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x射線粉末衍射儀, 針對(duì)于測(cè)試樣品為粉末; x射線衍射儀 , 包括粉末衍射、單晶衍射、高溫衍射儀等等 ! x射線衍射儀包含x射線粉末衍射儀! 由于物質(zhì)要形成比較大的單晶顆粒很困難.所以目前x射線粉末衍射技術(shù)是主流的x射線衍射分析技術(shù).單晶衍射可以分析出物質(zhì)分子內(nèi)部的原子的空間結(jié)構(gòu).粉末衍射也可以分析出空間結(jié)構(gòu).但是大分子（比如蛋白質(zhì)等）等復(fù)雜的很難分析.x射線粉末衍射可以:1,判斷物質(zhì)是否為晶體.2,判斷是何種晶體物質(zhì).3,判斷物質(zhì)的晶型.4,計(jì)算物質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)力.5,定量計(jì)算混合物質(zhì)的比例.6,計(jì)算物質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù).7,和其他專業(yè)相結(jié)合會(huì)有更普遍的用途.X射線衍射儀已成為晶體結(jié)構(gòu)分析等工作的主要方法。鎮(zhèn)江衍射儀銷售代理

描述X射線衍射條件，還可以用布拉格方程： 2dsinθ＝nλ式中d為相鄰兩個(gè)晶面之間的距離；θ為入射線或反射線與晶面的交角；λ為X射線波長(zhǎng)；n為正整數(shù)。布拉格方程與勞厄方程雖然表達(dá)方式不同，但其實(shí)質(zhì)是相同的。 當(dāng) X射線的波長(zhǎng)與入射線方向以及晶體方位確定以后，勞厄方程中的λ、、b、c、0、β0、γ0 都已確定，只有、β、γ是變量，它們必須滿足勞厄方程，但是，、β、γ3個(gè)變量不是單獨(dú)的，例如在直角坐標(biāo)中應(yīng)滿足： cos2＋cos2β＋cos2γ＝1這就是說，3個(gè)變量、β、γ應(yīng)同時(shí)滿足4個(gè)方程，這在一般條件下是不可能的，因而得不到衍射圖。為了解決這個(gè)問題，必須再增加一個(gè)變數(shù)，有兩種辦法可供選擇：①晶體不動(dòng)（0、β0、γ0固定），改變波長(zhǎng)λ，即采用白色X射線，這種方法稱為勞厄法；②波長(zhǎng)不變，即用單色X射線 ，讓晶體繞某晶軸轉(zhuǎn)動(dòng)，即改變0、β0、γ0 。這樣可在某些特定的晶體方位得到衍射圖，這種方法叫做轉(zhuǎn)動(dòng)晶體法。以上兩種方法都是對(duì)單晶體而言的。如果晶體是多晶，每個(gè)小單晶體在空間的取向是隨機(jī)的，勞厄方程總可以得到滿足，這就是粉末法的基礎(chǔ)。臺(tái)州衍射儀銷售代理x射線的波長(zhǎng)和晶體內(nèi)部原子面之間的間距相近，晶體可以作為X射線的空間衍射光柵。

x射線光電子能譜分析： x射線光電子能譜法（x-ray photoelectron spectrom-----xps）在表面分析領(lǐng)域中是一種嶄新的方法。雖然用x射線照射固體材料并測(cè)量由此引起的電子動(dòng)能的分布早在本世紀(jì)初就有報(bào)道，但當(dāng)時(shí)可達(dá)到的分辯率還不足以觀測(cè)到光電子能譜上的實(shí)際光峰。直到1958年，以siegbahn為首的一個(gè)瑞典研究小組觀測(cè)到光峰現(xiàn)象，并發(fā)現(xiàn)此方法可以用來研究元素的種類及其化學(xué)狀態(tài)，故而取名“化學(xué)分析光電子能譜（eletron spectroscopy for chemical analysis-esca）。目前xps和esca已公認(rèn)為是同義詞而不再加以區(qū)別。

X射線衍射分析的應(yīng)用實(shí)例： 1、金屬樣品如塊狀、板狀、圓拄狀要求磨成一個(gè)平面，面積不小于10X10毫米，如果面積太小可以用幾塊粘貼一起。 2、對(duì)于片狀、圓拄狀樣品會(huì)存在嚴(yán)重的擇優(yōu)取向，衍射強(qiáng)度異常。因此要求測(cè)試時(shí)合 理選擇響應(yīng)的方向平面。 3、對(duì)于測(cè)量金屬樣品的微觀應(yīng)力（晶格畸變），測(cè)量殘余奧氏體，要求樣品不能簡(jiǎn)單粗磨，要求制備成金相樣品，并進(jìn)行普通拋光或電解拋光，消除表面應(yīng)變層。 4、粉末樣品要求磨成320目的粒度，約40微米。粒度粗大衍射強(qiáng)度低，峰形不好，分辨率低。要了解樣品的物理化學(xué)性質(zhì)，如是否易燃，易潮解，易腐蝕、有毒、易揮發(fā)。 5、粉末樣品要求在3克左右，如果太少也需5毫克。運(yùn)用X射線衍射儀可以獲得分析對(duì)象的粉末X射線衍射圖譜。

單晶射線衍射儀是一種用于化學(xué)領(lǐng)域的分析儀器， 額定功率:50kv 40mA。CCD探測(cè)器：62mm 4K CCD芯片，Mo 光源增益>170電子/X光子； X-射線發(fā)生器：功率3kW，Mo靶陶瓷X射線光管； 三軸（ω,2θ,φ）測(cè)角儀:φ360o旋轉(zhuǎn)≤0.02o步長(zhǎng)，角度重現(xiàn)性±0.0001o； Kryo-Flex低溫系統(tǒng)。 該儀器主要用于單晶樣品晶胞參數(shù)，單晶結(jié)構(gòu)測(cè)定 ，包括孿晶的有機(jī)、無機(jī)化合物分子的準(zhǔn)確三維立體結(jié)構(gòu)，并通過先進(jìn)的結(jié)構(gòu)解析軟件給出包括鍵長(zhǎng)、鍵角、構(gòu)型、構(gòu)象乃至成鍵電子密度等分子參數(shù)及分子在晶格中的排列狀況。X射線衍射法是一種研究晶體結(jié)構(gòu)的分析方法。銅陵衍射儀大概多少錢

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x射線衍射圖譜： 橫坐標(biāo)：角度（度），是2θ 角，是衍射譜儀掃描的角度。 縱坐標(biāo)：是檢測(cè)到的計(jì)數(shù)，單位：CPS-每秒計(jì)數(shù)counts per sec. 另外，測(cè)試單上還會(huì)給出一系列數(shù)據(jù)，它們是： 一列數(shù)據(jù)，是2θ 角，要除以2才是用到公式中的θ 。 第二列數(shù)據(jù)，的d,單位是?， 第三列數(shù)據(jù)，BG，可能是背景縮寫； 第四列數(shù)據(jù)，峰高，計(jì)數(shù)值； 第五列數(shù)據(jù)，相對(duì)峰高（%），是把強(qiáng)峰作為歸一標(biāo)準(zhǔn)的相對(duì)強(qiáng)度值； 第六列數(shù)據(jù)，峰面積； 第七列數(shù)據(jù)，相對(duì)峰面積（%）； 第八列數(shù)據(jù)，F(xiàn)WHM-Full width at half maximum （脈沖）峰半高寬；一般用于計(jì)算的峰強(qiáng)度使用高度就可以了，這是把峰都看成是常規(guī)峰。但這一項(xiàng) FWHM 可以給出特異峰信息，在解析時(shí)會(huì)帶來特殊意義。 第九列數(shù)據(jù)，XS(?)，XS是晶粒度(?）。鎮(zhèn)江衍射儀銷售代理

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