接下來(lái)，將描述與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的操作。圖3是示出與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過(guò)程例如在微控制器100啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行，但是可以在其他預(yù)定定時(shí)執(zhí)行。在步驟s100中，設(shè)定測(cè)量結(jié)溫的測(cè)量周期和下限。如上所述，設(shè)定結(jié)溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設(shè)置通過(guò)讀取存儲(chǔ)在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)電路中的預(yù)定測(cè)量周期和預(yù)定下限溫度來(lái)執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導(dǎo)體工藝而預(yù)先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進(jìn)入步驟s101。在步驟s101中，測(cè)量結(jié)溫。也就是說(shuō)，控制器140獲取由溫度傳感器120測(cè)量的微控制器100的結(jié)溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設(shè)置的下限溫度。廣東低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備知識(shí)宣傳

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