轉換后的八位二進制數(shù)據(jù)要占用八個輸入點定義號,用來把數(shù)據(jù)傳送到CPU。這八個I/0點是模塊的四個模擬量通道所采集數(shù)據(jù)的公共通道。為了使CPU能夠區(qū)分正在公共通道上送入的數(shù)據(jù)是來自哪一個模擬量輸入通道,以便按程序要求送往相應的內(nèi)存單元,模塊上又使用了四個輸入點的定義號(如上表中的110-113),用來提供這種信息。綜上所述,在模塊和CPU之間,為了傳遞控制信號及轉換后的數(shù)據(jù),加上另一個未被確定用途的定義號,每個模塊共要占用16個I/0定義號。這樣,CPU就可以通過對梯形圖上相應的I/0定義號狀態(tài)的掃描,實現(xiàn)與模塊交換信息。由于其八點的數(shù)據(jù)輸入通道對四個模擬量輸入通道而言是共用的,因而每個掃描周期中的CPU只能從模塊接受一個通道的轉換數(shù)據(jù),模塊在此期間也對一個通道進行A/D轉換。 模擬量輸出模塊所接收的數(shù)字信號一般多為12位二進制數(shù),數(shù)字量位數(shù)越多的模塊,分辨率就越高。舟山**模擬量輸出/輸入模塊3WL12203FB664GA4ZK07R21T40
分配到兩個不同功率的電爐上。由上文可知,兩組模塊兩端的溫差不同,導致兩組模塊的輸出電壓也不同,相應的輸出功率也有區(qū)別。實驗中測量了4個3π模塊組件中2個3π模塊的功率。這兩個3π模塊處于不同的電爐上,兩端有不同的溫差。有圖中可以看到,模塊兩端溫差越大,輸出功率越大。當處于2kW爐子上的一個3π模塊兩端溫差在550℃時,輸出功率可以在40mW左右。處于1kW爐子上的一個3π模塊兩端溫差在450℃時,輸出功率也在25mW左右。由此可以估算,處于兩個加熱爐上的4個3π模塊組件總共的功率輸出在130mW左右。表1:不同氧化物熱電材料制備發(fā)電模塊的數(shù)據(jù)對比表1所示為不同氧化物熱電材料制備的發(fā)電模塊的數(shù)據(jù)對比。由表中數(shù)據(jù)可以看出,本發(fā)明通過摻雜改性的CaMnO3和Ca3Co4O9基氧化物構建熱電發(fā)電模塊,可以在較高的溫度下使用,能夠在模塊兩端實現(xiàn)較大的溫差。并且與其他現(xiàn)有技術相比,在相近的工作溫度下,本發(fā)明可以通過使用較少的π型模塊,實現(xiàn)較大的功率輸出。其中,所提到的對比試驗的現(xiàn)有技術分別為:從測試結果上看,本發(fā)明用氧化物組件取代傳統(tǒng)合金組件,具有耐高溫、可應用于大溫差、不易氧化、高溫性能穩(wěn)定等優(yōu)點。金華西門子模擬量輸出/輸入模塊這樣它就會需要一些具有特殊功能模塊。。
PLC模擬量輸模塊 輸具體值、數(shù)字量 像數(shù)字量模塊輸電信號?輸出的是外部設備可以接收的模擬量(電壓或電流)。PLC模擬量模塊又分為模擬量輸入模塊與模擬量輸出模塊。(Ⅰ)PLC模擬量輸入模塊模擬量輸入模塊又稱A/D模塊,將現(xiàn)場由傳感器檢測而產(chǎn)生的連續(xù)的模擬量信號轉換成PLC的CPU可以接收的數(shù)字量,一般多為12位二進制數(shù),數(shù)字量位數(shù)越多的模塊,分辨率就越高。(Ⅱ)PLC模擬量輸出模塊模擬量輸出模塊又稱為D/A模塊,把PLC的CPU送往模擬量輸出模塊的數(shù)字量轉換成外部設備可以接收的模擬量(電壓或電流)。模擬量輸出模塊所接收的數(shù)字信號一般多為12位二進制數(shù),數(shù)字量位數(shù)越多的模塊,分辨率就越高。
自動降溫至室溫,模塊燒結固化完成?;谏鲜瞿K,可以構造能夠提供較大發(fā)電量的熱電發(fā)電系統(tǒng)。將若干個熱電π模塊以串聯(lián)的形式釬焊連接到一塊導熱板上。在熱電模塊串聯(lián)電路中,若有一處不能良好連接,勢必影響整個串聯(lián)電路的正常工作。為避免這一問題,方便將連接不佳的部位找出并替換,本實施例中采用先制作3個π模塊串聯(lián)的組件,然后再由若干個3π模塊組件串聯(lián)。如此若整個串聯(lián)電路中有導電不良的位置,只替換該3π模塊組件即可,不必破壞整個釬焊連接電路。3π模塊組件的制備方法如下:4-1:在上下兩塊氧化鋁導熱板上如圖6所示畫出需要涂抹銀漿的部分,上方圓形、方形陰影面積部分與下方圓形、方形陰影面積部分分別對應重疊;4-2:將若干金屬絲網(wǎng)(本發(fā)明中使用銅網(wǎng))剪成與步驟4-1中涂抹銀漿面積相同的形狀備用;4-3:將銀漿均勻涂抹在步驟4-1畫出的區(qū)域中;4-4:將裁剪成對應形狀的金屬絲網(wǎng)放置在步驟4-3中涂抹的區(qū)域上,在金屬絲網(wǎng)上再涂抹一層銀漿;4-5:將三個圓柱形N型氧化物和三個長方形P型氧化物組件一端置于涂抹銀漿后的金屬絲網(wǎng)區(qū)域上,另一端覆蓋第二片布置好銀漿和金屬絲網(wǎng)的氧化鋁導熱片。要按照步驟4-1中的對應位置放好,壓實。一般的都有220VAC, 24VDC等信號。
145a、145b:第二開口;146:反射片;h1:柱體的長度;h2:彎折部的長度;t1:遮光片的厚度;t2:導光板的厚度;g:間隙;w11、w12、w21、w222:口徑。具體實施方式現(xiàn)將詳細地參考本發(fā)明的示范性實施例,示范性實施例的實例說明于附圖中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。圖1為本發(fā)明的一實施例的一種鍵盤模塊的俯視示意圖。圖2a為圖1的鍵盤模塊的局部剖面分解示意圖。圖2b為圖2a的鍵盤模塊的局部剖面示意圖。圖2c為圖2a的鍵盤模塊的底板的立體示意圖。為了方便說明起見,圖1中示意地繪示一個未彎折的組裝部,而圖2a與圖2b中省略繪示框體與底板之間的薄膜電路板。請先同時參考圖1、圖2a以及圖2b,本實施例的鍵盤模塊100a包括多個按鍵110、框架120、底板130a以及背光組件140a??蚣?20具有按鍵區(qū)121,而按鍵110的頂面112暴露于框架120的按鍵區(qū)121,其中框架120包括柱體124(圖2a中示意地繪示一個柱體124)。底板130a配置于框架120的下方,其中底板130a包括彎折部132a(圖2a中示意地繪示一個彎折部132a)。背光組件140a配置于底板130a的下方,且依序包括遮光片142a、導光板144以及反射片146。遮光片142a具有開口143a。電壓或者電流信號 ,一般是變送器傳過來的信號。金華西門子模擬量輸出/輸入模塊
把PLC的CPU送往模擬量輸出模塊的數(shù)字量轉換成外部設備可以接收的模擬量(電壓或電流)。舟山**模擬量輸出/輸入模塊3WL12203FB664GA4ZK07R21T40
本實施例的鍵盤模塊100c與圖2b的鍵盤模塊100a相似,兩者的差異在于:本實施例的柱體124’的延伸部124b’向?qū)Ч獍?44’延伸而位于導光板144’與反射片146之間。也就是說,本實施例的延伸部124b’除了位于彎折部132a與反射片146之間以外,更延伸超過彎折部132a而位于導光板144’與反射片146之間。綜上所述,在本發(fā)明的鍵盤模塊的設計中,背光組件具有暴露出部分反射片的開口,而框架的柱體穿過底板的彎折部而位于開口內(nèi),且柱體的底面抵接至反射片。藉此,背光組件所發(fā)出的光可被柱體及彎折部所遮擋,可避免從底板與背光組件之間的縫隙漏光。此外,本實施例的背光組件沒有穿孔結構,因此從鍵盤模塊的背面完全看不到光線,可達到遮光的效果。應說明的是:以上各實施例用以說明本發(fā)明的技術方案,而非對其限制;盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明,本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改,或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。舟山**模擬量輸出/輸入模塊3WL12203FB664GA4ZK07R21T40